公开(公告)号：CN117935890A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311633701.4

申请日：2023-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 贾宁刚 ,  刘子杨 ,  赵琬婷 ,  孙世龙 ,  石锋 ,  杨董 ,  杨欢

IPC: G11C29/10 ,  G11C29/50 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种TSV工艺重构DDR存储器超薄晶圆的ATE测试方法，首先对TSV工艺重构后的超薄晶圆进行测试前预处理可以缓解超薄晶圆的翘曲形变问题，避免在自动测试过程中可能导致的晶圆损伤，然后通过设计制作适配高速DDR存储器芯片的测试探针卡，设计高速DDR存储器芯片的测试向量，再基于高速DDR存储器芯片的测试向量，使用测试探针卡和ATE数字信号测试设备对DDR存储器芯片进行验证，基于自动探针台和通用型ATE进行测试，整个自动测试程序未使用存储器专用的算法向量生成模块APG且能够在2s内完成每颗重构芯片的验证同时降低对存储器专用ATE的使用需求，提高自动化测试过程的泛用性，测试成本较低，测试效率高，适用于TSV重构超薄晶圆的快速批量验证。

公开(公告)号：CN117330924A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311277438.X

申请日：2023-09-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 贾宁刚 ,  赵琬婷 ,  杨董 ,  石锋 ,  孙世龙 ,  刘子杨 ,  杨欢 ,  符晓宏 ,  姜莉 ,  张轩

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件降额曲线测试方法及相关设备，首先获取器件K特性曲线，根据器件K特性曲线测试器件的稳态热阻，根据稳态热阻绘制功率降额曲线，再设定多个不同的正向电流，根据功率降额曲线获取器件在最大结温条件下不同正向电流的正向导通电压，根据多个不同正向电流和正向导通电压获取器件最大结温时器件的开启电压和正向导通电阻，根据功率降额曲线获取器件不同壳温下的功率点，根据开启电压、正向导通电阻和不同壳温下的功率点获得在不同壳温功率点下的电流，根据不同壳温功率点下的电流绘制电流降额曲线，根据电流降额曲线可以在功率定额和最高结温之间做一个合理的折中选择，提高了器件的使用安全性以及器件使用的效率。

公开(公告)号：CN112595965A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011353926.0

申请日：2020-11-26

Applicant: 西安太乙电子有限公司 ,  西安微电子技术研究所

Inventor： 严之皓 ,  穆永杰 ,  贾宁刚 ,  闫永超

IPC: G01R31/3163

Abstract: 本发明公开一种用于模拟电路的测试平台，包括主控计算机、分立仪器、测试资源母板及DUT测试子板；分立仪器通过测试资源母板及DUT测试子板连接至待测电路；主控计算机采用具有Labview开发平台的计算机，包括视图模块、控制器模块及测试模型模块；本发明通过主控计算机对分立仪器测试资源进行整合，利用主控计算机控制测试激励施加和器件响应采集，取代了传动手动测试过程的繁杂步骤；测试过程仅需对根据待测电路安装匹配的DUT测试子板，选择合适的测试模型，即可实现自动测试；测试结果数据能够实现自动保存，测试平台通过简化测试步骤、固化测试方法及测试数据化，有效提高测试效率和测试可靠性。