公开(公告)号：CN118486732A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410679734.0

申请日：2024-05-29

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 曹震 ,  彭乔巍 ,  杨世卿 ,  郭磊 ,  侯彪 ,  焦李成 ,  杨银堂

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种基于SiGe材料的SJ‑VDMOS及其制备方法，该集成式器件包括源极，栅绝缘层，半绝缘多晶硅层，栅电极，绝缘体，漏电极，衬底漏区，外延层N型漂移区，外延层P型漂移区，基区，沟道衬底接触，源区。通过在外延层P型漂移区中引入锗硅材料，利用锗原子在硅晶格中产生的内部应力来优化电子的迁移率。使得该场效应管控制电流导通的效率更高能耗更低。由于引入的锗硅扩展了器件的工作温度范围，提高了热导率，可适用于高功率、高温工作环境。本发明的制备工艺由于场效应管引入的锗硅材料可以利用现有的硅基工艺平台制备，硅锗技术与现有的集成电路工艺兼容性良好，在不改变现有生产线的情况下，实现技术的升级和转换。