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公开(公告)号：CN101482405A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910020925.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开了一种曲面样品基底涂层厚度的测量方法及样品装卡工具，首先用一个专用曲面样品装卡工具装卡曲面样品；然后调节样品安装板的位置及前后倾角，并调节曲面样品装卡工具旋转机构的左右倾角，使磨削球能够接触到曲面样品被测曲面；采用与平面样品同样的方法对曲面样品被测曲面两个曲率半径相同的不同的点进行磨削，得两个大小不同的椭圆磨痕；测量磨痕膜/基结合处和涂层表面的长轴尺寸，利用本发明推导的计算公式即可获得涂层的厚度及误差范围。采用本发明所设计的样品装卡工具，利用现有球磨法测平面样品涂层厚度的设备可精确的测量曲面样品涂层厚度，操作方便、测量成本低。
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公开(公告)号：CN103305671B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310185394.8
申请日：2013-05-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种对金属表面进行梯度纳米化的方法，该方法采用滚压刀具通过间歇式进刀滚压的方法对金属表面进行梯度纳米化，包括以下步骤：1）每道次进刀量不变的条件下，采用连续式进刀对金属表面进行若干道次滚压，然后在不退刀且总进刀量不变的条件下，在金属表面滚压若干道次；2）重复步骤1），直至在金属表面获得一层组织均匀的纳米层。本发明不仅可以在难变形金属表面获得一层厚度较深的梯度纳米层，在难变形金属表面获得一层晶粒尺寸从纳米级到微米级呈梯度分布的组织细化层，而且可显著改善金属材料的表面质量，和现有技术比较，该方法具有操作简单、容易实现和加工成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN101726526B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910219073.9
申请日：2009-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/407 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及SO2气体传感器领域，公开一种固体电解质SO2气体传感器及其制作方法。该固体电解质SO2气体传感器，包括硅基片，依次设置在硅基片上面的SiO2绝缘层、导电膜、Sn/SnF2薄膜、LaF3固体电解质薄膜和Pt网，所述导电膜连出第一引线，Pt网连出第二引线。本技术方案的中，所述导电膜为Al膜；其制作方法采用MEMS(微机电系统)技术，工艺简单，实现方便。
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公开(公告)号：CN101482405B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910020925.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开了一种曲面样品基底涂层厚度的测量方法及样品装卡工具，首先用一个专用曲面样品装卡工具装卡曲面样品；然后调节样品安装板的位置及前后倾角，并调节曲面样品装卡工具旋转机构的左右倾角，使磨削球能够接触到曲面样品被测曲面；采用与平面样品同样的方法对曲面样品被测曲面两个曲率半径相同的不同的点进行磨削，得两个大小不同的椭圆磨痕；测量磨痕膜/基结合处和涂层表面的长轴尺寸，利用本发明推导的计算公式即可获得涂层的厚度及误差范围。采用本发明所设计的样品装卡工具，利用现有球磨法测平面样品涂层厚度的设备可精确的测量曲面样品涂层厚度，操作方便、测量成本低。
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公开(公告)号：CN103305671A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310185394.8
申请日：2013-05-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种对金属表面进行梯度纳米化的方法，该方法采用滚压刀具通过间歇式进刀滚压的方法对金属表面进行梯度纳米化，包括以下步骤：1）每道次进刀量不变的条件下，采用连续式进刀对金属表面进行若干道次滚压，然后在不退刀且总进刀量不变的条件下，在金属表面滚压若干道次；2）重复步骤1），直至在金属表面获得一层组织均匀的纳米层。本发明不仅可以在难变形金属表面获得一层厚度较深的梯度纳米层，在难变形金属表面获得一层晶粒尺寸从纳米级到微米级呈梯度分布的组织细化层，而且可显著改善金属材料的表面质量，和现有技术比较，该方法具有操作简单、容易实现和加工成本较低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102095766B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010570145.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型集成温控式CO2气体传感器及制备方法，所述传感器包括微型集成温控式装置与高温工作薄膜型固体电解质气敏元件，其特征在于，所述微型集成温控式装置由MEMS工艺加工的硅基体、SiO2层、Si3N4层、Pt加热器和测温元件组成；在微型集成控温结构上，通过微细加工工艺沉积SiO2层、Li3PO4固体电解质薄膜、Pt金属电极、反应电极Li2CO3和参比电极Li2TiO3/TiO2，形成薄膜型固体电解质CO2气敏元件。通过Pt加热器和测温元件的反馈组成闭环控制系通统，使传感器的温度达到工作所需的指定温度，并保持恒定，保证了CO2气体传感器最佳的性能。
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公开(公告)号：CN101672625A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910024280.9
申请日：2009-10-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了硬脆性光学材料亚表面损伤层厚度的测量方法，首先使用磁流变加工工艺在样品表面加工出一特定剖切平面，剖切亚表面损伤层，并将亚表面损伤反映到剖切平面上；使用腐蚀性化学试剂对剖切平面进行处理，将剖切平面上的亚表面裂纹暴露放大；使用粗糙度测量工具测量剖切平面上不同位置处的粗糙度值，得到粗糙度值变化曲线；由粗糙度曲线上取得数据开始趋向平稳的临界点或极点，及测量过程中记录下的起始点，求得这两点之间的高度差或投影在原有表面两点的高度差，即样品亚表面损伤层厚度d。采用本发明方法快捷、准确，可测量多面型、多材料的光学样品，亦可实现大口径、工程化应用。
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公开(公告)号：CN102095766A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010570145.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微型集成温控式CO2气体传感器及制备方法，所述传感器包括微型集成温控式装置与高温工作薄膜型固体电解质气敏元件，其特征在于，所述微型集成温控式装置由MEMS工艺加工的硅基体、SiO2层、Si3N4层、Pt加热器和测温元件组成；在微型集成控温结构上，通过微细加工工艺沉积SiO2层、Li3PO4固体电解质薄膜、Pt金属电极、反应电极Li2CO3和参比电极Li2TiO3/TiO2，形成薄膜型固体电解质CO2气敏元件。通过Pt加热器和测温元件的反馈组成闭环控制系通统，使传感器的温度达到工作所需的指定温度，并保持恒定，保证了CO2气体传感器最佳的性能。
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公开(公告)号：CN101672625B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910024280.9
申请日：2009-10-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了硬脆性光学材料亚表面损伤层厚度的测量方法，首先使用磁流变加工工艺在样品表面加工出一特定剖切平面，剖切亚表面损伤层，并将亚表面损伤反映到剖切平面上；使用腐蚀性化学试剂对剖切平面进行处理，将剖切平面上的亚表面裂纹暴露放大；使用粗糙度测量工具测量剖切平面上不同位置处的粗糙度值，得到粗糙度值变化曲线；由粗糙度曲线上取得数据开始趋向平稳的临界点或极点，及测量过程中记录下的起始点，求得这两点之间的高度差或投影在原有表面两点的高度差，即样品亚表面损伤层厚度d。采用本发明方法快捷、准确，可测量多面型、多材料的光学样品，亦可实现大口径、工程化应用。
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公开(公告)号：CN101726526A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910219073.9
申请日：2009-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/407 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及SO2气体传感器领域，公开一种固体电解质SO2气体传感器及其制作方法。该固体电解质SO2气体传感器，包括硅基片，依次设置在硅基片上面的SiO2绝缘层、导电膜、Sn/SnF2薄膜、LaF3固体电解质薄膜和Pt网，所述导电膜连出第一引线，Pt网连出第二引线。本技术方案的中，所述导电膜为Al膜；其制作方法采用MEMS(微机电系统)技术，工艺简单，实现方便。
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