公开(公告)号：CN1255625A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99125883.5

申请日：1999-12-02

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  O·根兹 ,  U·曼茨

IPC: G01B11/06

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01B11/02

Abstract: 按照本发明测量具有外形双折射的表面图形的设备包括一个光源为带有表面图形的表面提供入射光;一个光探测器用来测量入射光被表面图形反射后的特性;一个转台使样品表面转动,使得入射光因转台转动而以不同的角度入射;还包括一个处理器来处理测得的反射光特性,并使之与测得的表面图形相关联。本发明还包括测量具有外形双折射的表面图形的方法。

公开(公告)号：CN1154162C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN99108431.4

申请日：1999-06-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  R·拉纳德 ,  B·弗里特纳

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/30655 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 通过反应离子蚀刻工艺，以一种使其具有包含多个腰部的外形的方式，在硅晶片中蚀刻用于形成DRAM的存储电容器的垂直沟道。采用以下方法来获得这种外形：在反应离子蚀刻过程中改变硅晶片被支撑在其上的底盘中冷却剂流率，以便在该蚀刻过程中改变该硅晶片的温度。另一种方法是，通过或者改变蚀刻室中不同气体的比例，或者改变蚀刻室中总的气体压力来实现所述多腰部外形。

公开(公告)号：CN1241018A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99108431.4

申请日：1999-06-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  R·拉纳德 ,  B·弗里特纳

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/30655 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 通过反应离子蚀刻工艺,以一种使其具有包含多个腰部的外形的方式,在硅晶片中蚀刻用于形成DRAM的存储电容器的垂直沟道。采用以下方法来获得这种外形:在反应离子蚀刻过程中改变硅晶片被支撑在其上的底盘中冷却剂流率,以便在该蚀刻过程中改变该硅晶片的温度。另一种方法是,通过或者改变蚀刻室中不同气体的比例,或者改变蚀刻室中总的气体压力来实现所述多腰部外形。

公开(公告)号：CN101398293B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810084542.6

申请日：1999-12-02

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  O·根兹 ,  U·曼茨

IPC: G01B11/02

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明涉及一种用椭偏法测量临界尺寸的设备，按照本发明测量具有外形双折射的表面图形的设备包括一个光源为带有表面图形的表面提供入射光；一个光探测器用来测量入射光被表面图形反射后的特性；一个转台使样品表面转动，使得入射光因转台转动而以不同的角度入射；还包括一个处理器来处理测得的反射光特性，并使之与测得的表面图形相关联。本发明还包括测量具有外形双折射的表面图形的方法。

公开(公告)号：CN101398293A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810084542.6

申请日：1999-12-02

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  O·根兹 ,  U·曼茨

IPC: G01B11/02

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明涉及一种用椭偏法测量临界尺寸的设备，按照本发明测量具有外形双折射的表面图形的设备包括一个光源为带有表面图形的表面提供入射光；一个光探测器用来测量入射光被表面图形反射后的特性；一个转台使样品表面转动，使得入射光因转台转动而以不同的角度入射；还包括一个处理器来处理测得的反射光特性，并使之与测得的表面图形相关联。本发明还包括测量具有外形双折射的表面图形的方法。