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公开(公告)号：CN108387923A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810215572.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/202
Abstract: 本发明属于辐射探测技术领域，针对现有技术中在闪烁体表面制作光子晶体结构工序复杂、成本高，且大尺寸闪烁体本体表面难以制造光子晶体结构，以及无法直接在易潮解类闪烁体表面制作光子晶体结构的技术问题，提供带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器；其中带有光子晶体层的封装式闪烁体包括闪烁体本体，其特殊之处在于：还包括位于闪烁体本体外部的封装外壳，封装外壳上设置有光学窗口；所述光学窗口的内表面通过光学耦合剂紧贴闪烁体本体的出光面，光学窗口的外表面设置有外光子晶体层；外光子晶体层包括光子晶体阵列。
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公开(公告)号：CN104483698B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410850162.4
申请日：2014-12-30
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/167
Abstract: 本发明提供一种基于点源效率函数的氙气源虚拟点源刻度装置，包括放射性氙气体体源、标准混合点源、探测器；所述放射性氙气体体源位于探测器的正上方不同高度；所述标准混合点源位于探测器的正上方相应高度；所述标准混合点源发射射线能量必须覆盖或接近放射性氙气体体源发射射线能量。本发明选用长半衰期的170T m点源放置在短半衰期的133Xe及其同位素气体体源的虚拟点位置来进行模拟刻度放射性133Xe气体源的效率，可以解决实际工作中有些标准133Xe及其同位素半衰期较短而无法使用较长时间的问题。
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公开(公告)号：CN104483698A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410850162.4
申请日：2014-12-30
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/167
Abstract: 本发明提供一种基于点源效率函数的氙气源虚拟点源刻度装置，包括放射性氙气体体源、标准混合点源、探测器；所述放射性氙气体体源位于探测器的正上方不同高度；所述标准混合点源位于探测器的正上方相应高度；所述标准混合点源发射射线能量必须覆盖或接近放射性氙气体体源发射射线能量。本发明选用长半衰期的170T m点源放置在短半衰期的133Xe及其同位素气体体源的虚拟点位置来进行模拟刻度放射性133Xe气体源的效率，可以解决实际工作中有些标准133Xe及其同位素半衰期较短而无法使用较长时间的问题。
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公开(公告)号：CN113238275A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110501606.3
申请日：2021-05-08
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于富氢钙钛矿闪烁体的微型辐射探测组件、装置及方法。本发明的目的是解决现有脉冲辐射探测装置存在体积较大，导致应用受限，以及线性工作范围小和工作偏压高的技术问题。该探测组件包括半导体光电转换器件和作为辐射‑光转换体的富氢钙钛矿闪烁体；所述半导体光电转换器件的光阴极面向富氢钙钛矿闪烁体；所述富氢钙钛矿闪烁体为富氢有机‑重金属卤化物杂化材料。该探测装置包括上述基于富氢钙钛矿闪烁体的微型辐射探测组件、为半导体光电转换器件供电的电源，及示波器和计算机；所述半导体光电转换器件的输出端连接示波器的输入端，示波器的输出端连接计算机的输入端。该方法利用该装置进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106094004A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610624040.2
申请日：2016-08-02
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/205
CPC classification number: G01T1/205
Abstract: 本发明涉及核技术应用领域，尤其涉及一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法。本发明提出一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法，利用单丝气体闪烁正比结构中的强电场将单粒子在气体闪烁体中产生的荧光倍增，再通过高灵敏高量子效率的成像装置对倍增强度的径迹荧光成像，就能得到单粒子的径迹发光图像，从图像提取径迹特征信息，进而实现单粒子能量的测量。
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公开(公告)号：CN104090293B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410275572.0
申请日：2014-06-19
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于延迟编码的光纤阵列中子位置灵敏探测系统及方法，通过不同长度的光纤对中子与闪烁体作用发出的脉冲荧光信号进行延迟编码，使得不同长度的光纤传输的脉冲荧光信号到达后端光电探测器的时间不同。这样通过测量光电探测器输出的多个脉冲电流信号之间的时间差，再结合解码技术便可以确定是由哪几根光纤传输过来的脉冲荧光信号，最后以这几根光纤传输的信号大小为权重确定中子的作用位置，而时间信息则可以根据第一个脉冲电流信号的到达时间和获得的中子作用位置反推确定。采用这种方法可以使原来多路并行的信号读取方式转变为单通道串行的信号读取方式，从而使中子作用位置和时间联合测量系统大幅简化。
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公开(公告)号：CN102798882B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210133723.X
申请日：2012-05-03
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明属于辐射探测装置，具体涉及一种压接结构的电流型CZT探测器。本发明解决了工艺、技术条件导致的CZT探测器的封装结构不良，封装后漏电流增大、电极不牢固、制备难度大、性能不稳定、加工定制成品率低等技术问题。其包括屏蔽壳体、设置在屏蔽壳体外的两个电缆转接器、设置在屏蔽壳体内的通孔以及设置在通孔内的CZT晶体、导电垫环、电极和压盖；CZT晶体的两侧表面镀有导电层；导电垫环、电极和压盖分为两组且对称分布在CZT晶体的两侧，其中导电垫环与CZT晶体两侧分别接触，电极与相应的导电垫环接触，压盖将电极和导电垫环固定在屏蔽壳体内并压紧在CZT晶体上。本发明具有高的探测效率及探测灵敏度，性能稳定可靠。
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公开(公告)号：CN103422169B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210160213.1
申请日：2012-05-22
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: C30B29/12
Abstract: 本发明属于核辐射探测领域，涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体，通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间，使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns，为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径，为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便，具有较好的稳定性和重现性。
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