-
公开(公告)号：CN111074334B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911347149.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多坩埚晶体生长炉工位联动控制装置及方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的工位支撑架。本发明能够有效解决目前多坩埚晶体炉工位无法既能联动控制又能独立控制的问题，避免因单一问题工位停炉而影响单晶炉内其它正常工位晶体生长的情况，从而提高整体晶体生长效率。
-
公开(公告)号：CN111379012B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010333801.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上活动连接有水平支撑杆，水平支撑杆的端部通过引下管导向管夹连接有引下管导向管，所述引下管导向管上部设置单晶生长炉，还包括升降平台以及用于驱动升降平台的升降电机，升降平台位于引下管导向管的下侧，升降平台上通过引下管支座活动连接有预装铂金坩埚的引下管。本发明可以有效避免因引下管装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN110923802B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911348765.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架，坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中，炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口，坩埚引下装置内部设置有坩埚，外侧套设有均温管，均温管外侧套设有环形发热体，环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制，还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。
-
公开(公告)号：CN110923802A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911348765.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架，坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中，炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口，坩埚引下装置内部设置有坩埚，外侧套设有均温管，均温管外侧套设有环形发热体，环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制，还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。
-
公开(公告)号：CN104480530A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410851375.9
申请日：2014-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨、干燥、造粒、成型、排粘、烧瓷等过程，制成与生长坩埚形状相适应的陶瓷原料用以装填入生长坩埚内。本发明可显著改善晶体成品的质量及减小发生坩埚渗漏的风险。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111519034B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010335070.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种弛豫铁电单晶生长用铂金坩埚的回收方法，包括表面清洗、冷酸浸泡、热酸煮、氢氧焰烧、高频感应熔炼等步骤，可以对经过弛豫铁电单晶生长后的受到轻度污染的铂金坩埚进行回收加工处理。经过冷酸与热酸配合的处理，可以有效清除铂金坩埚表面残留的单晶料；经过氢氧焰烧以及高频感应熔炼可以将进入到铂金坩埚内部的单晶杂质去除干净，最终获得较高纯的铂金料。本发明方法回收率高、铂金纯度高、加工性能好，使用本方法回收所得的铂金料加工的铂金坩埚在晶体生长过程中的漏埚率低。
-
公开(公告)号：CN111394782B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010335062.3
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆和第二水平支撑杆，第一水平支撑杆和第二水平支撑杆上均设置有刻度，第一水平支撑杆的端部通过引下管夹连接有引下管，第二水平支撑杆的端部通过铂金坩埚定位管夹连接有铂金坩埚定位管，所述铂金坩埚定位管下部穿插在引下管中，铂金坩埚定位管中活动连接有铂金坩埚。本发明可以有效避免因装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN111519034A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010335070.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种弛豫铁电单晶生长用铂金坩埚的回收方法，包括表面清洗、冷酸浸泡、热酸煮、氢氧焰烧、高频感应熔炼等步骤，可以对经过弛豫铁电单晶生长后的受到轻度污染的铂金坩埚进行回收加工处理。经过冷酸与热酸配合的处理，可以有效清除铂金坩埚表面残留的单晶料；经过氢氧焰烧以及高频感应熔炼可以将进入到铂金坩埚内部的单晶杂质去除干净，最终获得较高纯的铂金料。本发明方法回收率高、铂金纯度高、加工性能好，使用本方法回收所得的铂金料加工的铂金坩埚在晶体生长过程中的漏埚率低。
-
公开(公告)号：CN111379012A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010333801.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上活动连接有水平支撑杆，水平支撑杆的端部通过引下管导向管夹连接有引下管导向管，所述引下管导向管上部设置单晶生长炉，还包括升降平台以及用于驱动升降平台的升降电机，升降平台位于引下管导向管的下侧，升降平台上通过引下管支座活动连接有预装铂金坩埚的引下管。本发明可以有效避免因引下管装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN111394782A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010335062.3
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆和第二水平支撑杆，第一水平支撑杆和第二水平支撑杆上均设置有刻度，第一水平支撑杆的端部通过引下管夹连接有引下管，第二水平支撑杆的端部通过铂金坩埚定位管夹连接有铂金坩埚定位管，所述铂金坩埚定位管下部穿插在引下管中，铂金坩埚定位管中活动连接有铂金坩埚。本发明可以有效避免因装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
