一种基于SiC材料BJT结构能量收集单元的中子探测装置

    公开(公告)号:CN118151213A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410293709.9

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 本发明涉及一种辐射探测装置,具体涉及一种基于SiC材料BJT结构能量收集单元的中子探测装置。解决了现有BJT结构核辐射探测器存在抗辐射性能差、温度稳定性差、厚度大、抗干扰弱和信噪比较低的技术问题。本发明装置包括辐射—带电粒子转换靶、BJT结构半导体带电粒子能量收集单元、高压供电端子、电信号输出端子、入射窗、屏蔽外壳、稳压保护电路和数据采集设备;入射窗与屏蔽外壳合围成腔体,辐射—带电粒子转换靶、BJT结构半导体带电粒子能量收集单元设置在腔体内;辐射—带电粒子转换靶用于将中子转换成次级带电粒子,BJT结构半导体带电粒子能量收集单元结合稳压保护电路将次级带电粒子转换成电信号,再通过数据采集设备进行信号显示。

    一种α粒子阻隔型低能电子探测器件

    公开(公告)号:CN108445530B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201810253358.3

    申请日:2018-03-26

    Abstract: 本发明涉及一种α粒子阻隔型低能电子探测器件。包括一端开口的外壳、真空密封窗、α粒子阻隔层及电子探测装置;真空密封窗位于外壳开口端,与外壳形成真空腔室;α粒子阻隔层紧贴真空密封窗位于外壳内部,且与外壳绝缘,用于阻隔α粒子穿过;电子探测装置包括电子探测器、高压模块和信号采集模块;所述电子探测器位于外壳内部并与α粒子阻隔层平行,电子探测器与α粒子阻隔层之间的间隔形成飞行腔室;高压模块和信号采集模块位于外壳外部,电子探测器阳极与高压模块连接,电子探测器信号输出端和信号采集模块连接;α粒子穿过真空密封窗进入并停留在α粒子阻隔层的微孔中。解决了现有技术中高氡环境下不能对氚发射低能电子直接探测的缺陷。

    闪烁体光子晶体结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN105068106A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510386257.X

    申请日:2015-07-03

    Abstract: 本发明公开了一种闪烁体光子晶体结构及其制作方法,用于解决现有闪烁体光输出效率低的技术问题。技术方案是闪烁体光子晶体结构包括闪烁体和光子晶体两部分,光子晶体由一系列成六角型或四边型周期性排列光子晶体微结构构成。光子晶体制作方法包括阳模板制作、阴模板制作、聚合物涂覆及固化、脱模处理等步骤。由于在闪烁体表面制作一层尺度与闪烁体发光波长相当的周期排布光子晶体微结构,通过光子晶体微结构组成的光子晶体对闪烁体荧光的调制作用,降低闪烁体荧光在界面处的全反射和闪烁体内部光的多次散射,使闪烁荧光尽快从闪烁体表面出射出来,提高了闪烁体光输效率。

    缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法

    公开(公告)号:CN103422169A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201210160213.1

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间,使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns,为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径,为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便,具有较好的稳定性和重现性。

    利用光学方法测量带电粒子束能量的装置

    公开(公告)号:CN102621575A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201110034578.5

    申请日:2011-02-01

    Abstract: 本发明涉及一种利用光学方法测量带电粒子束能量的装置,包括发光组件和至少一组成像组件,发光组件包括密封的闪烁发光腔体,闪烁发光腔体中填充有气体闪烁体,成像组件包括设置在闪烁发光腔体上的遮光筒、镜头以及成像装置。本发明解决了现有的带电粒子束能量测量装置结构复杂、使用时受辐射场强度限制等技术问题,能同时应用于稳态和脉冲辐射场,具有测量直观、能量分辨好、适用于多种带电粒子束能量测量、量程范围宽且简单方便可调的优点。

    一种高计数率条件下的中子伽马脉冲波形堆叠甄别方法

    公开(公告)号:CN119577403A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411530211.6

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种中子伽马堆叠波形甄别方法,具体涉及一种高计数率条件下的中子伽马脉冲波形堆叠甄别方法,解决现有中子伽马波形甄别方法均未考虑中子伽马波形后沿变化,导致正确率较低的技术问题。该高计数率条件下的中子伽马脉冲波形堆叠甄别方法,包括以下步骤:1】采集并存储中子伽马单波形混合信号;2】获得中子数据集和伽马数据集S1;3】构建中子伽马堆叠波形的测试集P1;4】获得中子数据集和伽马数据集S2;5】构建特征参数集T;6】构建训练集样本库P2;7】构建训练数据集P3;8】训练神经网络,利用训练后的神经网络甄别测试集P1中的所有波形,并输出其预测标签,完成高计数率条件下的中子伽马脉冲波形堆叠甄别。

    可同时增强光产额、缩短衰减时间的微量钕掺杂苯乙胺铅溴单晶及其应用

    公开(公告)号:CN119433716A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411511821.1

    申请日:2024-10-28

    Abstract: 本发明具体涉及一种可同时增强光产额、缩短衰减时间的微量钕掺杂苯乙胺铅溴单晶及其应用,解决现有技术难以同时实现提高光产额和缩短发光衰减时间的技术问题。该可同时增强光产额、缩短衰减时间的微量钕掺杂苯乙胺铅溴单晶,采用以下步骤制备:1)称量;称取苯乙胺氢溴酸盐、溴化铅、溴化钕置于玻璃瓶中;所述苯乙胺氢溴酸盐、溴化铅、溴化钕的摩尔比例为2:1:(0.02‑0.05);2)获得前驱体溶液;向玻璃瓶中加入N,N‑二甲基甲酰胺,加热并搅拌至完全溶解,得到前驱体溶液;3)获得晶体;将前驱体溶液过滤后放入玻璃烧杯中结晶,得到钕掺杂苯乙胺铅溴单晶;通过钕对晶体能带结构的调节,实现了辐射复合速率的提升。

    一种输出红外光的复合闪烁辐射探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117637942A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311527543.4

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明涉及辐射探测领域,为解决现有闪烁探测器无法在各个波长范围内实现高效发光的问题,提出一种输出红外光的复合闪烁辐射探测器,复合闪烁辐射探测器包括高阻衬底和设置在高阻衬底上的发光二极管;发光二极管包括P型区、N型区以及位于P型区和N型区之间的量子阱结构;发光二极管的N型区与高阻衬底的一侧连接,高阻衬底的另一侧设置有金属材料电极,P型区远离量子阱结构的一侧上设置有透明材料电极;发光二极管通过分子束外延工艺逐层生长在高阻衬底上,同时,本发明还提出一种输出红外光的复合闪烁辐射探测器的制备方法。

    一种基于钙钛矿-闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法

    公开(公告)号:CN114085664B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202111228351.4

    申请日:2021-10-21

    Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿‑闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法,其中钙钛矿‑氧化锌复合闪烁体以闪烁体为基底,于其出射面上覆盖有钙钛矿薄膜,生长有钙钛矿量子点。闪烁体单晶与钙钛矿的结合方式按照制备方法进行,包括如下步骤:(1)制备钙钛矿量子点溶液;(2)将制备好的钙钛矿量子点溶液均匀滴涂在闪烁体单晶基底并静置得到湿膜;(3)将湿膜置于常温负压环境下以加速量子点的凝固,得到基于钙钛矿的复合闪烁体。本发明利用钙钛矿移波与光致发光量子产额近100%的特性,提高了闪烁体光产额,并通过调节钙钛矿的卤素配比实现复合闪烁体的可调波长发射。

    一种柔性二维钙钛矿闪烁屏制备方法及闪烁屏

    公开(公告)号:CN115793024A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211460604.5

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明涉及核辐射探测,具体涉及一种柔性二维钙钛矿闪烁屏制备方法及闪烁屏,为解决现有技术中存在的钙钛矿闪烁屏制备方法复杂,现有钙钛矿闪烁屏透过率低以及环境稳定性差的不足之处。一种柔性二维钙钛矿闪烁屏制备方法,包括以下步骤:配置二维钙钛矿前驱体溶液以及聚合物胶体溶液、将钙钛矿前驱体溶液加入胶体溶液中并混合均匀、制备二维钙钛矿闪烁屏,制备二维钙钛矿闪烁屏具体为用旋涂法将混合溶液涂布在基底上,将涂布后的基底经烘箱干燥后,冷却至室温并将基底分离,得到二维钙钛矿闪烁屏;本方法制备的闪烁屏闪烁体为BA2PbBr4,闪烁体以纳米晶的形式分布,纳米晶外部包裹聚合物胶体,闪烁屏的透过率≥80%。

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