公开(公告)号：CN115385309B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211135345.9

申请日：2022-09-19

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李中 ,  唐涛 ,  欧建臻 ,  程银芬 ,  余昊 ,  梁一

IPC: C01B19/04 ,  G01N27/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及应用，包括以下步骤：步骤1：将GaSe粉末置于溶剂中，超声处理；步骤2：在步骤1得到的溶液中滴加H2O2；其中GaSe粉末和H2O2的比例为4：1；步骤3：滴加完成后超声处理，离心得到含二维氧掺杂GaSe纳米片；本发明得到的氧掺杂GaSe纳米片制备得到的气敏传感器件，在UV光激发条件下实现了室温下的可逆传感，其具有较低的NO2检测极限，较快的气敏响应和恢复速度以及优异的气体选择性。

公开(公告)号：CN115385309A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211135345.9

申请日：2022-09-19

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李中 ,  唐涛 ,  欧建臻 ,  程银芬 ,  余昊 ,  梁一

IPC: C01B19/04 ,  G01N27/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，公开了一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及应用，包括以下步骤：步骤1：将GaSe粉末置于溶剂中，超声处理；步骤2：在步骤1得到的溶液中滴加H2O2；其中GaSe粉末和H2O2的比例为4：1；步骤3：滴加完成后超声处理，离心得到含二维氧掺杂GaSe纳米片；本发明得到的氧掺杂GaSe纳米片制备得到的气敏传感器件，在UV光激发条件下实现了室温下的可逆传感，其具有较低的NO2检测极限，较快的气敏响应和恢复速度以及优异的气体选择性。

公开(公告)号：CN117123066A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311289710.6

申请日：2023-10-08

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 余昊 ,  甘文利 ,  欧建臻 ,  胡心一 ,  唐涛 ,  梁一 ,  李中 ,  任白玉 ,  陈冠羽 ,  程银芬

IPC: B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D65/10

Abstract: 本发明提供了一种用于混合分子精确分离的氧化石墨烯膜的制备方法，其利用不同的高分散性、形状和粒径完全一致且对GO强吸附作用的有机小分子作为插层材料，解决了上述传统插层剂的问题，实现了GO膜层间距在亚纳米级的精确控制和对混合染料的成功分离。

公开(公告)号：CN117069145A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311144529.6

申请日：2023-09-05

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李中 ,  唐涛 ,  欧建臻 ,  张文吉 ,  张敏 ,  程银芬 ,  梁一

IPC: C01G29/00 ,  B82Y40/00 ,  B01J19/10

Abstract: 本发明公开了一种超声辅助合成二维金属氧化物的方法，包括以下步骤：首先利用质量比为60.1wt.％的In、18.8wt.％的Sn、21.1wt.％的Bi合成得到低熔点三元合金。随后，将三元合金放入烧杯中并加入40mL 75％的异丙醇作为溶剂。而后，将烧杯放入超声仪中以120W的超声功率处理1h。超声处理后，将烧杯中的悬浮液离心处理30min，离心转速为4000rpm，以获得少层的二维金属氧化物。本发明首次利用超声波处理低熔点三元合金金属的方法制备得到二维金属氧化物，其较高的制备效率(5wt％‑10wt％)突破了基于液态金属平台和沉积法难以一次大批量制备二维金属氧化物的难题，同时相比于溶剂热法其大大降低了材料合成的设备要求，扩展了二维金属氧化物的制备方法和应用领域。