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公开(公告)号：CN119433237A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411567940.9
申请日：2024-11-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种结晶镁的纯化方法以及纯化装置，涉及金属镁冶炼领域。该方法在惰性气氛保护下，首先对待熔炼的镁料进行施加压力的熔融处理，然后将熔融处理后的产物进行施加压力过滤处理，完成镁料的无熔剂熔炼过程，本发明在不使用熔剂的条件下，通过向结晶镁施加压力破开表面氧化壳，实现结晶镁的快速熔化，同时利用液态金属镁和固态氧化壳的流动性差异，实现金属镁液体和大部分氧化物壳体的分离。该方法相比于未施加压力的常规熔炼过程，能够显著提升结晶镁的熔化速率，且除去大部分氧化物杂质，从源头上切断了熔剂使用带来的系列污染问题，实现低成本、高效率、高品质的结晶镁的熔炼。
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公开(公告)号：CN113073211A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110287296.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 惰性气体载流下粉料直接还原出金属镁的方法，将烘干处理后的粉料放入还原管件中的还原罐内，装配好还原管件及结晶所需的石墨管件，将其放入立式三段控温炉；将立式三段控温炉接真空泵和高纯惰性气体；对通入的惰性气体进行加热；发生硅热还原反应的区域，当粉料充分反应后，使其在流动的惰性气体环境中冷却至室温，制备得到产物；本发明无需压球步骤便可实现常压下的粉料的还原，从而实现纯镁制备；该方法从实质上改变了反应物的状态，使得无需压球便可直接进行还原，以气体为传热介质及其强烈的对流换热提高粉料之间的传热效率，且运动的粉料基本无粘罐的问题，解决了硅热还原法炼镁的高污染、低效率、高能耗等问题。
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公开(公告)号：CN106525584A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610994827.8
申请日：2016-11-11
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: G01N3/08 , B81C99/001
Abstract: 一种用于透射电子显微镜下原位力学加载工具的制备方法，包括：测量毛坯压头根部与顶端连接产生的两个平面的宽度比，即L1/L2；将的毛培压头，放入样平台上，旋转样品台，直至在离子成像模式下，成像的压头根部与顶端连接产生的两个平面的宽度比与步骤一中的L1/L2保持一致；偏转离子束入射角度，直至离子束成像模式下，所成像的压头边顶部的边平行水平方向，设此时离子束入射偏转角度为α；成像模式下切制出压头大致轮廓；样品台旋转180°，将离子束偏转角度恢复至初始角度，成像模式下，对雏形压头进行减薄，将样品台旋转180°，离子束偏转角度设为α，切制得到加载工具；本发明具有重复性好、压头与样品接触良好的优点。
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公开(公告)号：CN113061790B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110280328.3
申请日：2021-03-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种具有宽腐蚀速率范围的Mg‑Zn‑Ni三元镁合金材料，原料组分按照100wt％计，为：Zn 4‑10wt％，Ni 0.5‑4wt％，其余为Mg，三者通过熔炼反应生成合金；本发明通过生成不同相以及相数量的差异，实现宽腐蚀速率范围变化，同时调整其力学性能，具体是Mg、Zn、Ni三种合金元素通过熔炼反应生成合金，其组织组成相包括αMg、Mg2Ni相、MgZnNi相、MgZn相等，其中由于Mg2Ni相与基体的电极电位差比较大，在腐蚀环境中容易发生电偶腐蚀，从而加快腐蚀的发生，MgZnNi相、MgZn相与基体电极电位差相对比较小，腐蚀过程相对缓慢；在制备合金过程中，通过合理调节各元素的含量，可以控制生成不同物相并改变其数量，从而调控合金的腐蚀速率使其在一定范围内变化。
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公开(公告)号：CN108707889A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810600958.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种镁合金原位生长LDH转化膜的方法，步骤一：将镁合金打磨后在丙酮中超声波震洗得到震洗样品；步骤二：将震洗样品放入碱洗液中进行碱洗得到碱洗样品；步骤三：将碱洗样品放入酸洗液中进行酸洗得到酸洗样品；步骤四：将酸洗样品浸入活化液中进行活化处理，得到预处理镁合金；步骤五：将预处理镁合金置于水热转化处理液中进行水热反应，反应结束后得到转化处理样品；步骤六：将转化处理样品置于酒精中进行超声清洗，然后于空气中干燥，即得到镁合金原位生长LDH转化膜。本发明经过合适的预处理之后，直接在镁合金表面制备出均匀致密的LDH转化膜，不但可以大幅度提高耐蚀性，同时工艺简单有效，还可应用于各种零部件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107344241A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710726429.2
申请日：2017-08-22
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: B22F9/12 , B22F1/0018 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种高纯镁粉末制备方法，该方法将镁块于1100～1300℃加热，使其在持续流通的惰性气体环境中升华,保温一段时间后冷却至室温,在冷凝区的收集装置处得到高纯镁粉。通过控制温度和惰性气体流速可有效调控粉末粒度，提高产率。与传统的粉末制备方式相比，本发明简便易行，周期短，成本低，粉末粒径小纯度高，可实现低成本短周期大批量高纯镁粉的制备。
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公开(公告)号：CN102586854A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210044381.4
申请日：2012-02-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种钨针尖的自动化、高效直流控制动态制备装置及方法。装置利用电化学反应原理，通过直线电机带动钨丝在NaOH腐蚀液中上下往复运动，使得反应在阳极钨丝和阴极环形铜电极之间进行，并利用采样电阻、低通滤波电路、电压跟随器和高速比较器监控电路中电流的变化。当钨丝在电解质溶液中蚀断的瞬间，电路中电流的突变使得比较器输出信号变化，切断加压回路，结束整个电解腐蚀过程。装置还可以利用直线电机运动速度的变化调节钨针的锥度及尖端半径。该装置和方法的特点是钨针制备自动化程度高、重复性好、效率高。
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公开(公告)号：CN116949553A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310506625.4
申请日：2023-05-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法，涉及单晶生长技术领域。本发明提供的镁单晶生长装置包括加热炉、置料管、控流滤杂板和坩埚，加热炉包括界定密封炉腔的炉体和加热室的炉管，炉体内沿炉管设温度调控系统，炉体上设气氛调控系统和水冷循环系统；坩埚和置料管置于炉管中，控流滤杂板设在坩埚内壁和置料管内壁交界处。该镁单晶生长装置可以使多晶镁原料在熔化区受热熔化为熔融液体，以熔滴的形式滴落在坩埚中形核、结晶并沿着稳定的液相薄层生长。该镁单晶生长方法通过对关键过程进行针对性控制，解决了现有技术中生长高纯度大尺寸镁单晶面临的周期长、能耗大、成本高等问题，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106525584B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610994827.8
申请日：2016-11-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种用于透射电子显微镜下原位力学加载工具的制备方法，包括：测量毛坯压头根部与顶端连接产生的两个平面的宽度比，即L1/L2；将的毛培压头，放入样平台上，旋转样品台，直至在离子成像模式下，成像的压头根部与顶端连接产生的两个平面的宽度比与步骤一中的L1/L2保持一致；偏转离子束入射角度，直至离子束成像模式下，所成像的压头边顶部的边平行水平方向，设此时离子束入射偏转角度为α；成像模式下切制出压头大致轮廓；样品台旋转180°，将离子束偏转角度恢复至初始角度，成像模式下，对雏形压头进行减薄；将样品台旋转180°，离子束偏转角度设为α，切制得到加载工具；本发明具有重复性好、压头与样品接触良好的优点。
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公开(公告)号：CN106381460A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610807830.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C8/06
CPC classification number: C23C8/06
Abstract: 本发明提供一种镁及其合金的防腐蚀方法及MgCO3层作为抗腐蚀层的应用，将CO2气体等离子体化来提高其反应活性，使之在常温下与金属镁表面在空气中自然氧化生成的疏松多孔的MgO膜发生反应生成MgCO3保护层来提高镁及其合金的抗腐蚀性能；该方法节能环保，适用于所有的镁及其合金样品，是一种广谱的抗蚀方法，同时该方法工艺简单且反应过程无需加热，不会改变镁及其合金本身的性能及产品精度，可以对任何复杂几何的试样进行表面处理。
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