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公开(公告)号：CN110224047A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910465077.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1-mN/AlnSc1-nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN109037411A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810846620.5
申请日：2018-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、InxGa1‑xN/GaN量子阱层(5)和p型GaN层(6)，其中n型GaN层(4)通过离子注入的方式进行掺杂，注入有剂量为1×1015‑1017cm‑2、能量为100keV的Sn离子。本发明提高了光电转换结构对光的吸收率，进而提高了其效率，可用来制作高效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN108899403A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810801746.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱、AlzGa1-zN电子阻挡层、p型层，其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，即ScAlN和AlGaN交替生长，每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期，共生长10-30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率，提高了发光二极管的发光效率，可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN108520899A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810583485.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/205 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/205 , H01L29/66212
Abstract: 本发明公开了一种渐变Al组分AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底、重掺杂n型非极性GaN外延层和轻掺杂n型AlGaN层，且重掺杂n型非极性GaN外延层上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极，轻掺杂n型渐变Al组分AlGaN层上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极，其特征在于，轻掺杂n型AlGaN层中的Al组分是由下到上从0.01至1非线性变化。本发明提高了肖特基二极管异质结处二维电子气的浓度，从而提高了器件的速度，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波二极管。
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公开(公告)号：CN109004055A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810844475.7
申请日：2018-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构中的氮化物材料自发极化电场的方向与光照产生的电场相反，导致光电转换结构效率不高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i-GaN层(3)、n型GaN层(4)、i-InxGa1-xN层(5)和p型GaN层(6)，其中除衬底以外的各层均采用N极性氮化物材料，即材料的最表层中心原子为N原子。本发明的光电转换结构中由于氮化物材料自发极化产生的电场与光照产生的电场方向相同，起到了对光照产生电场的促进作用，提高了光电转换效率，可用于制作高效率的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224047B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910465077.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN111816739A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010826165.X
申请日：2020-08-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN109713060A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910048503.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构对光的吸收率低，导致制作太阳能电池时效率不高的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、GaN段落生长层(3)、n型GaN层(4)、InxGa1-xN层(5)和p型GaN层(6)，其中GaN段落生长层(3)是由多段厚度相同的GaN自下而上堆叠而成，其总厚度为2-3μm，段落数为2到4段。本发明的光电转换结构中由于采用GaN段落生长层代替传统结构中的未掺杂GaN层，提高了整体材料质量和对光的吸收效率，可用于制作高效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109545929A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811328564.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于物理打磨粗化ITO层的GaN高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有ITO粗化过程工艺复杂且发光效率低的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1-xN/GaN多量子阱层(4)、AlzGa1-zN电子阻挡层(5)、p型GaN层(6)、打磨粗化的氧化铟锡ITO层(7)和电极(8)，该打磨粗化的方式是采用金刚石砂纸打磨，打磨粗化后的表面粗糙度为10-100nm。本发明简化了ITO层粗化工艺，提高了发光二极管的效率，可用于照明、生物、医疗、防伪鉴定、净化和数据存储。
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公开(公告)号：CN108899403B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810801746.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型层，其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，即ScAlN和AlGaN交替生长，每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期，共生长10‑30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率，提高了发光二极管的发光效率，可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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