公开(公告)号：CN118862784A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410836728.1

申请日：2024-06-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘锦辉 ,  梁博 ,  吴耔言 ,  王思齐 ,  祝炜 ,  刘刚 ,  王泉

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F30/394

Abstract: 本发明属于三维集成电路技术领域，公开了一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质，方法根据硅通孔结构建立总剂量等效电路拓扑结构；确定总剂量效应等效电路中寄生电参数计算方程；计算电参数在常态条件下的值，并对比仿真计算得到的S参数与实际测量的S参数，验证总剂量效应等效电路模型；优化设计，提取不同辐射剂量条件下等效电路中的电参数；提取电参数随辐射剂量变化曲线；拟合材料属性随辐射剂量变化的方程；预测任意辐射剂量点硅通孔链路的S参数；设备及介质用于实现一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法；本发明评估因素全面，能更贴合实际辐照情况，更精确模拟实际辐射情况下硅通孔链路性能。