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公开(公告)号:CN114364230A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202210090418.0
申请日:2022-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明属于电源散热技术领域,涉及一种星上大功率电源的散热装置,所述散热装置包括至少一块液冷板,液冷板包括底板和盖板,在底板内部开有液槽,液槽一侧开有液体入口,另一侧开有液体出口;液槽内充满有冷却液体;液槽内设有用于将液槽分割成多个冷却模块的隔板,相邻两个冷却模块连通;所述上大功率电源包括若干个电源模块,每个电源模块对应设置在一个冷却模块上,提高了电源中大功率器件的散热效率,为星上电源实现高功率密度提供了有力的保证;降低了元器件的失效率,进而提高了星上大功率电源产品的可靠性,对其寿命的延长具有重要作用;同时将星上大功率电源模块化并设有独立机箱,提高了系统的可维修性及抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN115270703A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210910159.1
申请日:2022-07-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/20 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种微系统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法,实现了微系统模块的电源完整性仿真分析及信号完整性仿真分析,并提供了仿真判定标准,提高仿真精度。包括将硅基板和管壳合并后进行直流压降仿真的步骤,步骤如下:将管壳和硅基板的版图导入到仿真软件中并进行仿真参数设置;在芯片的电源引脚和地引脚之间添加电压源和电流源后,启动仿真软件进行直流压降仿真并运算求解,获取仿真结果;根据仿真标准判断仿真结果是否满足要求,若满足要求,则仿真完成;若不满足要求,则定位版图中不满足仿真标准的项目,对不满足仿真标准的项目进行版图更改,直至满足要求,仿真完成。
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公开(公告)号:CN114825866A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210577145.2
申请日:2022-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于电流保护领域,具体涉及一种具有降低冲击电压功能的PPU励磁电源。包括电源,电容,二极管和电阻,电源并联电容,电源并联一条串联电路,该串联电路为两个二极管串联或者一个二极管和一个电阻串联,串联电路对流过电推进器励磁线圈上的电流瞬间消失时励磁线圈负端产生的瞬间尖峰电压进行吸收,提高了PPU励磁电源的可靠性,有利于维持系统的稳定。
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