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公开(公告)号：CN107731912B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710781882.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107731923B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710781886.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN110070508A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910328975.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于门限值和线性映射的反锐化增强方法，包括：步骤一、对输入的原始图像进行反锐化掩模运算；步骤二、选取门限值，通过门限值对反锐化掩模运算得到的数据范围进行钳位处理；步骤三、求取原始图像的最大值和最小值，根据原始图像的最大值和最小值计算映射点，求得映射区间，对钳位处理后的数据进行分区间线性映射，得到增强之后的图像输出。本发明通过选取合适的门限值钳位反锐化运算后的结果，充分考虑原始图像的极值分布，选取合适的区间，利用线性映射的方法校正反锐化运算后的结果，使最终处理后的图像接近原始图像的直方图分布，相比于原始图像边缘更加清晰，不会造成值域扩大，视觉效果好。
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公开(公告)号：CN107658340B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710781888.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极；本发明第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107623043A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710781884.2
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611022B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710781811.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN107731922B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710781878.7
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN107731893A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710781879.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107611022A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710781811.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN110070508B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910328975.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于门限值和线性映射的反锐化增强方法，包括：步骤一、对输入的原始图像进行反锐化掩模运算；步骤二、选取门限值，通过门限值对反锐化掩模运算得到的数据范围进行钳位处理；步骤三、求取原始图像的最大值和最小值，根据原始图像的最大值和最小值计算映射点，求得映射区间，对钳位处理后的数据进行分区间线性映射，得到增强之后的图像输出。本发明通过选取合适的门限值钳位反锐化运算后的结果，充分考虑原始图像的极值分布，选取合适的区间，利用线性映射的方法校正反锐化运算后的结果，使最终处理后的图像接近原始图像的直方图分布，相比于原始图像边缘更加清晰，不会造成值域扩大，视觉效果好。
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