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公开(公告)号：CN115941413B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211280553.8
申请日：2022-10-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04L27/26
Abstract: 本发明一种高功率通导融合导航信号生成与接收方法，首先进行通信信息串并转换与导航信息基带扩频；对通信信息与导航信息进行基带调制映射与功率分配；生成保护间隔符号，进行IFFT变换，并串转换与添加循环前缀，完成通导信号OFDM波形调制；经发射通道后通过发射天线进行播发；接收天线接收通导融合导航信号，经接收通道后变为数字采样信号；读取数字采样信号，进行导航信号检测；与接收机粗同步本地参考信号进行相关，实现粗同步，获取导航信号的粗同步时延估计值与粗同步多普勒估计值；解调导航信号，生成接收机精同步本地参考信号，与数字采样信号进行精同步，获取导航信号的精同步时延估计值与精同步多普勒估计值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103986044A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410219958.X
申请日：2014-05-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法，包括内导体的整体化学除油处理；内导体整体蚀刻、表面抛光处理；内导体的表面活化处理；内导体的整体表面滚镀镍、滚镀硬金；将内导体的镀硬金的界面部位安装在模具上，并使得内导体需进行镀软金的微带端部位裸露在电镀工装模具外面；内导体的微带端部位化学除油处理；内导体的微带端部位表面活化处理；内导体微带端部位的挂镀镍、镀软金处理；镀后水洗、烘干处理，然后将内导体从电镀工装模具上取下。利用本发明的方法，使得处理后的内导体具有接触可靠和良好的耐磨性，同时具有优良的可键合性能的特点，使得内导体与其它器件的连接更为可靠。
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公开(公告)号：CN103792127B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410035188.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种LTCC剖面制样的制备方法，由样品固定阶段、试样磨抛阶段和试样腐蚀阶段配合完成产品剖面制样。样品固定阶段将待制样产品放入模具并浇注准备好的固化剂进行固化；试样磨抛阶段将已固化的试样进行切割并对剖面研磨抛光得到初步剖面制样；试样腐蚀阶段是用配置好的腐蚀溶液涂抹抛光后的剖面表面进行腐蚀，然后清洗擦拭腐蚀后的剖面得到最终制样。本发明既解决了离子束切割法成本高周期长的问题又解决了磨抛法破坏剖面延展金属原貌的问题，降低了对剖面制样精度要求很高时的试验成本，同时复杂度并没有增加多少，提高了产品剖面清晰度并可暴露生产工艺缺陷，还原了产品工艺质量。本发明操作简捷，成本低，有很好的工程应用推广价值。
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公开(公告)号：CN103986044B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410219958.X
申请日：2014-05-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法，包括内导体的整体化学除油处理；内导体整体蚀刻、表面抛光处理；内导体的表面活化处理；内导体的整体表面滚镀镍、滚镀硬金；将内导体的镀硬金的界面部位安装在模具上，并使得内导体需进行镀软金的微带端部位裸露在电镀工装模具外面；内导体的微带端部位化学除油处理；内导体的微带端部位表面活化处理；内导体微带端部位的挂镀镍、镀软金处理；镀后水洗、烘干处理，然后将内导体从电镀工装模具上取下。利用本发明的方法，使得处理后的内导体具有接触可靠和良好的耐磨性，同时具有优良的可键合性能的特点，使得内导体与其它器件的连接更为可靠。
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公开(公告)号：CN115941413A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211280553.8
申请日：2022-10-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04L27/26
Abstract: 本发明一种高功率通导融合导航信号生成与接收方法，首先进行通信信息串并转换与导航信息基带扩频；对通信信息与导航信息进行基带调制映射与功率分配；生成保护间隔符号，进行IFFT变换，并串转换与添加循环前缀，完成通导信号OFDM波形调制；经发射通道后通过发射天线进行播发；接收天线接收通导融合导航信号，经接收通道后变为数字采样信号；读取数字采样信号，进行导航信号检测；与接收机粗同步本地参考信号进行相关，实现粗同步，获取导航信号的粗同步时延估计值与粗同步多普勒估计值；解调导航信号，生成接收机精同步本地参考信号，与数字采样信号进行精同步，获取导航信号的精同步时延估计值与精同步多普勒估计值。
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公开(公告)号：CN103792127A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410035188.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种LTCC剖面制样的制备方法，由样品固定阶段、试样磨抛阶段和试样腐蚀阶段配合完成产品剖面制样。样品固定阶段将待制样产品放入模具并浇注准备好的固化剂进行固化；试样磨抛阶段将已固化的试样进行切割并对剖面研磨抛光得到初步剖面制样；试样腐蚀阶段是用配置好的腐蚀溶液涂抹抛光后的剖面表面进行腐蚀，然后清洗擦拭腐蚀后的剖面得到最终制样。本发明既解决了离子束切割法成本高周期长的问题又解决了磨抛法破坏剖面延展金属原貌的问题，降低了对剖面制样精度要求很高时的试验成本，同时复杂度并没有增加多少，提高了产品剖面清晰度并可暴露生产工艺缺陷，还原了产品工艺质量。本发明操作简捷，成本低，有很好的工程应用推广价值。
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