公开(公告)号：CN115787061A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211435950.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李振荣 ,  黄戈萌 ,  杨琛 ,  马明 ,  巩蕊玲 ,  夏颂

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种多片式氮化镓晶体生长装置及方法，在基座的插槽中插入多片籽晶，将嵌有籽晶的基座放入坩埚中，加入生长溶液；坩埚装入高压反应釜中，将反应釜放入高温晶体生长炉中，抽真空后通入含氮气体；在生长温度以及生长压力下，通过摇摆使生长溶液处于流动状态，含氮气体中氮气分子在助熔剂的作用下解离为氮离子，当生长溶液中氮的溶解浓度达到外延生长所需阈值时，在多片籽晶表面外延生长GaN晶体。本发明中含氮气体中氮气分子解离为氮离子，通过使生长溶液流动，生长溶液的强制对流促进了氮离子的扩散与对流，有效提高了氮在生长溶液中溶解的均匀性，并且保证了多片籽晶生长的一致性。

公开(公告)号：CN119593052A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411954341.2

申请日：2024-12-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 马明 ,  李振荣 ,  夏颂 ,  杨琛 ,  黄戈萌 ,  潘荣林

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明公开一种助熔剂法氮化镓单晶生长连续加料装置及方法，装置包括压力平衡调节系统、高温高压腔体、晶体生长坩埚以及装有原料的高压腔体；高温高压腔体内设置晶体生长坩埚，晶体生长坩埚上方设置有原料预热管；装有原料的高压腔体与高温高压腔体之间设置有原料输送管路；通过压力平衡调节系统调节高压腔体与高温高压腔体内的压力，从而实现将高压腔体中的原料连续加入到高温高压腔体中。本发明中通过设置单晶生长腔与原料腔，根据单晶生长腔内原料的消耗量，采用压力平衡调节系统动态调节单晶生长腔与原料腔内气体压力差，实现单晶生长所需气体原料的补充以及液态原料的添加，进而实现晶体的连续发育，有助于实现大尺寸氮化镓单晶的生长。

公开(公告)号：CN116084005A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211658914.8

申请日：2022-12-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李振荣 ,  杨琛 ,  闫豪 ,  马明 ,  黄戈萌 ,  夏颂

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供的一种适用于氮化镓单晶生长的温度压力联动调控的自动化控制系统，包含气路系统、温控系统、压力采集系统和自动控制系统，所述气路系统、压力采集系统和温控系统均与自动控制系统控制连接，其中：所述压力采集系统用于采集反应釜的压力信息，并将采集到的压力信息传输至自动控制系统；所述气路系统用于向反应釜提供压力；所述温控系统用于向反应釜提供温度；所述自动控制系统用于根据接收到的压力信息和温度信息联动控制气路系统；本发明实现了氮化镓单晶生长时温度和压力的联动调控，同时代替了传统的人工调节，可以大大增加实验的效率和可靠性。