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公开(公告)号：CN116364728A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211666997.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , H01L31/105 , G01S17/88
Abstract: 本发明涉及一种与SOI波导集成的阵列平衡探测器，属于光通信有源器件、光互连器件技术领域。本发明提出一种有机键合技术，采用中间媒介(BCB胶)的辅助粘合方式，将InGaAsPIN平衡探测器光敏芯片通过高精度对准工艺倒扣式键合在SOI波导结构上，键合层低于150nm，利用高分子聚合物的热固性或热塑性来达到粘合效果，设置微纳光栅将光信号垂直向上引出SOI波导，进入到平衡探测器中。通过以上措施，完成平衡探测器PIN光敏芯片与干涉光波导结构的高精度光耦合异质集成，实现激光雷达相干探测系统接收模块的芯片化。
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公开(公告)号：CN117890307A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311675182.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G01N21/17 , G01N21/01 , H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/02216 , H01S5/02315
Abstract: 本发明公开了一种小型化光生光谱传感器，其包括集成在一个圆柱体内的激光器、信号采集系统、TEC驱动电路、激光器驱动电路、光生池、MEMS微音处理芯片；激光器采用单边引线的金属蝶形外壳封装，内部集成半导体制冷器、6个激光器芯片、铜制基片和光学系统；半导体制冷器上布置铜制基片，铜制基片上间隔设置凹槽，凹槽内和相邻凹槽之间的突出台面上布置激光器芯片；蝶形封装的一侧为管脚插针，另一层有出光孔，将带激光器芯片的半导体制冷器贴装到蝶形外壳上，最后将金属盖板采用储能封焊工艺完成封装。本发明解决传感器功耗大、集成度低等技术难题，实现传感器对新能源、煤矿、化工等行业气体化学成分的在线监测与离线检测应用。
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公开(公告)号：CN116093008A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211484790.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提出一种平面连杆结构芯片夹持装置，包括装置壳体、可更换的夹持头、平面连杆结构、按钮、弹簧和调节螺丝。本装置采用平行四边形的平面连杆结构，能够使得夹持头的夹持部始终处于平行姿态，在接触元器件时的接触区域为面接触，能够降低接触压力；元器件的夹持力度只受弹簧张紧程度的影响，夹持力度稳定，不会因为使用人熟练度差而损坏芯片；通过调节螺丝改变弹簧的张紧程度，能够改变夹持头的夹持力度；可以根据不同元器件尺寸，更换不同结构的夹持头，具有结构紧凑、可靠、元器件规格适应性强等特点。
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公开(公告)号：CN116053336A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211691594.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN114518081A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111622145.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G01B11/27
Abstract: 本发明属于光电探测器芯片贴装工艺技术领域，具体涉及一种单元类器件同心度辅助贴装装置，包括：对位平台和视觉显微镜；所述对位平台用于管座的装夹和位置调节，视觉显微镜用于器件图案和参考模板显示；对位平台包括：管座夹具、X‑Y‑R微动台和固定底板，三者之间连接；本发明基于对位平台和同心圆参考模板进行对位贴装，相比传统手动贴装方法，对位精度和一致性更高，贴装后无需再次进行同心度测试。本发明采用显示器进行图像显示，相比肉眼在显微镜视场下观察更加便捷，同时有利于缓解作业疲劳。本发明的载盘可沿圆周装夹多只管座，通过X‑Y‑R微动台调节可实现不同管座的位置切换，载盘和避空底座采用套合式装配，有利于快速更换，提升周转效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112926277A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011592466.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G06F30/327 , G06F30/34 , G06F15/78
Abstract: 本发明涉及一种小型化焦平面阵列测试数据采集和显示系统设计方法，其中，包括：S1、确定焦平面阵列测试数据采集和显示系统的总体架构；S2、在下位机中，对SoC芯片中的FPGA部分进行数字逻辑设计，提供焦平面阵列所需的工作时序并采集焦平面阵列获取的数据，工作时序信号与主时钟同步；S3、在下位机中，对SoC芯片中的ARM部分进行高级语言程序设计，采用双中断技术处理分别来自FPGA和上位机的中断请求，实现上位机与下位机的数据交换；S4、在上位机中，采用.NET框架设计图形界面对下位机进行控制，实现数据接收和解码，利用OpenTK以三维或二维模式对解码后的数据进行实时显示。
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公开(公告)号：CN109709533A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811584566.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统。该系统采用窄脉冲半导体激光器光源，相比于外场成像试验用的大功率固体激光器，其体积小，功率低，成本低，输出光功率可调，是实现目标极微弱光照射的非常理想的激光光源；采用暗箱隔绝箱体外环境的杂散光，使进行单光子成像探测的准确性得到保证；通过调节窄脉冲半导体激光器的激光输出延迟和调节探测器与标靶距离，可实现室内模拟远距离目标的成像探测；通过调节错位标靶中两标靶之间的距离，可实现探测器的极限距离分辨率成像探测。本发明无需外场，在室内即可完成盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能的测试。
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公开(公告)号：CN105222392A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510673928.0
申请日：2015-10-16
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: F25B21/02
Abstract: 本发明提出的一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法，利用本发明可以显著提高半导体制冷器的抗过载冲击能力。本发明通过以下技术方案予以实现：首先对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护，在底边留出排气孔；将半导体制冷器灌胶口向上，竖直放置在专用工装内加热；用注胶针筒，采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器内；灌封完毕，对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热，使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁，并排出半导体制冷器内的空气泡；最后将制冷片从专用工装中取出，竖直放置自然固化至少24h。本发明解决了现有技术高过载环境下碲化铋晶粒受力易碎或陶瓷板破损的问题。
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公开(公告)号：CN114518081B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111622145.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G01B11/27
Abstract: 本发明属于光电探测器芯片贴装工艺技术领域，具体涉及一种单元类器件同心度辅助贴装装置，包括：对位平台和视觉显微镜；所述对位平台用于管座的装夹和位置调节，视觉显微镜用于器件图案和参考模板显示；对位平台包括：管座夹具、X‑Y‑R微动台和固定底板，三者之间连接；本发明基于对位平台和同心圆参考模板进行对位贴装，相比传统手动贴装方法，对位精度和一致性更高，贴装后无需再次进行同心度测试。本发明采用显示器进行图像显示，相比肉眼在显微镜视场下观察更加便捷，同时有利于缓解作业疲劳。本发明的载盘可沿圆周装夹多只管座，通过X‑Y‑R微动台调节可实现不同管座的位置切换，载盘和避空底座采用套合式装配，有利于快速更换，提升周转效率。
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公开(公告)号：CN109709533B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811584566.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统。该系统采用窄脉冲半导体激光器光源，相比于外场成像试验用的大功率固体激光器，其体积小，功率低，成本低，输出光功率可调，是实现目标极微弱光照射的非常理想的激光光源；采用暗箱隔绝箱体外环境的杂散光，使进行单光子成像探测的准确性得到保证；通过调节窄脉冲半导体激光器的激光输出延迟和调节探测器与标靶距离，可实现室内模拟远距离目标的成像探测；通过调节错位标靶中两标靶之间的距离，可实现探测器的极限距离分辨率成像探测。本发明无需外场，在室内即可完成盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能的测试。
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