一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN118627461A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410514777.3

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明提供一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质,以CMOS图像传感类电子系统为目标研究对象,以组成CMOS图像传感类电子系统的基础单元包括CMOS图像传感器内部的4T PPD像素单元、NMOS和PMOS晶体管、典型电路和典型功能模块为着手点,可模拟不同辐射参数下的系统响应,对系统内部各模块进行针对性的仿真模拟,可深入分析CMOS图传感类电子系统的总剂量效应响应,极大的弥补了实验的诸多缺点,其次,本发明提出仿真方法从器件层次到电路层次再到系统层次,属于跨层次的总剂量效应模拟仿真,为未来空间环境中电子系统的辐射效应研究提供具有价值的理论参考。

    一种瞬时剂量率效应PI-SI的仿真方法、系统与设备

    公开(公告)号:CN118428300A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410576712.1

    申请日:2024-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种瞬时剂量率效应PI‑SI的仿真方法、系统与设备,涉及仿真电路技术领域,包括如下步骤:根据系统设计结构划分获取封装电子系统SiP内部各个电源分布网络;提取各个电源分布网络与芯片互联拓扑结构的S参数,检验S参数的正确性,在S参数正确时,将S参数与对应的IBIS模型连接;通过IBIS模型、芯片电源模型构建无辐射情况下的电源‑信号联合仿真模型,并对电源‑信号联合仿真模型添加瞬态光电流;查看各个电源分布网络造成的噪声波形和瞬态光电流的注入波形图,建立剂量率与信号的关系,预估信号的失效阈值。本发明可仿真分析不同电子学系统的电源分布网络,仿真模型容易获取,且避免了复杂的器件参数运算。

    一种图像传感器瞬时剂量率效应仿真评估方法

    公开(公告)号:CN118153503A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410265192.2

    申请日:2024-03-08

    Abstract: 本发明公开了一种图像传感器瞬时剂量率效应仿真评估方法,涉及CMOS图像传感器技术领域,包括以下步骤:构建CMOS图像传感器的TCAD器件模型和HSPICE电路模型;通过γ辐照模型仿真TCAD模型的瞬时剂量率效应,得到多个瞬时光电流响应;对多个瞬时光电流响应的波形进行拟合,基于拟合结果建立瞬时剂量率效应HSPICE模型,通过建立的瞬时剂量率效应HSPICE模型替换等效4T PPD像素单元电路模型、读出电路模型和列级模数转换器电路模型,对替换后的各模型的瞬时剂量率效应模拟仿真,得到仿真结果并进行评估分析。本发明采用TCAD和HSPICE相结合的方法,研究了CMOS图像传感器的瞬时剂量率效应,为其在辐射环境的应用和TDRE的研究提供参考。

    一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法

    公开(公告)号:CN114861510B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202210332806.5

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法,步骤如下:通过对球面源的均匀抽样和射线方向判定函数,确定全方向入射源的位置和方向分布;通过对需要模拟空间轨道粒子能谱的概率分布函数因变量进行均匀抽样,再映射到对应的能谱值,确定源的能量分布;通过每个粒子输运过程的step位置信息,判断当前粒子是否打到样品上,确定有效粒子数。本方法基于Geant4实现了粒子的全方向能谱入射模拟,为开展空地辐射环境差异研究提供理论支撑。

    一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法

    公开(公告)号:CN114861510A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210332806.5

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法,步骤如下:通过对球面源的均匀抽样和射线方向判定函数,确定全方向入射源的位置和方向分布;通过对需要模拟空间轨道粒子能谱的概率分布函数因变量进行均匀抽样,再映射到对应的能谱值,确定源的能量分布;通过每个粒子输运过程的step位置信息,判断当前粒子是否打到样品上,确定有效粒子数。本方法基于Geant4实现了粒子的全方向能谱入射模拟,为开展空地辐射环境差异研究提供理论支撑。

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