公开(公告)号：CN113539866A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110779909.1

申请日：2021-07-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  姚淑一 ,  朱宗涛 ,  王尧 ,  白玉杰 ,  陈辉

IPC: H01L21/607 ,  H01L45/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，属于半导体纳米材料及存储器技术领域，其步骤包括：(1)采用阳极氧化法在底电极上制备中间介质层；(2)采用超声辅助钎焊在中间介质层上制备顶电极；本发明基于超声辅助钎焊的方式实现了顶电极/TiO2/Ti的忆阻器器件制备，操作简单，具有忆阻器特有的阻变性能；本发明的方法大幅降低了忆阻器的制备成本，从而推动其在电子领域的发展及应用。

公开(公告)号：CN110616451A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910544617.2

申请日：2019-06-21

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  石鑫 ,  郑向博 ,  陈辉

IPC: C25D15/00 ,  C25D5/34 ,  C25D3/56 ,  C25D3/12 ,  B23K1/06 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种增强硬质合金与金属焊接界面强度的方法，将陶瓷颗粒以溶胶的方式添加到镀液中在基材上形成溶胶-金属基材复合镀层，再将制备了溶胶-金属基材复合镀层的基材用钎焊的方法加以连接。用该方法焊接之后可以增强界面结合强度和接头的力学性能。

公开(公告)号：CN104807544B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510191364.7

申请日：2015-04-22

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 戴茂春 ,  王尧 ,  常相辉 ,  韦联福 ,  贾欣燕 ,  樊代和

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种光束轨道角动量值的检测装置和检测方法，检测装置包括顺着光束传播路径设置的半波片、空间光调制器、聚焦透镜和CCD相机，所述空间光调制器和CCD相机均与计算机相连；该检测方法通过观察远场衍射图样中高斯亮斑的位置判断高斯光束所处的衍射级次，从而得到入射螺旋光束所具有的轨道角动量值；本发明的检测装置，具有结构简单、检测方便的优点。

公开(公告)号：CN105784111A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610218754.3

申请日：2016-04-11

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 戴茂春 ,  王尧 ,  樊代和 ,  贾欣燕 ,  常相辉 ,  韦联福

IPC: G01J1/42

CPC classification number: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种螺旋光束轨道角动量谱的检测装置和检测方法，检测装置包括顺着光束传播路径设置的半波片、空间光调制器、聚焦透镜、孔径光阑和光纤耦合头，光纤耦合头通过单模光纤与数据采集模块相连，数据采集模块与控制模块相连，空间光调制器也与控制模块电连接；该检测方法通过观察待测螺旋光束的衍射光场中基模高斯光束经耦合输出后的光功率谱，可得到待测螺旋光束具有的轨道角动量值或轨道角动量谱；该装置不仅可以实现对任意轨道角动量值的螺旋光束的快速检测，同时，能够实现对螺旋光束轨道角动量谱的准确测量。

公开(公告)号：CN104807544A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510191364.7

申请日：2015-04-22

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 戴茂春 ,  王尧 ,  常相辉 ,  韦联福 ,  贾欣燕 ,  樊代和

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种光束轨道角动量值的检测装置和检测方法，检测装置包括顺着光束传播路径设置的半波片、空间光调制器、聚焦透镜和CCD相机，所述空间光调制器和CCD相机均与计算机相连；该检测方法通过观察远场衍射图样中高斯亮斑的位置判断高斯光束所处的衍射级次，从而得到入射螺旋光束所具有的轨道角动量值；本发明的检测装置，具有结构简单、检测方便的优点。

公开(公告)号：CN116000435B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202310060525.3

申请日：2023-01-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  白玉杰 ,  刘屹 ,  赵朝政

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K103/08

Abstract: 本发明属于锆合金连接技术领域。为了发展新的锆合金连接方法，降低扩散连接温度，本发明提出首先将锆合金在高纯氢气中进行置氢处理，然后再进行锆合金直接真空扩散连接新方法。置氢处理后的锆合金其氢含量在0.05wt.％～0.5wt.％之间，通过加入氢元素，在焊接过程中氢元素促进Zr原子的扩散，可以实现在低于常规扩散连接温度100～150℃和常规扩散压力5～10MPa条件下时间锆合金的直接连接，并且接头无气孔且强度良好。与现有技术相比，本发明大幅度降低了锆合金扩散连接温度，解决了温度超差对新型锆合金燃料包壳长寿命和高可靠等要求的影响。

公开(公告)号：CN116000435A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310060525.3

申请日：2023-01-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  白玉杰 ,  刘屹 ,  赵朝政

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/14 ,  B23K20/24 ,  B23K103/08

Abstract: 本发明属于锆合金连接技术领域。为了发展新的锆合金连接方法，降低扩散连接温度，本发明提出首先将锆合金在高纯氢气中进行置氢处理，然后再进行锆合金直接真空扩散连接新方法。置氢处理后的锆合金其氢含量在0.05wt.％～0.5wt.％之间，通过加入氢元素，在焊接过程中氢元素促进Zr原子的扩散，可以实现在低于常规扩散连接温度100～150℃和常规扩散压力5～10MPa条件下时间锆合金的直接连接，并且接头无气孔且强度良好。与现有技术相比，本发明大幅度降低了锆合金扩散连接温度，解决了温度超差对新型锆合金燃料包壳长寿命和高可靠等要求的影响。

公开(公告)号：CN113539866B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110779909.1

申请日：2021-07-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  姚淑一 ,  朱宗涛 ,  王尧 ,  白玉杰 ,  陈辉

IPC: H01L21/607 ,  H01L45/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，属于半导体纳米材料及存储器技术领域，其步骤包括：(1)采用阳极氧化法在底电极上制备中间介质层；(2)采用超声辅助钎焊在中间介质层上制备顶电极；本发明基于超声辅助钎焊的方式实现了顶电极/TiO2/Ti的忆阻器器件制备，操作简单，具有忆阻器特有的阻变性能；本发明的方法大幅降低了忆阻器的制备成本，从而推动其在电子领域的发展及应用。

公开(公告)号：CN110616451B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910544617.2

申请日：2019-06-21

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  王尧 ,  朱宗涛 ,  石鑫 ,  郑向博 ,  陈辉

IPC: C25D15/00 ,  C25D5/34 ,  C25D3/56 ,  C25D3/12 ,  B23K1/06 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种增强硬质合金与金属焊接界面强度的方法，将陶瓷颗粒以溶胶的方式添加到镀液中在基材上形成溶胶‑金属基材复合镀层，再将制备了溶胶‑金属基材复合镀层的基材用钎焊的方法加以连接。用该方法焊接之后可以增强界面结合强度和接头的力学性能。

公开(公告)号：CN109136803A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811331763.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李远星 ,  邱思涪 ,  石鑫 ,  朱宗涛 ,  王尧 ,  陈辉 ,  金雨茜 ,  王志敏

IPC: C22F1/04

CPC classification number: C22F1/002 ,  C22F1/04

Abstract: 一种改善铝合金及其焊接接头性能的热处理方法，包括对铝合金或铝合金的焊接接头依次进行固溶处理、水淬和时效处理，其特征在于：所述铝合金为6N01铝合金；所述固溶处理温度为530℃‑550℃，固溶处理时间为50‑90min，时效处理温度为155℃‑180℃，时效处理时间为2h‑13h，时效处理后放置在空气中空冷至室温。该方法用于对6N01系铝合金及其焊接接头进行热处理改性，在不降低强度的前提下，改变其断裂方式，并且提高其抗晶间腐蚀性能。