基于轨迹泊松多伯努利滤波的机动目标跟踪方法

    公开(公告)号:CN117849781A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410031528.9

    申请日:2024-01-09

    Abstract: 本发明公开一种基于轨迹泊松多伯努利滤波的机动目标跟踪方法,通过融合交互多模型和轨迹泊松多伯努利滤波方法,实现对机动目标轨迹的精准跟踪。使得本发明填补了目前机动目标跟踪领域的技术空白,为实现更为精确、实时的目标跟踪提供一种有效的解决方案。本发明采用了泊松多伯努利近似思想PMB,将滤波更新结束后的泊松多伯努利混合分量利用KL散度得到泊松多伯努利分量,克服了现有技术中在跟踪过程中由于泊松多伯努利混合分量数量太多而导致的计算复杂的问题,使得本发明在降低算法复杂度,提高滤波效率,提升了滤波实时性。

    基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法

    公开(公告)号:CN101901761A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010209568.6

    申请日:2010-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于γ面LiAlO2衬底的非极性m面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规非极性m面GaN材料质量较差的问题。其工艺步骤是:(1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中,对衬底进行热处理;(2)在γ面LiAlO2衬底上生长厚度为30-100nm,温度为500-600℃的低温AlN成核层;(3)在所述低温AlN成核层之上生长厚度为60-200nm,温度为900-1050℃的高温AlN层;(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为1000-5000nm,温度为900-1050℃的m面GaN缓冲层;(5)将经过上述生长过程后的衬底基片从反应室取出,在熔融KOH溶液中进行1-5分钟腐蚀,形成横向外延区;(6)将经过腐蚀的基片置于MOCVD反应室中,二次生长厚度为2000-5000nm,温度为1000-1100℃的非极性m面GaN外延层。本发明具有低缺陷、表面平整的优点,可用于制作m面GaN基发光二极管。

    高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法

    公开(公告)号:CN107370705A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710494935.3

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法,主要解决现有技术捕获时间和采样频率过高的问题。其实现方案是:在接收端先将接收到的信号依次进行滤波、下变频和数字采样,得到基带复信号并对其进行频差补偿;再分别对补偿后信号和本地CA码调制信号进行FFT运算,并留下计算后的前1/4个数据,将余下的3/4个数据设置为零,得到两组采样序列;接着将两组采样序列共轭相乘,将结果进行IFFT运算得到相关函数;最后对相关函数进行积累和平方,得到判决量,若判决量出现明显峰值,判定捕获成功,反之不成功。本发明无需使用过高的采样频率,提高了捕获时间,降低了复杂度,可用于CPM信号捕获系统和卫星通信中。

    基于a面6H-SiC衬底上非极性a面GaN的MOCVD生长方法

    公开(公告)号:CN101901757B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN201010209324.8

    申请日:2010-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法,主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是:(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合气体,对衬底进行热处理;(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm,温度为600-800℃的无应力AlInN成核层;(3)在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm,镓源流量为5-100μmol/min,氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层;(4)在所述非极性a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm,温度为600-800℃的无应力AlInN插入层;(5)在所述无应力AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm,镓源流量为50-200μmol/min,氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。本发明的a面GaN薄膜具有低缺陷的优点,用于制作非极性a面GaN发光二极管。

    基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法

    公开(公告)号:CN101901760A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010209567.1

    申请日:2010-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是:(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中,对衬底进行热处理;(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm,温度为700℃的低温无应力AlInN层;(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm,温度为950-1100℃的高温GaN层;(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层;(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm,温度为950-1100℃的极性c面GaN层;(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层;(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm,温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单,低缺陷的优点,可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。

    高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法

    公开(公告)号:CN107370705B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201710494935.3

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法,主要解决现有技术捕获时间和采样频率过高的问题。其实现方案是:在接收端先将接收到的信号依次进行滤波、下变频和数字采样,得到基带复信号并对其进行频差补偿;再分别对补偿后信号和本地CA码调制信号进行FFT运算,并留下计算后的前1/4个数据,将余下的3/4个数据设置为零,得到两组采样序列;接着将两组采样序列共轭相乘,将结果进行IFFT运算得到相关函数;最后对相关函数进行积累和平方,得到判决量,若判决量出现明显峰值,判定捕获成功,反之不成功。本发明无需使用过高的采样频率,提高了捕获时间,降低了复杂度,可用于CPM信号捕获系统和卫星通信中。

    适合高通量卫星的级联调制滤波器组信道化器设计方法

    公开(公告)号:CN111262555B

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202010158940.9

    申请日:2020-03-09

    Abstract: 本发明属于卫星通信技术领域,公开了一种适合高通量卫星的级联调制滤波器组信道化器设计方法,通过级联调制滤波器组实现信号分离;通过信号交换模块完成信号交换;再通过级联调制滤波器组实现信号重构,信号采样率归一化频率为2π且信道化器的最小子信道带宽为2π/M,M为整数,一般为2的幂次方。本发明采用的级联调制滤波器组,是对调制滤波器组的一种改进,保证滤波器组重构性能满足卫星通信要求的前提下,略微增加复杂度,通过设计低阶的原型滤波器来实现滤波器组,以完成对信号分离和重构,降低高精度高重构性能滤波器组的设计难度。此外,在硬件实现时基于级联调制滤波器组

    基于用户社交网络和产品相似度的推荐方法

    公开(公告)号:CN113220866A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110468866.5

    申请日:2021-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于用户社交网络和产品相似度的推荐方法,包括:初始化用户特征向量和产品特征向量;构建用户‑用户社交关系图、用户‑产品交互图和产品知识图谱;通过用户‑产品交互图和用户‑用户社交关系图分别得到两个用户特征向量,比较两个用户特征向量,通过预设的第一相似度阈值指导用户特征向量迭代更新,得到优化的用户特征向量;相似地,通过用户‑产品交互图和产品知识图谱指导产品特征向量迭代更新,得到优化的产品特征向量;根据优化的用户特征向量和优化的产品特征向量,进行用户的偏好预测,得到推荐结果。本发明的方法可以得到更完备、更能表征用户产品关系的用户特征向量和产品特征向量,以实现精准的推荐。

    适合高阶4096-QAM的载波恢复系统和方法

    公开(公告)号:CN108270715A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711389604.X

    申请日:2017-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种适合高阶4096-QAM的载波恢复系统和方法,解决了微波通信中高阶4096-QAM信号载波恢复硬件实现复杂度高的技术问题,本发明的系统中包括有含有简化极性判决鉴相器的鉴相器、环路滤波器和数控振荡器模块;本发明方法包括开环和闭环工作模式,开环工作模式下初始频偏估计对码元信号相位进行补偿,闭环工作模式下设置有粗略和精确相位补偿过程,开环状态和闭环状态的粗略相位补偿过程均利用简化极性判决鉴相器进行相位误差估计,仅利用功率较大的码元信号对相位误差进行估计,用一常数对码元信号进行模值归一化。本发明硬件实现复杂度低,收敛速度略快,易于工程化实现。用于4096-QAM微波通信中。

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