公开(公告)号：CN114363747A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210020039.4

申请日：2022-01-10

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  姚丹阳 ,  刘艳 ,  蒋智

IPC: H04R1/08 ,  H04R7/02 ,  H04R17/02

Abstract: 本发明公开一种三棱柱衬底及压电振膜部分悬浮设置的压电麦克风，包括置于衬底上表面的绝缘支撑层、分别置于绝缘支撑层两侧的第一、第二压电振膜。衬底采用长方体或者相距一定距离且两底面上有两边相等的三棱柱体形状相同的立体结构。所述两个结构相同的衬底均为每个压电振膜以极少部分设置在绝缘支撑层上，其余部分悬浮设置。本发明解决了现有技术中存在空腔大小不足、麦克风灵敏度不高、实现声源识别能力需采用大面积压电振膜但声源识别能力不高的问题，使得本发明具有更小的面积与更好的声源识别能力的优点。本发明在实际应用于系统芯片中时，不仅占用面积小同时具有更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN114363747B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202210020039.4

申请日：2022-01-10

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  姚丹阳 ,  刘艳 ,  蒋智

IPC: H04R1/08 ,  H04R7/02 ,  H04R17/02

Abstract: 本发明公开一种三棱柱衬底及压电振膜部分悬浮设置的压电麦克风，包括置于衬底上表面的绝缘支撑层、分别置于绝缘支撑层两侧的第一、第二压电振膜。衬底采用长方体或者相距一定距离且两底面上有两边相等的三棱柱体形状相同的立体结构。所述两个结构相同的衬底均为每个压电振膜以极少部分设置在绝缘支撑层上，其余部分悬浮设置。本发明解决了现有技术中存在空腔大小不足、麦克风灵敏度不高、实现声源识别能力需采用大面积压电振膜但声源识别能力不高的问题，使得本发明具有更小的面积与更好的声源识别能力的优点。本发明在实际应用于系统芯片中时，不仅占用面积小同时具有更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN108447902A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810051354.7

申请日：2018-01-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  赵小龙 ,  庄奕琪 ,  闫志蕊 ,  郭嘉敏 ,  王萍 ,  蒋智

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种能够抑制双极效应的隧穿场效应晶体管，主要解决普通L型TFET器件双极效应严重的问题。其包括，衬底(1)和位于衬底顶层的导电层(2)，衬底上设有源区(3)、栅区(4)、漏区(5)，该漏区(5)的左侧设有轻掺杂漏区(6)，形成反向隧穿发生的缓冲区，该轻掺杂漏区(6)与栅区(4)的横向之间设有间距s。本发明通过在普通L型TFET器件的漏区添加轻掺杂漏和加入的栅漏间距s，减小了漏端载流子的反向隧穿几率，抑制了隧穿场效应晶体管的双极效应，提高了器件的应用价值，可用于制作超大规模半导体集成电路。