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公开(公告)号:CN113871357A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111131666.7
申请日:2021-09-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/58 , H05K1/18 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开一种大质量大功耗PGA器件的加固及散热结构及加工方法,包括设置在印制板上的PGA器件,PGA器件顶部设置有一几型金属支架,所述几型金属支架与PGA器件之间设置有贝格斯膜;PGA器件与印制板之间设置有一金属结构片,所述金属结构片与PGA器件底部接触;所述印制板上设置有金属框架,所述几型金属支架和金属结构片均与金属框架接触;所述PGA器件四角位置涂覆环氧胶。本发明的加固及散热结构及加工方法不仅能够对大质量大功耗PGA器件进行可靠加固,而且可以有效解决PGA器件散热问题,提高了星载产品的可靠性。