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公开(公告)号：CN211595781U
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202020275308.8
申请日：2020-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本实用新型涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置，所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪，保护壳体内设置有保护腔室，磁控溅射枪设置在保护腔室内，保护壳体的底部设置有闸板阀，所述闸板阀用于封闭保护腔室，所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部，所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本实用新型通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材，让靶材处于保护腔室的真空保护状态，在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化，减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响，对促进易氧化靶材的连续制备研究，特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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