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公开(公告)号：CN119727681A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411891487.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅MOSFET的保护电路、装置及方法，属于保护电路技术领域。本发明提供的保护电路，能够及时识别并处理短路故障，为高压碳化硅MOSFET提供全面的电路保护，通过完全开通检测电路和栅极电压检测电路的协同工作，实现了硬开关短路故障的识别，通过完全开通检测电路和漏源电压检测电路的设置，实现了负载短路故障的识别；当识别到待保护高压碳化硅MOSFET存在硬开关短路故障或者负载短路故障时，逻辑处理电路能够迅速接收相关信号并作出准确判断，对外部PWM控制信号进行闭锁，输出相应的电平信号，电平信号通过第一驱动电路和第二驱动电路，实现对MOSFET的快速关断，有效保护器件。
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公开(公告)号：CN118507226A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410862537.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高绝缘强度低耦合电容的高频变压器结构及隔离栅极驱动器，包括铁氧体磁芯、变压层、固定夹片、引出原副边绕组的金属引脚和外壳，两个固定夹片平行相对设置，变压层固定于两个固定夹片之间，铁氧化磁芯竖直嵌设于变压层中，变压层包括交错平行放置的绕组层和多个绝缘夹层，铁氧化磁芯的两端伸出金属引脚与绕组层焊接，金属引脚用于引出原副边接线端子，外壳套设于固定夹片外侧，且外壳与固定夹片之间的缝隙灌封有硅凝胶。本发明通过多片PCB分离原副边绕组，采用PTFE绝缘与硅凝胶灌封的方式，提高变压器的绝缘强度，减少变压器的原副边耦合电容，提升了模块整体的绝缘性能与高频性能。
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公开(公告)号：CN118777668A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411153365.8
申请日：2024-08-21
Abstract: 本发明涉及封装测试技术领域，具体为一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法，该电路包括HTRB测试主电路、采样电路，测试所用的加热台和待测高压碳化硅MOSFET均与主电路连接，采样电路包括采样电阻、仪用放大器、ADC转换器和DSP处理器，待测高压碳化硅MOSFET的栅极接在采样电阻与HTRB测试主电路之间，采样电阻的一端与HTRB测试主电路的负极连接，采样电阻与仪用放大器的输入端连接，仪用放大器的输出端与ADC转换器的输入端连接，ADC转换器的输出端与DSP处理器的输入端连接，本发明设计合理、全面，能够准确评估MOSFET在极端条件下的漏电流性能，通过进一步优化电路设计和检测方法，可以进一步提高测试的准确性和可靠性，为MOSFET的可靠性评估和筛选提供有力支持。
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公开(公告)号：CN117790441A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311847551.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于相变均热的高压高频功率器件基板结构，包括平行设置的铜基板和DBC基板，铜基板上开设有凹槽，凹槽内部设有凸台；DBC基板架设于凹槽上，铜基板和凸台均与DBC基板的下铜层连接；DBC基板的上铜层用于连接高压高频功率器件；当铜基板与DBC基板连接后，凹槽在DBC基板的覆盖下形成散热空腔；散热空腔内部充设有相变工质，且散热空腔内部预设真空度。本发明通过注入相变工质后抽一定程度真空形成相变传热循环，显著提高了基板的散热效率。通过减少DBC基板下层铜的面积并配合散热基板，有效减少了功率模块的对地寄生电容，提升了模块整体的电热综合稳定性。
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