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公开(公告)号：CN113523578A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110828569.7
申请日：2021-07-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: B23K26/36 , B23K26/352 , B23K26/16 , B23K26/142
Abstract: 本发明涉及激光应用技术领域，公开了一种飞机蒙皮化学辅助湿式激光脱漆方法，包括以下操作步骤：S1、测量铝合金蒙皮表面油漆的厚度δ；S2、在铝合金蒙皮表面待脱漆部位喷洒液体以形成一层小于或等于1mm的液体薄膜，该液体薄膜层能够增加铝合金蒙皮表面对激光的吸收率，减少等离子体和烟尘的产生，约束烟尘的运动轨迹；S3、调节激光的入射角度，并进行一次或多次脱漆；当进行多次脱漆时，每进行一次脱漆前都需重复步骤S1和S2，以使得多次脱漆后剩余油漆层的厚度为零；S4、用去离子水冲洗脱漆部位，以除去可能残留的脱漆碎片。
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公开(公告)号：CN119569107A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411731850.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄二维In2O3‑In2S3异质结的制备方法及其应用，制备步骤S1、采用水热法制备花状In2S3；S2、将花状In2S3以水为溶剂分散，通过超声剥离法制备出In2S3纳米片；S3、另取步骤S1制得的花状In2S3在450‑550℃退火处理得到In2O3；将In2O3以水为溶剂分散，通过超声剥离法制备出In2O3纳米片；S4、向In2S3纳米片溶液中加入乙二醇和乙醇，得到In2S3溶液；向In2O3纳米片溶液中加入甲酰胺和乙醇，得到In2O3溶液；将In2S3溶液滴加到预热至45℃的硅片上，待溶液挥发后，再将硅片升温至200℃，恒温1h，再降温至45℃，滴加In2O3溶液，待溶液挥发后在硅片上形成二维In2O3‑In2S3异质结。本发明解决了二维超薄In2O3‑In2S3异质结材料制备困难的问题，开创了一种新型异质结制备方法。
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公开(公告)号：CN115959701B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310136147.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种3D自组装绣球花状硫化铟的制备方法，步骤如下：S1、将InCl3·4H2O和硫代乙酰胺溶解在去离子水中，形成透明溶液；S2、将透明溶液倒入聚四氟乙烯内衬内，并放入高压釜中，在160℃下保温16h，反应结束后冷却至室温；离心分离得到沉淀物，将沉淀物洗涤后干燥；S3、在空气环境中，将干燥的沉淀物加热至100‑200℃恒温1h，得到终产物硫化铟。本发明的制备方法中，水热合成产生的反应残余物含硫醇末端分子被多孔表面吸附，并用作为纳米反应器内功能化的反应物，通过对纳米反应器进行原位热处理，硫醇端通过共价功能化与In2S3纳米反应器的硫空位重组，显著修饰电子带结构，电子带结构的显著变化大大提高了材料的NO2气体传感性能。
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公开(公告)号：CN117123066A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311289710.6
申请日：2023-10-08
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种用于混合分子精确分离的氧化石墨烯膜的制备方法，其利用不同的高分散性、形状和粒径完全一致且对GO强吸附作用的有机小分子作为插层材料，解决了上述传统插层剂的问题，实现了GO膜层间距在亚纳米级的精确控制和对混合染料的成功分离。
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公开(公告)号：CN117069145A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311144529.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超声辅助合成二维金属氧化物的方法，包括以下步骤：首先利用质量比为60.1wt.％的In、18.8wt.％的Sn、21.1wt.％的Bi合成得到低熔点三元合金。随后，将三元合金放入烧杯中并加入40mL 75％的异丙醇作为溶剂。而后，将烧杯放入超声仪中以120W的超声功率处理1h。超声处理后，将烧杯中的悬浮液离心处理30min，离心转速为4000rpm，以获得少层的二维金属氧化物。本发明首次利用超声波处理低熔点三元合金金属的方法制备得到二维金属氧化物，其较高的制备效率(5wt％‑10wt％)突破了基于液态金属平台和沉积法难以一次大批量制备二维金属氧化物的难题，同时相比于溶剂热法其大大降低了材料合成的设备要求，扩展了二维金属氧化物的制备方法和应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115959701A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310136147.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种3D自组装绣球花状硫化铟的制备方法，步骤如下：S1、将InCl3·4H2O和硫代乙酰胺溶解在去离子水中，形成透明溶液；S2、将透明溶液倒入聚四氟乙烯内衬内，并放入高压釜中，在160℃下保温16h，反应结束后冷却至室温；离心分离得到沉淀物，将沉淀物洗涤后干燥；S3、在空气环境中，将干燥的沉淀物加热至100‑200℃恒温1h，得到终产物硫化铟。本发明的制备方法中，水热合成产生的反应残余物含硫醇末端分子被多孔表面吸附，并用作为纳米反应器内功能化的反应物，通过对纳米反应器进行原位热处理，硫醇端通过共价功能化与In2S3纳米反应器的硫空位重组，显著修饰电子带结构，电子带结构的显著变化大大提高了材料的NO2气体传感性能。
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公开(公告)号：CN110614432A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810627852.1
申请日：2018-06-19
Applicant: 西南交通大学 , 成都轨道交通技术研究院
IPC: B23K26/12 , B23K26/142 , B23K26/70 , B23K26/08
Abstract: 本发明涉及一种轻质合金的激光加工辅助装置，其特征在于，包括一侧开口、内部中空的壳体，所述壳体位于开口侧的相对侧设置有透明透光板，所述壳体内部空腔从开口端向内依次设置有进气管和抽气管，进气管和抽气管上分别倾斜设置有出气孔和抽气孔，出气孔和抽气孔均相对倾斜设置。同时还公开了一种轻质合金的激光加工系统和加工方法。本发明通过壳体保护工件，并将工件加工区待加工区、加工区和已加工区均保护在内，有效防止了整个工件整体的氧化，加强了工件保护效果，保证了激光加工的环境，提高了激光加工的质量。
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公开(公告)号：CN119430278A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411549072.1
申请日：2024-11-01
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种采用一步法制备二维BiOxSy材料的方法及二维BiOxSy在气敏传感器上的应用。首先将粒径1‑3mm的金属铋颗粒分散在Na2S溶液中形成分散液，将分散液在80‑90℃下保持浴式超声1‑3h，然后以转速3000‑4000rpm进行离心分离，去掉沉淀物；得到的上清液以转速10000‑13000rpm进行离心剥离，离心时间30min，得到剥离的二维BiOxSy纳米片。所述Na2S溶液由Na2S·9H2O溶解在乙醇溶液中制得。将制备得到的二维BiOxSy纳米片分散液滴在叉指电极上得到二维BiOxSy气敏传感器。与现有的铋化合物基NO2传感器相比，本发明的传感器具有最低的检测限，具有良好的重复性和可恢复性。
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公开(公告)号：CN115385309B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211135345.9
申请日：2022-09-19
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及应用，包括以下步骤：步骤1：将GaSe粉末置于溶剂中，超声处理；步骤2：在步骤1得到的溶液中滴加H2O2；其中GaSe粉末和H2O2的比例为4：1；步骤3：滴加完成后超声处理，离心得到含二维氧掺杂GaSe纳米片；本发明得到的氧掺杂GaSe纳米片制备得到的气敏传感器件，在UV光激发条件下实现了室温下的可逆传感，其具有较低的NO2检测极限，较快的气敏响应和恢复速度以及优异的气体选择性。
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公开(公告)号：CN115385309A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211135345.9
申请日：2022-09-19
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及应用，包括以下步骤：步骤1：将GaSe粉末置于溶剂中，超声处理；步骤2：在步骤1得到的溶液中滴加H2O2；其中GaSe粉末和H2O2的比例为4：1；步骤3：滴加完成后超声处理，离心得到含二维氧掺杂GaSe纳米片；本发明得到的氧掺杂GaSe纳米片制备得到的气敏传感器件，在UV光激发条件下实现了室温下的可逆传感，其具有较低的NO2检测极限，较快的气敏响应和恢复速度以及优异的气体选择性。
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