氮化镓器件特性的调制方法和结构

    公开(公告)号:CN112687569A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011575949.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括:对氮化镓器件施加外界电场,外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件;通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景,通过调整外界电场的强度和方向,对氮化镓器件特性进行特定调制,以适应不同场景下氮化镓器件应用需求,促进氮化镓器件性能的更充分发挥,带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。

    真空度可调的平行板电极电磁场辐照放电系统

    公开(公告)号:CN107907810B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201711068968.8

    申请日:2017-11-03

    Abstract: 本发明提供了一种真空度可调的平行板电极电磁场辐照放电系统,包括电磁场辐照装置、平行板放电装置、真空环境模拟装置和检测装置;所述电磁场辐照装置设置在所述真空环境模拟装置外侧,可以模拟外界复杂电磁环境辐照情况,平行板放电装置可以模拟实际环境中不同平行板放电的情况,真空环境模拟装置提高了实验的可重复性,结合检测系统共同构成了电磁场辐照诱发真空环境下平行板放电系统。该系统用于研究电磁辐射发射相关技术,和电磁辐射对诱发平行板放电系统的影响等问题,为防护设备提供准确的数据,从而降低了铁路系统的安全隐患。

    一种双线式防静电手腕带及实时接地监测装置

    公开(公告)号:CN108226648A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810063344.5

    申请日:2018-01-23

    Abstract: 本发明提出了一种双线式防静电手腕带,所述双线式防静电手腕带包括:腕带连续监测仪和双线腕带;所述双线腕带,用于绑定在人体手腕上,所述双线腕带内部设置有与人体手腕皮肤相接触的金属电极;所述腕带连续监测仪,用于连接所述双线腕带,使所述双线腕带接地,同时监测所述人体手腕的电压。本发明还提出了一种双线式防静电手腕带的实时接地监测装置。本发明采用施加双极性对称电压的方式,在测量电阻时,可以避免提高被测人员的电位。在保留了防静电腕带接地功能的同时,不仅能实时监测接地电阻的大小还能实时监测人体的电压。

    一种零待机零功耗节能插座

    公开(公告)号:CN103618178A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310692874.3

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 本发明提供一种零待机零功耗节能插座,包括插座本体和插座本体上设置的主控插孔座,该插座本体中还包括自动开关继电器JK1、手动触控按键开关K1、电源模块以及按顺序连接的电流监测模块、信号调理模块,比较模块、延时控制模块、继电器驱动模块和J1继电器线包;所述继电器JK1和手动触控按键开关K1并联后一端连接在外接电路入口的火线L上,另一端分别连接电源模块以及通过电流监测模块连接主控插孔座。本发明插座通过各个模块和J1继电器线包之间的信号传速和作用,控制JK1继电器的开合,从而控制主副控插孔座的开合,从而实现真正意义上的节能环保,并且该插座使用方便,安全环保,易于推广普及。

    基于失重飞机真空舱的粒子图像测速系统

    公开(公告)号:CN117590021B

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202311409979.3

    申请日:2023-10-27

    Abstract: 本发明涉及一种基于失重飞机真空舱的粒子图像测速系统,包括:高速图像采集子系统、全景影像采集子系统、照明子系统、控制子系统,高速图像采集子系统包括高速相机采集器和沿失重飞机真空舱的侧壁依次布设的若干台高速相机,全景影像采集子系统包括至少两组全景相机,分别设置在失重飞机真空舱的上部和下部;控制子系统,包括便携式工控机、相机同步触发器、相机设置与控制软件、图像数据分析软件和同步触发线缆,便携式工控机通过相机同步触发器控制高速相机和全景相机同步触发,实现多台高速相机接力高速拍摄粒子运动影像,可实现对不同粒径粒子的关键时刻的全过程跟踪拍摄,提高了测速系统的测量精度和减小系统误差、扩大测速系统的使用范围。

    氮化镓器件特性的调制方法和结构

    公开(公告)号:CN112687569B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202011575949.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括:对氮化镓器件施加外界电场,外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件;通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景,通过调整外界电场的强度和方向,对氮化镓器件特性进行特定调制,以适应不同场景下氮化镓器件应用需求,促进氮化镓器件性能的更充分发挥,带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。

    一种静电防护器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117832213A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311849548.9

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种半导体静电防护技术领域的静电防护器件,旨在解决现有技术中静电防护器件鲁棒性较差的问题。其包括:第一端子和第二端子在接入需要静电防护的电路后,当第一端子和第二端子任一端遭遇静电脉冲时,电容的极板发生电子迁移,由于静电发生时间极短,此时电子迁移可看做电容短接,碳纳米管导通两端的第一端子和第二端子,静电脉冲通过第一端子、碳纳米管和第二端子形成的通路逃开需要静电防护的电路,从电源端口流走;没有静电脉冲时,电容阻隔直流电通过。

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