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公开(公告)号：CN107332460B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710108993.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/12
Abstract: 本发明公开一种高性能压电单晶贴片式环型超声电机用振子，包括多片扇形的压电单晶片，各扇形的压电单晶片围成环形，各压电单晶片均沿其厚度方向极化，相邻的两个压电单晶片极化方向相反，解决了现有压电陶瓷环型超声电机低温环境下的使用受限、用于大尺寸环型超声电机定子的单晶环难于加工、单晶各向异性的影响等问题，与环片式压电单晶环型超声电机相比较，贴片式高性能压电单晶环形超声电机性能有所提升，功率密度增大，输出力矩增大，并且加工装配工艺简便，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN103266354B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310229132.7
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。
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公开(公告)号：CN104480530A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410851375.9
申请日：2014-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨、干燥、造粒、成型、排粘、烧瓷等过程，制成与生长坩埚形状相适应的陶瓷原料用以装填入生长坩埚内。本发明可显著改善晶体成品的质量及减小发生坩埚渗漏的风险。
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公开(公告)号：CN115787061A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211435950.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种多片式氮化镓晶体生长装置及方法，在基座的插槽中插入多片籽晶，将嵌有籽晶的基座放入坩埚中，加入生长溶液；坩埚装入高压反应釜中，将反应釜放入高温晶体生长炉中，抽真空后通入含氮气体；在生长温度以及生长压力下，通过摇摆使生长溶液处于流动状态，含氮气体中氮气分子在助熔剂的作用下解离为氮离子，当生长溶液中氮的溶解浓度达到外延生长所需阈值时，在多片籽晶表面外延生长GaN晶体。本发明中含氮气体中氮气分子解离为氮离子，通过使生长溶液流动，生长溶液的强制对流促进了氮离子的扩散与对流，有效提高了氮在生长溶液中溶解的均匀性，并且保证了多片籽晶生长的一致性。
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公开(公告)号：CN107326443B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710414718.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法，包括了退火和极化两个过程，弛豫铁电单晶包括二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系和三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系，其中退火过程是弛豫铁电单晶研磨抛光后在气氛中进行退火处理，去除机械加工所引起的应力，通过极缓慢降温将铁电相形成过程中产生的自发应变极大程度的释放，从而降低晶体单畴化过程中电致畴转导致开裂的可能性。另外，撤去电场后，剩余退极化场会诱导形成纳米畴结构。为了保证单畴结构的形成和稳定性，可以通过电极注入形成体屏蔽效应来补偿剩余退极化场，进而得到高度单畴化且性能稳定的弛豫铁电晶体，该材料将具有半波电压小，光损伤阈值高，电光系数大等特点，远优于BBO、KTP和LN等材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107326443A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710414718.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法，包括了退火和极化两个过程，弛豫铁电单晶包括二元(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3体系和三元(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3体系，其中退火过程是弛豫铁电单晶研磨抛光后在气氛中进行退火处理，去除机械加工所引起的应力，通过极缓慢降温将铁电相形成过程中产生的自发应变极大程度的释放，从而降低晶体单畴化过程中电致畴转导致开裂的可能性。另外，撤去电场后，剩余退极化场会诱导形成纳米畴结构。为了保证单畴结构的形成和稳定性，可以通过电极注入形成体屏蔽效应来补偿剩余退极化场，进而得到高度单畴化且性能稳定的弛豫铁电晶体，该材料将具有半波电压小，光损伤阈值高，电光系数大等特点，远优于BBO、KTP和LN等材料。
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公开(公告)号：CN107219646A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710414043.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种高性能直波导型电光相位调制器及其制备方法，电光调制器具有平板电容型结构，包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差，通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向，在局部区间产生了高达3％的折射率变化，有效构造了一种结构简单，易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合，可设计多种光信息转换器件，实现光子偏振态的有效控制，微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制，适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。
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公开(公告)号：CN107219646B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710414043.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种直波导型电光相位调制器及其制备方法，电光调制器具有平板电容型结构，包括相当于介质层的单晶与单晶上下表面的电极层。单晶为二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系或三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系。直波导型电光相位调制器是利用铁电体的畴转向和双折射率之差，通过加在共面电极上的预制电场诱发畴转向，在局部区间产生了高达3％的折射率变化，有效构造了一种结构简单，易于加工制造的光波导结构。本发明具有极低的半波电压、低的插入损耗、高的带宽和优异的相位调制能力。将铁电性和强光学非线性结合，可设计多种光信息转换器件，实现光子偏振态的有效控制，微弱信号的检测以及相控阵信号的生成与控制，适用于量子保密通信技术及微波光子学雷达技术领域。
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公开(公告)号：CN103269179B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310175650.5
申请日：2013-05-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/18 , H01L41/047
Abstract: 本发明公开了一种压电片及振动能量收集器，包括压电片、用于固定压电片的基座和设置于压电片自由端的质量块，该压电片包括压电片本体及涂布于压电片本体上、下表面和两个侧面上的上表面电极、下表面电极以及两个侧面电极，其中，两个侧面电极和上表面电极、下表面电极垂直且之间不连通，压电片的每个电极分别引出导线作为输出接口。该收集器，利用所处环境中的低频振动驱动基座振动，以使压电片产生弯曲形变。同时利用泊松效应产生的垂直电极之间的形变避开了应变中性面的制约，使压电片的不同电极之间产生有效电势，从而压电片更有效地输出能量的能量，提高了能量输出效率，同时该收集器还能够提供多种输出方式。
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公开(公告)号：CN103346253A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310228098.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/39
Abstract: 本发明涉及一种铁电单晶/环氧2-2结构及应力板加固的2-2结构复合材料及其制备方法。2-2结构复合材料具有复合钙钛矿结构的Relaxor-PbTiO3铁电单晶和聚合物组成，利用切割-填充法得到的2-2复合材料中单晶片子的截面宽度为200μm-1mm，纵横比为2-5，截面宽度为200μm-1mm的单晶片与环氧树脂交替排列；应力板加固的2-2结构复合材料由2-2结构的复合材料上下两个电极面上分别用面板进行加固得到。具有阵列结构的2-2型及面板加强的有序复合压电材料可用于水声换能器中。
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