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公开(公告)号：CN113220630B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110548117.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F15/78 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种硬件加速器的可重构阵列优化方法及自动调优方法，属于神经网络张量加速器设计工程技术领域。所述优化方法包括适用于被动改变的硬件参数作为外层参数，适用于主动改变的硬件参数作为内层参数；外层参数为输入通道、输出通道和整数位宽；内层参数为逻辑核、模式掩码和单元掩码。所述自动调优方法包括以：针对外层参数，通过应用级切换中设置对应寄存器位置，完成各个应用的最佳硬件配置；针对内层参数，采用编译器+解释器的方式，通过设置逻辑核数和模式掩码完成零填充优化，通过设置单元掩码完成分组并行优化。本发明为对功耗和效率敏感的特殊领域系统中的深度神经网络模型部署提供一种高效的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111198843B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201911319133.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于应用处理器片上总线控制的文件系统写加速方法，包括以下步骤：调用文件系统的open()函数创建文件，获得文件句柄；调用文件系统的write()函数向文件中写入传感器数据，文件系统按固定文件大小向存储器中写入数据，其中，单次写入按Page大小进行，写入过程中文件系统仅生成Page的Tags信息，驱动层将Page的Tags信息拷贝至控制器的缓冲区；当处理器获得数据写开始信号时，则开始监听片上总线的数据；协处理器获取片上总线Page并暂存，然后将外设数据缓冲区内的数据按固定大小替换Page数据区，并向存储器发送替换后的Page；当剩余写入文件大小小于等于0时，则文件写入结束；文件系统调用close()函数关闭该文件，该方法能够加速文件系统的存储性能。
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公开(公告)号：CN113220630A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110548117.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硬件加速器的可重构阵列优化方法及自动调优方法，属于神经网络张量加速器设计工程技术领域。所述优化方法包括适用于被动改变的硬件参数作为外层参数，适用于主动改变的硬件参数作为内层参数；外层参数为输入通道、输出通道和整数位宽；内层参数为逻辑核、模式掩码和单元掩码。所述自动调优方法包括以：针对外层参数，通过应用级切换中设置对应寄存器位置，完成各个应用的最佳硬件配置；针对内层参数，采用编译器+解释器的方式，通过设置逻辑核数和模式掩码完成零填充优化，通过设置单元掩码完成分组并行优化。本发明为对功耗和效率敏感的特殊领域系统中的深度神经网络模型部署提供一种高效的解决方案。
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公开(公告)号：CN111240598B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010044024.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于软硬件结合方式的大容量快速NandFlash存储实现方法，包括以下步骤：根据NandFlash特性结合控制器的双缓存区块特点，优化NandFlash的读写方式，采用并行化读写方式控制多块NandFlash；在实现上，对处理器的局部总线控制器的时序和命令进行解析，在FPGA芯片内部重新映射部分局部总线控制下的空闲物理地址空间，在FPGA芯片内实现对多片NandFlash芯片的复合片选；修改软件驱动程序，使修改后的软件驱动程序对单片存储器的串行访问命令变成对两片NandFlash芯片的交替访问，利用NandFlash芯片访问的等待时间，交替进行对缓存区块的读写访问，该方法能够有效的提高NandFlash存储器的读写速度。
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公开(公告)号：CN111240598A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010044024.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于软硬件结合方式的大容量快速NandFlash存储实现方法，包括以下步骤：根据NandFlash特性结合控制器的双缓存区块特点，优化NandFlash的读写方式，采用并行化读写方式控制多块NandFlash；在实现上，对处理器的局部总线控制器的时序和命令进行解析，在FPGA芯片内部重新映射部分局部总线控制下的空闲物理地址空间，在FPGA芯片内实现对多片NandFlash芯片的复合片选；修改软件驱动程序，使修改后的软件驱动程序对单片存储器的串行访问命令变成对两片NandFlash芯片的交替访问，利用NandFlash芯片访问的等待时间，交替进行对缓存区块的读写访问，该方法能够有效的提高NandFlash存储器的读写速度。
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公开(公告)号：CN111198843A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911319133.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于应用处理器片上总线控制的文件系统写加速方法，包括以下步骤：调用文件系统的open()函数创建文件，获得文件句柄；调用文件系统的write()函数向文件中写入传感器数据，文件系统按固定文件大小向存储器中写入数据，其中，单次写入按Page大小进行，写入过程中文件系统仅生成Page的Tags信息，驱动层将Page的Tags信息拷贝至控制器的缓冲区；当处理器获得数据写开始信号时，则开始监听片上总线的数据；协处理器获取片上总线Page并暂存，然后将外设数据缓冲区内的数据按固定大小替换Page数据区，并向存储器发送替换后的Page；当剩余写入文件大小小于等于0时，则文件写入结束；文件系统调用close()函数关闭该文件，该方法能够加速文件系统的存储性能。
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