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公开(公告)号：CN114755708B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210423297.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种双GM计数管宽量程伽马剂量计及监测方法，该伽马剂量计包括低压电源、高压电源、高量程GM计数管、低量程GM计数管、阳极负载、阴极负载、信号调理电路、量程切换电路、单片机工作系统、通讯模块以及上位机。其中，信号调理电路将GM计数管产生的电流脉冲信号转化为规则的电压脉冲信号；量程切换电路用于控制GM计数管的开通和关断；单片机工作系统用于脉冲计数采集、剂量率转化以及自动控制量程切换。本发明实现了对GM计数管输出信号的高效处理，采用在GM计数管阴极串联三极管的方式简单可靠地控制GM计数管通断，并且采用量程滞回判断的逻辑，实现双GM计数管的自动稳定切换，能够有效拓宽伽马剂量计的线性探测量程，提高仪器性能。
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公开(公告)号：CN118275860A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410360070.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 西北核技术研究所 , 西安交通大学 , 西安慧雅电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子学系统瞬时剂量率效应的测试系统，具体涉及一种系统级封装瞬时剂量率效应的硬件测试系统及方法，解决了现有的瞬时剂量率效应硬件测试系统功能单一，无法实现对系统级封装的瞬时剂量率效应测试的技术问题。本发明为系统级封装内部各单模块芯片分别设计独立的测试板，同时独立的测试板上具有相匹配的互联接口，以通过互连组成系统级封装等价系统，既可以实现对系统级封装内部单模块芯片的测试功能，也可实现由各单模块芯片独立的测试板组成的系统级封装等价系统的测试功能，从而可研究系统级封装内部单模块芯片的瞬时剂量率效应和系统级封装小型化前后的瞬时剂量率效应差异。
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公开(公告)号：CN118153503A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410265192.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器瞬时剂量率效应仿真评估方法，涉及CMOS图像传感器技术领域，包括以下步骤：构建CMOS图像传感器的TCAD器件模型和HSPICE电路模型；通过γ辐照模型仿真TCAD模型的瞬时剂量率效应，得到多个瞬时光电流响应；对多个瞬时光电流响应的波形进行拟合，基于拟合结果建立瞬时剂量率效应HSPICE模型，通过建立的瞬时剂量率效应HSPICE模型替换等效4T PPD像素单元电路模型、读出电路模型和列级模数转换器电路模型，对替换后的各模型的瞬时剂量率效应模拟仿真，得到仿真结果并进行评估分析。本发明采用TCAD和HSPICE相结合的方法，研究了CMOS图像传感器的瞬时剂量率效应，为其在辐射环境的应用和TDRE的研究提供参考。
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公开(公告)号：CN110750949A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910704149.0
申请日：2019-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/32 , G06F113/18
Abstract: 本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法，别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性，通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应；并给出了评估瞬时剂量率效应导致的辐射脉冲在系统级封装内不同子芯片之间的传播的一般方法。本方法将在IBIS模型的基础上，实现瞬时电流信号传递的较高精度模拟，同时巧妙地避开了SPICE模型因包含了芯片详细的内部信息而不便公开以至于难以获得的困难以及仿真速度慢的情况。
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公开(公告)号：CN118133730A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410456969.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/327 , G06F30/367
Abstract: 本申请公开了一种1553B数模混合电路的仿真方法、装置、设备及介质。该方法包括：通过VHDL语言根据表征模拟电路中每个模拟器件逻辑功能的模拟信号对应的数字信号对所有模拟器件的逻辑功能进行仿真，建立模拟电路的第一仿真模型；通过VHDL语言对数字电路的每个数字器件的逻辑功能进行仿真，建立数字电路的第二仿真模型；根据第一MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第一参数，校正第一仿真模型中受总剂量效应影响的参数，根据第二MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第二参数，校正第二仿真模型中受总剂量效应影响的参数；结合校正后的第一仿真模型与第二仿真模型，生成1553B数模混合电路的仿真模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116401293A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310444729.7
申请日：2023-04-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F16/2458 , G06F16/248 , G16C10/00 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体材料辐射效应多尺度模拟的数据库系统，包括表示层、服务层、处理层和数据存储层；服务层和处理层根据用户的指令检索调取数据存储层中的数据，实现了对质子、中子与γ射线辐射不同半导体材料的初级产物、基于分子动力学模拟的初始缺陷分布以及缺陷长时间演化后的稳定结果的快速检索，并将结果在表示层展示。解决了半导体材料和器件辐射位移损伤效应数据参考少、不集中、关联性差等应用瓶颈问题；其次，通过设置在线绘图单元，对用户上传的多尺度模拟结果进行解析并生成对应图表，用户可以清晰地查看未进行分析的数据所展现的结果并下载至本地，另外，通过设置两种检索方法，大大减少了人工检索多篇文献和查看结果的时间，提高了科研效率。
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公开(公告)号：CN112232007B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011099076.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/33 , G06F30/327 , G06F115/06
Abstract: 本发明公开了一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法，利用电子学系统内部不同芯片的电路模型及IBIS模型，通过仿真和实验的手段确定总剂量效应对每个模型单独的影响，之后将各个子模型的总剂量效应模型连接起来得到整个电子学系统在总剂量效应下的完整模型，给定输入信号即可得到整个电子学系统在总剂量效应影响下的输出响应。本方法在Verilog‑AMS模型、Verilog模型、SPICE模型以及IBIS模型的基础上都根据总剂量效应的影响进行了修正，同时利用MATLAB或Python实现了子模块之间数据的转换和传递，将各个模型耦合起来形成一个完整的电子学系统模型，实现了系统级的总剂量效应的模拟仿真。同时还编写了单个模块以及整个系统的故障评价程序，用于研究总剂量效应影响的规律。
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公开(公告)号：CN114779309A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210422114.X
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于Time‑to‑Count方法的伽马剂量计及监测方法，该伽马剂量计包括低压电源、高压电源、高压脉冲电路、高量程GM计数管、低量程GM计数管、阳极负载、阴极负载、信号调理电路、量程切换电路、单片机工作系统、通讯模块以及上位机。本发明设计了高性能的高压脉冲电路以及信号调理电路，并且采用Time‑to‑Count的测量方法，有效消除了GM计数管固有死时间以及脉冲堆叠对线性量程造成的限制，可有效扩展单个GM计数管的量程范围。此外，采用在GM计数管阴极串联开关三极管的方式方便可靠地控制GM计数管通断，并且采用量程滞回判断的逻辑，实现双GM计数管的自动稳定切换，能够有效扩大剂量计的线性量程范围。
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公开(公告)号：CN110794443B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911013417.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种快速准确定位放射源的探测器装置及定位方法，通过该装置可以快速准确地定位放射源，主要用于寻找丢失的放射源。通过该装置，达到提高放射源丢失事故处理效率，减少辐射对工作人员损害的目的。该装置包括电路电子模块，固定螺栓，带有螺纹孔的圆环，端盖屏蔽结构，放射性探测器，放射性探测器的固定座，主体屏蔽结构，基座屏蔽结构。本发明装置通过多个探测器与屏蔽结构的合理结合，对不同方向的剂量率进行准确测量，并采用电路电子系统对不同方向的剂量率进行计算，最终准确得出放射源的方位。通过该装置，达到提高放射源丢失事故处理效率，减少辐射对工作人员损害的目的。
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公开(公告)号：CN112232007A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011099076.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/33 , G06F30/327 , G06F115/06
Abstract: 本发明公开了一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法，利用电子学系统内部不同芯片的电路模型及IBIS模型，通过仿真和实验的手段确定总剂量效应对每个模型单独的影响，之后将各个子模型的总剂量效应模型连接起来得到整个电子学系统在总剂量效应下的完整模型，给定输入信号即可得到整个电子学系统在总剂量效应影响下的输出响应。本方法在Verilog‑AMS模型、Verilog模型、SPICE模型以及IBIS模型的基础上都根据总剂量效应的影响进行了修正，同时利用MATLAB或Python实现了子模块之间数据的转换和传递，将各个模型耦合起来形成一个完整的电子学系统模型，实现了系统级的总剂量效应的模拟仿真。同时还编写了单个模块以及整个系统的故障评价程序，用于研究总剂量效应影响的规律。
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