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公开(公告)号：CN107341325B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710736509.6
申请日：2017-08-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/20 , G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种离散事件系统次优监督控制器生成方法，包括以下步骤：1)构建系统中各组件Gi的自动机模型PLANTi＝(Qi,Σi,δi,qi0,Qim)，计算系统的全局自动机模型PLANT；2)将文字描述的性能指标E转换为性能指标E的自动机模型SPECA0；3)计算在性能指标E各状态被禁止的事件集合DAT及其不可控事件分量DATu；4)计算各组件Gi的自动机模型PLANTi中各不可控事件σ对应的邻近可控事件集合J(σ)以及与σ同时定义的事件集合Σσ；5)得性能指标E的自动机模型SPECA0转移函数组成的集合△；6)根据性能指标E的自动机模型SPECA0转移函数组成的集合△生成离散事件系统次优监督控制器，该方法能够根据性能指标生成离散事件系统次优监督控制器。
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公开(公告)号：CN113097159B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110302888.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法，铜底板上横向设置有多块DBC，多块DBC构成9个双向开关，DBC的功率回路通过功率端子引出，DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子，9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构；本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小，寄生电感小，功率密度大的优点。
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公开(公告)号：CN113097159A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110302888.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法，铜底板上横向设置有多块DBC，多块DBC构成9个双向开关，DBC的功率回路通过功率端子引出，DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子，9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构；本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小，寄生电感小，功率密度大的优点。
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公开(公告)号：CN107341325A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710736509.6
申请日：2017-08-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F17/50 , G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种离散事件系统次优监督控制器生成方法，包括以下步骤：1)构建系统中各组件Gi的自动机模型PLANTi＝(Qi,Σi,δi,qi0,Qim)，其中，Qi、Σi、δi、qi0及Qim分别为第i个组件的状态集合、事件集合、转移函数、初始状态及标识状态集合，计算系统的全局自动机模型PLANT；2)将文字描述的性能指标E转换为性能指标E的自动机模型SPECA0；3)计算在性能指标E各状态被禁止的事件集合DAT及其不可控事件分量DATu；4)计算各组件Gi的自动机模型PLANTi中各不可控事件σ对应的邻近可控事件集合J(σ)以及与σ同时定义的事件集合Σσ；5)得性能指标E的自动机模型SPECA0转移函数组成的集合Δ；6)根据性能指标E的自动机模型SPECA0转移函数组成的集合Δ生成离散事件系统次优监督控制器，该方法能够根据性能指标生成离散事件系统次优监督控制器。
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公开(公告)号：CN104102195A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410314698.4
申请日：2014-07-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明公开了一种存在通信延时的离散事件系统分布式监督控制方法，包括以下步骤：1)构建离散事件系统中各个组件模型的自动机模型，根据各组件模型得到所述离散事件系统的整体模型G；2)获取通信延时为零时各组件模型的分布式控制器LOCi，并将一个分布式控制器LOCi中导致状态转移，而不在该分布式控制器LOCi对应的组件模型中发生的事件，记作通信事件；3)获取每个通信事件的延时界限，当各通信事件在延时界限范围内时，所述离散事件系统的总特性最优且非阻塞；4)根据各通信事件的延时界限，各分布式控制器依靠相应的通信模型来完成对所述离散事件系统的控制。本发明可以在通信延时不为零时，各分布式控制器仍对对离散事件系统的实施有效的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097154B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110304159.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法，覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子，碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置，多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关，每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接，多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上，源极分别与功率端子连接，形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率，更好的可靠性，更低的热阻及良好的电气性能。
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公开(公告)号：CN118507226A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410862537.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种高绝缘强度低耦合电容的高频变压器结构及隔离栅极驱动器，包括铁氧体磁芯、变压层、固定夹片、引出原副边绕组的金属引脚和外壳，两个固定夹片平行相对设置，变压层固定于两个固定夹片之间，铁氧化磁芯竖直嵌设于变压层中，变压层包括交错平行放置的绕组层和多个绝缘夹层，铁氧化磁芯的两端伸出金属引脚与绕组层焊接，金属引脚用于引出原副边接线端子，外壳套设于固定夹片外侧，且外壳与固定夹片之间的缝隙灌封有硅凝胶。本发明通过多片PCB分离原副边绕组，采用PTFE绝缘与硅凝胶灌封的方式，提高变压器的绝缘强度，减少变压器的原副边耦合电容，提升了模块整体的绝缘性能与高频性能。
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公开(公告)号：CN116314170A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074662.2
申请日：2023-01-28
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
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公开(公告)号：CN113176429A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110333860.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电流传感器，包括罗氏线圈和磁阻传感器，罗氏线圈为多匝结构，罗氏线圈用于测量被测电路电流的交流分量，磁阻传感器用于测量被测电路电流的直流及低频分量；罗氏线圈和磁阻传感器分别经对应的信号处理电路将罗氏线圈和磁阻传感器的输出整合成波形。本发明通过合理布局，在保证小尺寸的前提下，将PCB罗氏线圈和磁阻传感器相结合，弥补了二者各自的不足，提高了传感器的测量带宽。使其可以应用于功率模块内部的电流测量。
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公开(公告)号：CN113097154A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110304159.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法，覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子，碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置，多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关，每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接，多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上，源极分别与功率端子连接，形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率，更好的可靠性，更低的热阻及良好的电气性能。
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