公开(公告)号：CN116234421A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310127666.2

申请日：2023-02-16

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  赵朝政 ,  姚淑一 ,  朱宗涛 ,  陈辉

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种改善忆阻器性能的方法，此方法属于半导体纳米材料及存储器技术领域。基于二次阳极氧化法的忆阻器制备工艺，本专利采用热处理工艺对已制备的忆阻器进行后处理，可极大提高忆阻器的循环次数并增强忆阻器的阻变性能。由于本方法操作简单、设备常见，可进行较大规模实际应用，这将为忆阻器广泛的应用奠定基础。

公开(公告)号：CN116000435B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202310060525.3

申请日：2023-01-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  白玉杰 ,  刘屹 ,  赵朝政

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K103/08

Abstract: 本发明属于锆合金连接技术领域。为了发展新的锆合金连接方法，降低扩散连接温度，本发明提出首先将锆合金在高纯氢气中进行置氢处理，然后再进行锆合金直接真空扩散连接新方法。置氢处理后的锆合金其氢含量在0.05wt.％～0.5wt.％之间，通过加入氢元素，在焊接过程中氢元素促进Zr原子的扩散，可以实现在低于常规扩散连接温度100～150℃和常规扩散压力5～10MPa条件下时间锆合金的直接连接，并且接头无气孔且强度良好。与现有技术相比，本发明大幅度降低了锆合金扩散连接温度，解决了温度超差对新型锆合金燃料包壳长寿命和高可靠等要求的影响。

公开(公告)号：CN116000435A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310060525.3

申请日：2023-01-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  白玉杰 ,  刘屹 ,  赵朝政

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K103/08

Abstract: 本发明属于锆合金连接技术领域。为了发展新的锆合金连接方法，降低扩散连接温度，本发明提出首先将锆合金在高纯氢气中进行置氢处理，然后再进行锆合金直接真空扩散连接新方法。置氢处理后的锆合金其氢含量在0.05wt.％～0.5wt.％之间，通过加入氢元素，在焊接过程中氢元素促进Zr原子的扩散，可以实现在低于常规扩散连接温度100～150℃和常规扩散压力5～10MPa条件下时间锆合金的直接连接，并且接头无气孔且强度良好。与现有技术相比，本发明大幅度降低了锆合金扩散连接温度，解决了温度超差对新型锆合金燃料包壳长寿命和高可靠等要求的影响。