公开(公告)号：CN115498035A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211174936.7

申请日：2022-09-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘欢 ,  于飞 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  玉虓 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: 一种可重构高迁移率场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底，沟道，栅极绝缘介质层和栅极金属电极；沟道两侧分别为源区和漏区，其中衬底和沟道采用高迁移率沟道材料；源区的远离沟道的一侧依次设有源极可移动离子薄膜层和源极掺杂电极；漏区的远离沟道的一侧依次设有漏极可移动离子薄膜层和漏极掺杂电极；源极可移动离子薄膜层和漏极可移动离子薄膜层内部含有带正电荷的氧空位；源极掺杂电极和漏极掺杂电极施加极性相同的脉冲电压，通过极性的变换，使场效应晶体管具有N沟道和P沟道可重构特性。本发明提升了晶体管性能，降低了工作电压，实现了N沟道和P沟道晶体管可重构功能；同时节省器件资源和面积，提高了集成度。

公开(公告)号：CN116314331A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310178136.0

申请日：2023-02-28

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 黄家豪 ,  金成吉 ,  玉虓 ,  韩根全

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H10B43/30 ,  H10B51/30

Abstract: 一种电荷俘获增强的铁电场效应晶体管，包括硅衬底以及设置在所述硅衬底上的栅极堆栈结构，所述栅极堆栈结构包括依次设置在所述硅衬底上的介质层、栅极、隧穿氧化层、电荷俘获层、阻挡氧化层、铁电薄膜层和沟道层，以及设置在所述沟道层上的金属源极和金属漏极；本发明还提供了所述电荷俘获增强的铁电场效应晶体管的制备工艺，本发明所述电荷俘获增强的铁电场效应晶体管可作为数据存储器件。与现有技术相比，本发明在铁电薄膜层和栅极之间引入一层电荷俘获层，利用电荷在电荷俘获层的俘获和去俘获，使FeFET存储窗口增大。