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公开(公告)号：CN107611022B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710781811.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN107731922B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710781878.7
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN107731893A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710781879.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107611022A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710781811.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN107731893B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710781879.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107658214B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710781880.4
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107731922A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710781878.7
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN107658214A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710781880.4
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107482062A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710781876.8
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻，本发明还公开了其制备方法。
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公开(公告)号：CN107731894B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710781881.9
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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