公开(公告)号：CN116722862A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310660106.3

申请日：2023-06-05

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘欢 ,  李东亚 ,  于飞 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H03K19/20 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明公开了一种NOT/NOR/NAND逻辑门可重构电路、存算一体芯片及设备，包括n沟道可移动离子晶体管和上拉电阻R1；所述上拉电阻R1与n沟道可移动离子晶体管串联且n沟道可移动离子晶体管栅极独立设置；所述n沟道可移动离子晶体管的阈值电压为Vt，代表输入A1；所述n沟道可移动离子晶体管的栅极电压为Vin，代表输入A2；A1和A2为串行输入；上拉电阻R1一端连接可移动离子晶体管的漏极，且漏极电压作为输出Vout，上拉电阻R1的另一端接电源电压Vdd，所述n沟道可移动离子晶体管的源极为端口S，所述n沟道可移动离子晶体管的衬底为端口B；本发明可实现低功耗和高带宽信号传输，具有低制造成本，小电路面积和高带宽互连的优势。

公开(公告)号：CN115498035A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211174936.7

申请日：2022-09-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘欢 ,  于飞 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  玉虓 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: 一种可重构高迁移率场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底，沟道，栅极绝缘介质层和栅极金属电极；沟道两侧分别为源区和漏区，其中衬底和沟道采用高迁移率沟道材料；源区的远离沟道的一侧依次设有源极可移动离子薄膜层和源极掺杂电极；漏区的远离沟道的一侧依次设有漏极可移动离子薄膜层和漏极掺杂电极；源极可移动离子薄膜层和漏极可移动离子薄膜层内部含有带正电荷的氧空位；源极掺杂电极和漏极掺杂电极施加极性相同的脉冲电压，通过极性的变换，使场效应晶体管具有N沟道和P沟道可重构特性。本发明提升了晶体管性能，降低了工作电压，实现了N沟道和P沟道晶体管可重构功能；同时节省器件资源和面积，提高了集成度。