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公开(公告)号：CN119029040A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411115912.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , G01N27/414 , G01N27/00 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种具有倒E型异质栅垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括自下而上设置的漏极接触、漏区及沟道，沟道上设置三个源区，形成倒E型结构，每个源区上设置源极接触，每两个相邻源区之间的沟道上设置栅极介质层，每个栅极介质层上设置水平金属栅，每个水平金属栅两端设置有垂直金属栅，每个垂直金属栅与相邻源区、对应的水平金属栅、沟道及栅极介质层形成L型的用于固定生物分子的纳米空腔；在漏区上通过生长及刻蚀制备沟道、源区及栅极介质层，再通过淀积工艺在栅极介质层上制备水平金属栅和垂直金属栅，最后通过淀积工艺分别在漏区和源区上制备漏极接触和源极接触；提高了导通电流，检测生物分子灵敏，制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN118486732A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410679734.0
申请日：2024-05-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/167 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种基于SiGe材料的SJ‑VDMOS及其制备方法，该集成式器件包括源极，栅绝缘层，半绝缘多晶硅层，栅电极，绝缘体，漏电极，衬底漏区，外延层N型漂移区，外延层P型漂移区，基区，沟道衬底接触，源区。通过在外延层P型漂移区中引入锗硅材料，利用锗原子在硅晶格中产生的内部应力来优化电子的迁移率。使得该场效应管控制电流导通的效率更高能耗更低。由于引入的锗硅扩展了器件的工作温度范围，提高了热导率，可适用于高功率、高温工作环境。本发明的制备工艺由于场效应管引入的锗硅材料可以利用现有的硅基工艺平台制备，硅锗技术与现有的集成电路工艺兼容性良好，在不改变现有生产线的情况下，实现技术的升级和转换。
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公开(公告)号：CN118395214A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410579866.6
申请日：2024-05-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F18/23 , G06F18/22 , G06N3/0442 , G06N3/08 , G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SOM‑SNN和Spiking‑SOM算法的事件流聚类方法，主要解决现有技术难以有效利用事件流中的历史脉冲信息和脉冲达到顺序信息造成的聚类速度慢、聚类效果差的问题。本发明构建的SOM‑SNN网络包含一层记忆层，将事件流中离散的脉冲转换为信息向量并存储，在每个时间窗口不断更新与累加。本发明提出的Spiking‑SOM算法通过空间相似度与分布相似度计算事件流脉冲信息与网络权值之间的相似性，分布相似度利用了事件流中脉冲到达的顺序信息。本发明有效利用了事件流中的历史脉冲信息和脉冲到达的顺序信息，以更快的速度实现了更好的事件流聚类效果。
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公开(公告)号：CN119008701A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411115909.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , G01N27/414 , G01N27/00 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，该生物传感器包括三个PIN结构，三个PIN结构包括一个共用的漏区，漏区的顶部和水平两侧依次均设有沟道和源区；位于漏区顶部的沟道的水平两侧均设有L型纳米生物分子探测腔和栅介质层，纳米生物分子探测腔的水平部分覆盖在位于漏区水平两侧的沟道上，栅介质层覆盖在纳米生物分子探测腔的垂直部分上；纳米生物分子探测腔水平部分的顶部依次覆盖有水平相邻堆叠的第一金属栅和第二金属栅，第一金属栅位于第二金属栅和栅介质层之间；漏区的底部覆盖有漏极，位于漏区上方的源区的顶部覆盖有源极；本发明的生物传感器具有较高的灵敏度，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN118943186A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410738963.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括圆柱型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；沟道靠近源区和漏区的两侧段分别环设有第一低K栅介质层和第二低K栅介质层；第一低K栅介质层和第二低K栅介质层上分别覆盖有第一高K栅介质层和第二高K栅介质层，第一高K栅介质层和第二高K栅介质层上分别覆盖有第一栅金属层和第二栅金属层；与现有技术中的MOSFET器件相比，本发明制备的生物传感器，具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118825072A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410822935.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/10 , G01N27/414
Abstract: 一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道，十字形沟道外侧四个拐角处交叉设有两个源极和两个漏极，十字形沟道的四臂表面均连接有栅极介质层和生物分子探测腔的一面，栅极介质层和生物分子探测腔另一面连接栅极；通过采用双源极和双漏极，源极和漏极内嵌在沟道的四个拐角处，且源极和漏极交叉放置，相比于在源极和漏极在沟道两端的传统结构，本发明增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率，因此增大了漏极电流；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118688281A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738966.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括倒T状的沟道层，沟道层垂直区域顶端设置有源极，源极与沟道层接触处为插指结构，沟道层的水平区域两端均设置有漏极，沟道层的垂直区域两侧及水平区域顶面均布设有栅极介质层，栅极介质层上布设有第一栅极，第一栅极的顶端设置有第二栅极，第二栅极与沟道层及源极形成生物分子探测腔；制备方法：刻蚀沟道层形成倒T状，在其水平区域两端进行离子注入，经过多次淀积刻蚀，得到顶端为手指状的垂直区域，并嵌入锑化镓，将氧化铪沉积，第一、二栅极的金属材料沉积到氧化铪上，进行抛光，对氧化铪进行干法刻蚀，得到最终的结构；具有功耗小、识别时间短及灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN119730541A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411903025.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H10K10/46
Abstract: 一种具有凹形沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括凹形沟道，所述凹形沟道的一侧连接有源极，另一侧连接有漏极，凹形沟道的内面和底面分别设有栅极介质层，栅极介质层近源极一侧设有生物分子探测腔6，栅极介质层及生物分子探测腔的表面设有栅极金属；本发明通过采用凹形沟道，源极和漏极相对设置在凹形沟道的两侧，增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率；减少了器件性能随掺杂波动，提高了生物传感器电流开关比和提高场效应晶体管检测生物分子的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119029039A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411115910.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , G01N27/414
Abstract: 一种带有P型缓冲层和掩埋沟道区的III‑V族垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括自下而上设置的衬底、漏区、缓冲层、沟道、源区和源极，漏区内嵌在沟道中形成掩埋结构，沟道底端两侧均设置有栅极氧化层，栅极氧化层远离沟道一侧设置有辅助金属栅，辅助金属栅上表面堆叠设置有隧穿金属栅，隧穿金属栅、辅助金属栅、栅极氧化层和沟道形成生物分子空腔，衬底的上表面两端还分别设置有漏极；通过外延生长技术在衬底上逐渐生成漏区、缓冲层、沟道和源区，随后利用ALD和刻蚀工艺生成栅极氧化层和生物分子空腔，最后利用沉积技术分别在对应区域表面生成隧穿金属栅、辅助金属栅、源极和漏极；具有较高传感能力及灵敏度，且功耗低。
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公开(公告)号：CN118825071A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410822934.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/10 , G01N27/414
Abstract: 一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括哑铃状沟道，哑铃状沟道中间凹陷处一侧设有源极，另一侧设有漏极，哑铃状沟道外侧凸起处分别对称设有栅极介质层，栅极介质层靠近源极的一侧设有生物分子探测腔，栅极介质层和生物分子探测腔外侧面设有栅极；本发明通过采用哑铃状沟道，源极和漏极放置在沟道的左上和右下两个对角处，增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率；并且源极和沟道的接触面与漏极和沟道形成的沟道面呈一定角度，利于载流子的运动，因此总上来说，增大了漏极电流，而且在灵敏度方面也展现出了显著优势，为生物传感领域带来了新的技术突破和应用前景。
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