公开(公告)号：CN116403898A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310376595.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 西安空间无线电技术研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 杨士成 ,  苏一洪 ,  王婷婷 ,  林先其 ,  李姗泽 ,  徐美娟 ,  王平 ,  王当坡 ,  贾旭洲 ,  王峰 ,  张婷 ,  任联锋 ,  姜威

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/66 ,  H01Q21/00 ,  H01Q13/02

Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质量；采用激光辅助刻蚀绝缘层介质，相比常规的深硅刻蚀工艺，工艺步骤少、效率高、成本低。

公开(公告)号：CN117352985A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311258418.8

申请日：2023-09-26

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 孙鹏 ,  张亚楠 ,  秦绪嵘 ,  贾旭洲 ,  楚桥 ,  冯晓晶 ,  牛孟影 ,  王当坡 ,  王晓龙 ,  张成果 ,  刘彤

IPC: H01P11/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了一种Ka频段台阶式射频腔的非气密封装方法，包括：S1对微波基板进行预处理；S2将芯片贴装于微波基板的下沉台阶腔中；S3利用键合引线，将芯片的射频和低频输入输出焊盘与下沉台阶腔中的键合焊盘互联；S4将步骤S3所得的芯片与微波基板的组合进行清洗；S5在芯片上方涂覆环氧绝缘胶，对涂覆环氧绝缘胶后的芯片与微波基板的组合进行预热，使预热状态下的环氧绝缘胶对下沉台阶腔中的芯片和键合引线进行包覆；S6使环氧绝缘胶进行固化；S7在固化的环氧绝缘胶上方粘接吸波材料。本发明在微波基板的台阶腔中实现了射频硅芯片组装、保护和电磁屏蔽，工艺操作简单，适合大批量生产。