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公开(公告)号：CN104168710B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410428545.2
申请日：2014-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明涉及电磁兼容领域，特别是涉及一种抑制同步开关噪声的超带宽电磁带隙结构。本发明采用谐振型EBG结构，其周期单元本身具有谐振效果，在带隙中形成中起主要作用；谐振型EBG结构相当于一个谐振效应比较强的LC并联电路。由于EBG单元在谐振状态下电抗为无穷大，因此，可以防止在谐振频率附近的电磁波传播，形成特定频率带隙。本发明采用现有常规印刷电路板制造工艺，易于实现，效益高。
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公开(公告)号：CN103687281A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310641319.8
申请日：2013-12-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明应用于印制电路板领域，特别是涉及一种应用于印制电路板电源平面的宽带电磁带隙结构；它至少包括非导电基板，非导电基板上下面覆有金属板，金属板被腐蚀成间隔分布的电磁带隙单元。电磁带隙结构单位晶格中金属贴片上蚀刻缝隙。电磁带隙结构单位晶格中金属贴片四周开槽。这种结构有更宽的相对带宽和更低的截止频率，基本覆盖同步开关噪声的噪声频带，可以全向消除位于电源平面与地平面之间的同步开关噪声。本发明采用现有常规印刷电路板制造工艺，易于实现，效益高。
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公开(公告)号：CN116346440A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310220268.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L9/40 , H04L67/562 , H04L9/32
Abstract: 一种基于MQTT协议的分布式认证及共享动态密钥方法、系统、设备及介质，方法为：设备信息初始化；将获取的认证凭证填充到CONNECT协议帧里并连接到Broker；Broker收到连接请求后向同组设备请求决策；同组设备参与认证决策并发送结果给Broker；Broker根据获取的回复信息做出最终决策；设备端加解密消息；系统、设备及介质，用于实现一种基于MQTT协议的分布式认证及共享动态密钥方法；本发明取消传统的中心授权实体，将策略信息及决策功能分布到多个点上，实现系统的负载均衡以及抗攻击性，取消Broker解密消息的能力，利用设备分组的技术实现一种多设备共享会话密钥的状态；在保持轻量性的前提下为MQTT协议扩展了一种分布式认证机制及动态加密方案，极大保护了网络安全性和用户隐私。
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公开(公告)号：CN115828590A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211536446.7
申请日：2022-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种处理器辐照效应模型建模与仿真系统构建方法，先选择或设计处理器，获取处理器指令集数据与架构数据；再根据处理器指令集数据与架构数据提取处理器内核数据，根据处理器内核数据建立处理器内核模型；然后根据处理器指令集数据与架构数据提取处理器外设数据，根据处理器外设数据建立处理器外设模型；再实现处理器内核模型与外设模型时间同步与数据传输功能，完成处理器常态模型建模与仿真系统构建；然后根据辐照效应引发的故障处理器类型，修改处理器内核模型与处理器外设模型；最后根据辐照效应故障发生位置与概率函数，建立处理器辐照效应模型；本发明反应处理器的行为特性，简化模型复杂度，实现模拟辐照效应带来的处理器器件退化的功能。
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公开(公告)号：CN104571506A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410826494.9
申请日：2014-12-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F3/01 , G06F3/0346 , G06F3/0482 , G04G21/00
CPC classification number: G06F3/014 , G04G21/00 , G06F3/0346 , G06F3/0482
Abstract: 本发明公开了一种基于动作识别的智能手表及动作识别方法，包括电路控制单元和表壳载体，其电路控制单元包括动作传感器群组、中央处理系统、命令执行模组和显示屏幕，使用者可以通过人体前臂动作对该设备进行操作。本发明还涉及一种基于以上设备的操作方法，包括的步骤如下：设定可识别的手势动作命令；使用者作出特定前臂手势动作；动作传感器群组采集上述动作的信息；中央处理系统对其进行处理，解析出使用者的操作手势；对于复杂动作进行操作确认；命令执行模组执行相应的功能操作，在显示屏幕上显示执行结果，降低了人机交互的误操作率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118862784A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410836728.1
申请日：2024-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F30/394
Abstract: 本发明属于三维集成电路技术领域，公开了一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质，方法根据硅通孔结构建立总剂量等效电路拓扑结构；确定总剂量效应等效电路中寄生电参数计算方程；计算电参数在常态条件下的值，并对比仿真计算得到的S参数与实际测量的S参数，验证总剂量效应等效电路模型；优化设计，提取不同辐射剂量条件下等效电路中的电参数；提取电参数随辐射剂量变化曲线；拟合材料属性随辐射剂量变化的方程；预测任意辐射剂量点硅通孔链路的S参数；设备及介质用于实现一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法；本发明评估因素全面，能更贴合实际辐照情况，更精确模拟实际辐射情况下硅通孔链路性能。
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公开(公告)号：CN116362173A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310332208.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种微处理器总剂量效应和瞬时剂量率效应的建模仿真方法，主要解决现有技术微处理器物理模型复杂度高，仿真效率低的问题。其实现方案是：根据IBIS模型测量原理和微处理器的内部电路结构，设计微处理器的IBIS模型测量板；利用测量电路板测得微处理器IBIS模型数据，并建立微处理器总剂量效应FuncIBS模型；对该微处理器总剂量效应模型FuncIBS进行仿真；通过剂量率实验获取微处理器光电流数据，建立微处理器瞬时剂量率效应模型；对该微处理器瞬时剂量率效应模型进行仿真。本发明建立的模型既能反映微处理器数字器件的逻辑功能，又能为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持，可用于数字器件辐照效应仿真模型系统。
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公开(公告)号：CN116306441A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310229376.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了基于测量系统的数字集成电路辐射效应模型构建方法，主要解决现有数字集成电路辐射效应建模时间开销大，资源耗费高的问题。其实现方案为：选择数字化测量设备，在其上搭建测量系统；选择辐照后的数字器件作为原始器件，确定其缓冲器接口类型；用可控电压源分别测量输入缓冲区电源钳位二极管和地钳位二极管的电压‑电流特性曲线；用可控电压源分别测量输出缓冲区上拉管和下拉管的电压‑电流特性曲线；用示波器分别测量输出端的上升沿电压‑时间波形和下降沿电压‑时间波形；获取IBIS模型其他数据，用测量所得特性曲线、波形和数据构成数字集成电路辐射效应模型。本发明时间开销小，资源耗费低，可用于对数字集成电路辐射效应仿真。
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公开(公告)号：CN113341761A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110554445.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模型。本发明建立的模型既能反映CMOS数字器件的逻辑功能，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
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公开(公告)号：CN113341761B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110554445.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模型。本发明建立的模型既能反映CMOS数字器件的逻辑功能，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。
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