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公开(公告)号：CN111190452A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010010397.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电路芯片温度系数的测试方法，包括以下步骤：步骤1，将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作；在室温下测试基准电路芯片的输出电压；步骤2，将保护二极管正偏设置，通过保护二极管加热基准电路芯片至预设温度；将保护二极管反偏设置，使得基准电路芯片正常工作，测试预设温度下基准电路芯片的输出电压，绘制获得输出电压温度系数曲线；其中，预设温度的取值范围为27℃～85℃。本发明测试方法简单，对测试仪器要求较低，测试结果可靠性高。
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