公开(公告)号：CN118829330A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410859404.X

申请日：2024-06-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 雷毅敏 ,  康礼倩 ,  魏宇翔 ,  孙雅楠 ,  徐佳响 ,  马晓华

IPC: H10K71/12 ,  C01B32/172 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  H10K85/20

Abstract: 一种基于介电电泳法的单手性碳纳米管阵列薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括：制备高纯度单手性碳纳米管溶液；制备电泳电极结构，电泳电极结构包括基底，基底上刻蚀有若干电泳电极，相邻电泳电极之间刻蚀有若干器件；将正弦电压源连接到电泳电极上，将高纯度单手性碳纳米管溶液滴加在电泳电极之间的缝隙里进行电泳，使单手性碳纳米管在器件的沟道中呈阵列排布；电泳结束后，清洗并干燥基底表面，得到分布于电泳电极结构器件沟道中的单手性碳纳米管阵列薄膜；制备的单手性碳纳米管阵列薄膜能够应用于电子、光电和能源领域，可制备射频器件、光电器件以及储能器件；本发明提高碳纳米管阵列薄膜的制备效率和可控性，具有原材料使用率高、操作简单的特点。

公开(公告)号：CN117119854A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310874558.1

申请日：2023-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  雷毅敏 ,  祝杰杰 ,  张鹏 ,  魏宇翔 ,  康礼倩 ,  孙雅楠 ,  周雪皎 ,  林诚

IPC: H10K71/00 ,  H10K10/46 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备基于准阵列半导体性碳纳米管的射频场效应晶体管方法，主要解决现有方法制备的碳基射频场效应晶体管性能差的问题。其实现方案是：取碳纳米管、共轭聚合物，溶解于有机溶剂中，经离心后获得s‑SWCNTs溶液；选取基片并经一次光刻后蒸发源漏电极；将基片电极与函数发生器连接，放入s‑SWCNTs溶液中，通电进行电泳实现碳管在沟道处的阵列排布；在阵列碳管的表面利用ALD生长介质层，对介质层表面进行二次光刻以保护沟道进行刻蚀；对刻蚀后的基片进行三次光刻以蒸发栅极金属，得到基于准阵列半导体性碳纳米管的射频场效应晶体管。本发明能高效地实现沟道准阵列排布的碳管薄膜，减少碳管结，提高器件的射频性能。

公开(公告)号：CN116705798A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310766136.2

申请日：2023-06-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 祝杰杰 ,  马晓华 ,  张博文 ,  雷毅敏 ,  魏宇翔 ,  郝跃

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明涉及一种集成CMOS器件结构及制作方法，该结构包括：第一器件、第二器件、电学隔离层、第一连接金属和第二连接金属；电学隔离层覆盖第一器件的源极、漏极和栅极的表面；第二器件倒装键合在电学隔离层上；第一连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的栅极和第二器件的栅极连接；第二连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的漏极和第二器件的漏极连接；第一器件的源极从第一器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极、漏极和栅极均从第二器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极用于连接电源端，栅极用于作为输入端，漏极用于作为输出端。本发明实现了在单一衬底上同时具有高的电子和空穴运动速度，同时节省了芯片面积。

公开(公告)号：CN116884975A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310780539.2

申请日：2023-06-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 祝杰杰 ,  马晓华 ,  张博文 ,  雷毅敏 ,  魏宇翔 ,  郝跃

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体与碳纳米管单片集成器件的结构及制备方法，结构包括：衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、电学隔离层、设置在势垒层上的碳纳米管器件、间隔设置在势垒层上的第一源极和第一漏极、设置在第一源极、第一漏极和位于电学隔离层的另一侧的势垒层上的钝化层、设置在钝化层的栅极槽内和部分钝化层上的第一栅极。本发明制备了具有较高开关速度的N沟道器件与P沟道器件，并且相比于传统的在PCB板上分立封装的结构大大节约了cmos电路芯片的面积，同时提高了电路处理数字信号的性能。