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公开(公告)号：CN116705798A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310766136.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明涉及一种集成CMOS器件结构及制作方法，该结构包括：第一器件、第二器件、电学隔离层、第一连接金属和第二连接金属；电学隔离层覆盖第一器件的源极、漏极和栅极的表面；第二器件倒装键合在电学隔离层上；第一连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的栅极和第二器件的栅极连接；第二连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的漏极和第二器件的漏极连接；第一器件的源极从第一器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极、漏极和栅极均从第二器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极用于连接电源端，栅极用于作为输入端，漏极用于作为输出端。本发明实现了在单一衬底上同时具有高的电子和空穴运动速度，同时节省了芯片面积。
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公开(公告)号：CN116169168A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211709825.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种低射频耗散的N面HEMT器件，包括：外延基片，其自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlxGa1‑xN渐变势垒层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN沟道层；钝化层，设置在GaN沟道层上方；源电极和漏电极，分别设置在外延基片两端AlGaN势垒层的上方；栅电极，设置在钝化层上；其中，AlxGa1‑xN渐变势垒层与GaN缓冲层的界面处进行了δ‑掺杂。本发明一方面在靠近NPI处的渐变势垒层中进行了δ‑掺杂，提高了在NPI处电离后带正电的Si离子数量，进一步补偿了极化负电荷；另一方面在渐变势垒层与势垒层中间引入了AlN插入层，不仅可以使价带远离费米能级，还可以削弱势垒层与渐变势垒层中的极化电场，从而减小价带向费米能级的靠近速度，实现价带的远离，改善NPI处的射频耗散。
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公开(公告)号：CN108282707B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201711403486.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04Q11/00 , H04L12/801 , H04L12/741 , H04L12/721
Abstract: 本发明公开了一种光电路交换条件下的光片上网络路径计算方法，用于解决现有方法中无法感知网络流量及时延状况，以及网络时延高和吞吐低的问题。实现步骤为：初始化候选输出端口集合avail_port；判断集合中候选端口数量及空闲状态；当两候选端口均被占用，计算该两端口处理时延预测值TP1、TP2和拥塞差值率k；根据k与拥塞差值率门限值K的大小比较选择输出端口；当两候选端口仅一个空闲，选定该空闲端口为输出端口；当两端口均空闲，根据上一跳传输方向选择输出端口；当仅有一端口，定其为输出端口。本发明采用拥塞预测，使建链分组在选择路径时考虑网络流量、拥塞，以路径转弯次数降低通信损耗，可用于实现拥塞感知，降低网络时延，提高通信可靠性和吞吐。
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公开(公告)号：CN106407154B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510484353.8
申请日：2015-08-03
IPC: G06F15/173 , H04B10/27
Abstract: 本申请提供了一种片上光网络拓扑及数据传输方法，能够简化片上光网络结构的同时又提高了网络资源利用率。n*m个节点，且所述n*m个节点以n行m列部署在所述片上光网络上，所述n为大于等于1的整数，所述m为大于等于1的整数；n个第一方向总线，每个所述第一方向总线通过微环谐振器连接m个所述节点，所述m个所述节点处于同一行，所述n个第一方向总线之间相互平行；m个第二方向总线，每个所述第二方向总线通过宽带微环谐振器和窄带微环谐振器连接n个所述节点，所述n个所述节点处于同一列，所述m个第二方向总线之间相互平行。用于传输数据。
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公开(公告)号：CN108491768A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810185013.9
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于数据识别及数据表示技术领域，公开了一种角膜反射人脸认证抗欺诈攻击方法、人脸特征认证系统，选择满足特定要求的图片作为挑战，利用电子屏幕等显示设备将挑战内容告知用户，用户在进行正常人脸认证操作时，挑战图片通过光学反射自动在人眼角膜上成像，该像即为用户响应内容，照相设备采集包含人眼的人脸照片进行认证，服务器通过判断人脸以及人眼响应对用户进行认证。本发明在抵御最常见的照片视频欺诈攻击的同时，相比其他挑战应答方法，不会对用户造成正常人脸认证操作之外的任何负担，且所需要的电子屏幕及摄像头在各类消费电子设备上都十分常见，同时由于服务器只需单张图片就可完成认证，通信和计算负担均低于已有方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105451103A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510732390.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04Q11/00 , H04L12/801 , H04L12/933
CPC classification number: H04Q11/0005 , H04L47/10 , H04L49/109 , H04Q11/0062 , H04Q2011/0032 , H04Q2011/0075
Abstract: 一种基于波长分配的三维光片上网络路由器通信系统及方法，通信系统采用光电混合的3D Mesh的网络拓扑结构以及可实现多波长通信的新型七端口无阻塞光路由器，应用于三维光片上网络中时不需转换波长。采用的光路由器减少了微环谐振器、波导等光器件的使用数量。通信方法使每一层的节点发出光信号时采用的波长相同，任意层可接收所有波长的光信号，克服了现有光片上网络架构采用单一波长通信，网络阻塞较大、链路利用率较低、扩展性受限的问题。本发明能够降低网络阻塞概率，降低通信时延，提高吞吐量和网络饱和点。
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公开(公告)号：CN116314314A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310166778.9
申请日：2023-02-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法，该器件包括外延基片、n+GaN外延层、源极、漏极、金属互联层、栅极、栅桥和栅介质层，外延基片自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN帽层和GaN帽层，n+GaN外延层包括分布在外延基片内部两侧的第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层，源极和漏极分别位于第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层的上表面，栅极中的多个侧栅间隔设置在第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层之间靠近中心的位置，栅桥在栅极的上表面，金属互联层位于源极、漏极和栅极的上表面，栅介质层覆盖在金属互联层外围下方的器件的上表面。本发明能够改善N面HEMT器件中射频耗散严重的问题以及降低了寄生通道对沟道层通道开关的影响。
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公开(公告)号：CN111475461A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010262096.4
申请日：2020-04-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向AI应用的片上网络映射方法，主要解决现有技术资源利用和运算速率低的问题。其方案是：获取芯片内物理网络信息及片上网络搭载的神经网络应用处理信息；根据物理网络及应用信息对片上网络内的计算单元进行映射；片上网络将卷积权值发送到乘法单元；计算当前卷积窗口对应的卷积结果；判断是否完成神经网络应用中所有卷积层的计算；判断是否完成当前卷积层的所有卷积计算；判断是否完成当前卷积窗口对应的所有卷积计算；判断片上网络外的第四个加法器是否完成累加运算，结束映射。本发明提升了处理资源利用率，减少了从片外存储提取数据次数，提高了神经网络应用的运算效率，可用于面向人工智能AI应用片上的资源处理。
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公开(公告)号：CN118116804A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311694616.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于极化调控台面隔离结构的氮化镓器件及制作方法，制作方法包括：自下而上生长衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层；刻蚀去除SiN钝化层直至GaN缓冲层内形成台面隔离区；在台面隔离区的GaN缓冲层上生长极化调控材料，及在SiN钝化层上生长极化调控材料；刻蚀去除极化调控材料直至AlGaN势垒层形成欧姆接触区；在欧姆接触区的AlGaN势垒层上沉积欧姆金属并退火形成源、漏电极；刻蚀去除极化调控材料直至AlGaN势垒层表面形成栅槽；在栅槽内，及第二器件结构的SiN钝化层上沉积栅金属形成T型栅电极。本发明降低了隔离泄漏电流。
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公开(公告)号：CN117596236A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311667085.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于WebSocket的CTF平台动态容器流量穿透方法，使用WebSocket技术进行TCP流量转发，配合一个在用户端使用的连接器与CTF平台对TCP流量负载进行透传，并利用WebSocket在应用层的优势来实现HTTPS加密和CDN防护。本发明在WebSocket流量路由中精细控制了每一条WebSocket连接能够访问的内网目标IP地址与端口，用户只能通过申请得到的WebSocket连接进行内网穿透连接，并访问到特定地址的一个端口，在用户端无法直接向未授权的地址进行穿透，由此保证了比赛进程中选手的做题环境不受外界因素干扰，本发明的方法可以应用在单一的设备上，降低了选手使用与平台运维的成本。
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