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公开(公告)号：CN119894125A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411826205.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H10F30/29 , H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/30 , H10F77/20
Abstract: 本发明公开了一种极低噪声盖革雪崩单光子探测器，采用分子束外延工艺，在半绝缘磷化铟衬底(1)上，依次外延磷化铟缓冲层(2)、N+型磷化铟接触层(3)、铟铝砷过渡层(4)、铟铝砷锑倍增层(5)、P+型铟铝砷锑电荷层(6)、铟镓砷保护层(7)、铟镓砷磷吸收层(8)、铟镓砷顶层(9)，形成铟镓砷磷/铟铝砷锑异质结材料；采用原位选区P型掺杂工艺，在铟镓砷顶层(9)中形成P+型掺杂区(10)，刻蚀出台阶型沟槽，在表面沉积钝化膜(11)，制备出与铟镓砷顶层(9)相连的P电极(12)、与N+型磷化铟接触层(3)相连的N电极(13)，并在进光孔内制备增透膜(14)，形成具有平面‑台面复合、PN电极共面的盖革雪崩芯片结构。
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公开(公告)号：CN116053336A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211691594.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN104577699A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410849950.1
申请日：2014-12-31
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明提出的一种复合激光介质的扩散键合方法，旨在提供一种可控性强、性能良好的方法。本发明通过下述技术方案予以实现：从上述陶瓷或晶体中先选取二块或多块；再对选取介质进行光学加工；将二块或多块介质经酒精清洗后，放入硫酸体积：磷酸体积＝1:5，10％～20％的混合酸中；将介质从酸液中取出清洗，然后在结合面涂覆硅胶进行胶粘，用钼夹具压紧；将压紧后的陶瓷或晶体的复合体放入马沸炉中缓慢升温到300℃保温3～10小时，再缓慢升温到800℃保温，然后缓慢降至室温。再将复合体从马沸炉中取出，放入真空烧结炉中，在1600～1800℃保温，最后缓慢降至室温。将制备得到的复合介质放入气氛烧结炉中，在氢气、氧气或空气气氛下1200～1500℃保温40～200小时，随后降至室温。
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公开(公告)号：CN118738192A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410785618.7
申请日：2024-06-18
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管，自下而上依次包括：背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升APD的雪崩信号触发概率，从而提高蓝绿光波段的探测效率。
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公开(公告)号：CN117878131A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311641103.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于光电技术领域，公开了一种集成转接板的高像素密度APD阵列芯片的制备方法，高像素密度APD阵列芯片包括转接板和高像素密度APD阵列。其中，转接板对APD阵列芯片既有支撑作用，又有电性能转接作用。APD阵列芯片的制备方法包括以下步骤：S1，正面主结掺杂；S2，背面深孔刻蚀；S3，绝缘层制备Ⅰ；S4，正面硅外延；S5，正面接触层掺杂；S6，背面填孔；S7，平坦化；S8，绝缘层制备Ⅱ；S9，电极制备；S10，正面增透层制备。本发明属于一种耗尽层达微米级厚度的高像素密度APD阵列芯片的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112802921A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011592448.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n+、背面接触层p+制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；在制结工艺过程中通入一定量的三氯乙烯进行含氯氧化，通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率，以抵消温度差异对结深造成的影响。本发明在硅APD制造工艺基础上，减少了多步高温工艺对结深造成的误差积累，尤其提高了硅APD活性区p、主结掺杂区n+的制结工艺精度，在制结工艺过程中控制三氯乙烯流量进行含氯氧化，通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率，抵消温度差异对结深造成的影响，因此提高了制结工艺精度。
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公开(公告)号：CN103820859A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310750513.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明提出的一种掺杂钇铝石榴石陶瓷转变为单晶的制备方法，旨在提供一种可控性强，掺杂钇铝石榴石晶体组分均匀的固态晶体生长方法，本发明通过下述技术方案予以实现：在纳米掺杂钇铝石榴石陶瓷粉料中添加粉体重量0.2%～1%的二氧化硅、氧化镁、氟化锂中至少一种作为烧结助剂，随后同玛瑙球一起以酒精为介质球磨；在600～800℃流动氧气气氛下加热，再将粉料装入不锈钢磨具中干压成型陶瓷素坯，并进一步冷等静压陶瓷素坯，在真空度高于10-3Pa、温度大于1550℃保温得到掺杂钇铝石榴石陶瓷；将钇铝石榴石晶体和掺杂钇铝石榴石陶瓷光胶组合形成复合体，在大于1600℃高温、0～300MPa高压氩气处理20小时；掺杂钇铝石榴石单晶在氢气、氧气或空气气氛下大于1200℃保温100小时以上。
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公开(公告)号：CN114744123A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111580324.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜阳极；采用PS‑TPD‑PFCB等材料作为电子阻挡层；采用基于Cy18F4等短波红外吸收染料与钙钛矿材料制备光吸收活性层；采用P3HT：PCBM等材料混合共掺杂作为电子传输层；采用C60等材料作为空穴阻挡层；采用LiF阴极修饰层和Al金属阴极。本发明采用高短波红外吸收染料钙钛矿，解决现有有机聚合物等光电材料对短波红外波段响应较差的问题，采用电子传输材料混合共掺杂技术，解决有效提升载流子传输效率的问题。
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公开(公告)号：CN113340414A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110641611.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种扁平式象限激光探测器组件及其制备方法，探测器组件包括光敏芯片、放大电路和器件壳体；探测器组件内部光敏芯片与放大电路采用平面布局；光敏芯片为象限光电二极管，用于将接收到的激光信号转换为脉冲电流信号；放大电路采用单片式外圆内圆或外圆内方的中空结构，由晶体管芯、放大器芯片和电阻等元件通过双面表贴集成于电路基片，用于将光敏芯片输出的多路脉冲电流信号转换为脉冲电压信号并放大整形输出；器件壳体由含管座基体和引脚的管座及含管帽基体和光窗的管帽组成。本发明具有结构紧凑、工艺简单、抗高过载、低成本和高可靠性等特点。
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公开(公告)号：CN117650201A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311706819.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形状的微构造硅层；在上述硅衬底背面涂覆光刻胶，背面淀积介质膜钝化层，涂覆光刻胶，光刻、刻蚀介质膜层，去除光刻胶后，背面淀积金属，随后重新涂覆光刻胶，光刻后进行金属腐蚀，再次去除光刻胶，完成背面钝化层与背面金属电极区制备，然后进行电极合金化。本发明具备操作简便、成本低廉、不引入金属杂质离子、与现有硅基雪崩二极管制造工艺相兼容等特点，具备规模化生产的应用前景。
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