公开(公告)号：CN220065703U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202321399381.6

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  张婕 ,  翟荔丽 ,  李秋爽 ,  刘通 ,  程智博 ,  张远航 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种增强型氧化镓晶体管，包括：衬底以及设置于衬底上的氧化镓外延层；氧化镓外延层的一端设置有电极生长台阶，电极生长台阶贯穿氧化镓外延层；源电极，设置于电极生长台阶上，并延伸至氧化镓外延层外；漏电极，设置于氧化镓外延层上；栅介质层，设置于氧化镓外延层的栅极位置区域；栅介质层位于源电极和漏电极之间；栅电极，设置于栅介质层上。本实用新型中的器件，具有常关特性，且结构简单，成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN220065702U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202321397977.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  程智博 ,  刘通 ,  张婕 ,  李秋爽 ,  翟荔丽 ,  张远航 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种增强型HEMT器件，包括：衬底以及依次设置于衬底上的沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；P型栅介质层，设置于势垒层上的栅极位置区域，且P型栅介质层的两端均具有第一离子注入区，第一离子注入区贯穿P型栅介质层；栅电极，设置于P型栅介质层上；源电极和漏电极，分别设置于栅电极的两侧，并贯穿势垒层以及部分沟道层。本实用新型中的器件，P型栅介质层做了高阻侧墙处理，阻断了栅极介质漏电路径，具有较高的击穿电压和阈值电压稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN219286419U

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202223269316.X

申请日：2022-12-06

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  李秋爽 ,  翟荔丽 ,  张婕 ,  刘通 ,  程智博 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本实用新型公开了一种Ga2O3MIS隧穿二极管器件。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件包括自下而上依次设置的阴极、β‑Ga2O3衬底层、β‑Ga2O3漂移层、介质层和阳极；其中，介质层位于阳极与β‑Ga2O3漂移层之间；β‑Ga2O3衬底层和β‑Ga2O3漂移层均为Si或Sn掺杂的β‑Ga2O3材料，且β‑Ga2O3漂移层的掺杂浓度低于β‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件在正向电流几乎保持不变、正向开启电压几乎保持不变的情况下，有效降低了反向漏电。

公开(公告)号：CN220233200U

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202321786064.X

申请日：2023-07-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李祥东 ,  刘通 ,  张婕 ,  李秋爽 ,  翟荔丽 ,  程智博 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205

Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓外延结构，包括：多晶AlN衬底；多晶AlN成核层，设置于多晶AlN衬底上；AlN外延层，设置于多晶AlN成核层上；至少一层氮化镓外延层，设置于AlN外延层上。本实用新型中的器件，通过多晶AlN衬底及其上的多晶AlN成核层和AlN外延层，为至少一层氮化镓外延层提供了低失配的外延基底，且能够有效释放氮化镓外延层和其之间的失配应力，提高了氮化镓外延结构整体的良率，降低了生产成本。