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公开(公告)号：CN107734232B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711084976.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种超快随机物理过程的图像捕获方法，解决了常规图像捕获方法很难准确捕捉单次物理过程图像的问题，尤其适用于随机粒子事件的单粒子径迹成像。该方法采用的成像系统由图像传感器和像增强器进行光学耦合得到，其中像增强器和图像传感器的曝光控制相互独立；利用像增强器和图像传感器的独立曝光控制功能，通过实验系统提供预触发和后触发信号，对超快随机物理过程实现单次图像的稳定可靠捕获，该方法可有效提高成像系统捕捉随机过程的能力，并能可靠实现单次过程图像的捕获，极大提高了随机物理过程实验的图像获取能力。
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公开(公告)号：CN108387923A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810215572.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/202
Abstract: 本发明属于辐射探测技术领域，针对现有技术中在闪烁体表面制作光子晶体结构工序复杂、成本高，且大尺寸闪烁体本体表面难以制造光子晶体结构，以及无法直接在易潮解类闪烁体表面制作光子晶体结构的技术问题，提供带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器；其中带有光子晶体层的封装式闪烁体包括闪烁体本体，其特殊之处在于：还包括位于闪烁体本体外部的封装外壳，封装外壳上设置有光学窗口；所述光学窗口的内表面通过光学耦合剂紧贴闪烁体本体的出光面，光学窗口的外表面设置有外光子晶体层；外光子晶体层包括光子晶体阵列。
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公开(公告)号：CN103018315A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210406496.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种中子辐照6Li产氚量的等效测量方法，通过测量中子辐照条件下6Li(n,α)T反应中4He含量间接得到氚的量；由于4He为惰性气体，不易与金属结合，容易释放，因此避免了现有产氚量测量方法中多次提取、处理和测量的繁琐环节，同时解决了微量产氚量的测量难题；本发明中子辐照6Li产氚量的等效测量装置包括密封容器、氧化柱、冷凝器和质谱仪，对氢同位素的氧化后低温去除，减小了其对4He含量测量的影响，提高了测量不确定度。
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公开(公告)号：CN108428761B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810225701.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明属于光电探测和核辐射探测领域，具体涉及一种基于SiC宽禁带半导体探测器的光电探测器。包括真空腔体及位于真空腔体内部的SiC探测器；真空腔体的一侧为入射窗，入射窗内侧覆盖有光电阴极，与入射窗相邻的真空腔体两个内侧分别设有金属电极，光电阴极与金属电极之间通过电阻连接；SiC探测器位于与入射窗相对的真空腔体内侧，SiC探测器的入射面电极接地，出射面的电极引出真空腔体。本发明利用SiC探测器对能量在keV量级电子的响应特性，获得百倍左右增益，同时获得1安培以上的脉冲响应最大线性电流，能够很好地解决当前光电管和光电倍增管之间的衔接问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108445530A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810253358.3
申请日：2018-03-26
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T7/00
Abstract: 本发明涉及一种α粒子阻隔型低能电子探测器件。包括一端开口的外壳、真空密封窗、α粒子阻隔层及电子探测装置；真空密封窗位于外壳开口端，与外壳形成真空腔室；α粒子阻隔层紧贴真空密封窗位于外壳内部，且与外壳绝缘，用于阻隔α粒子穿过；电子探测装置包括电子探测器、高压模块和信号采集模块；所述电子探测器位于外壳内部并与α粒子阻隔层平行，电子探测器与α粒子阻隔层之间的间隔形成飞行腔室；高压模块和信号采集模块位于外壳外部，电子探测器阳极与高压模块连接，电子探测器信号输出端和信号采集模块连接；α粒子穿过真空密封窗进入并停留在α粒子阻隔层的微孔中。解决了现有技术中高氡环境下不能对氚发射低能电子直接探测的缺陷。
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公开(公告)号：CN108428761A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810225701.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明属于光电探测和核辐射探测领域，具体涉及一种基于SiC宽禁带半导体探测器的大电流百倍增益光电探测器。包括真空腔体及位于真空腔体内部的SiC探测器；真空腔体的一侧为入射窗，入射窗内侧覆盖有光电阴极，与入射窗相邻的真空腔体两个内侧分别设有金属电极，光电阴极与金属电极之间通过电阻连接；SiC探测器位于与入射窗相对的真空腔体内侧，SiC探测器的入射面电极接地，出射面的电极引出真空腔体。本发明利用SiC探测器对能量在keV量级电子的响应特性，获得百倍左右增益，同时获得1安培以上的脉冲响应最大线性电流，能够很好地解决当前光电管和光电倍增管之间的衔接问题。
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公开(公告)号：CN104020507B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410264383.3
申请日：2014-06-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于虚拟点探测器的放射性区域确定方法，包括拟合得到虚拟点探测器距离探测器下端面距离的拟合参数、求出地面放射性区域对应的虚拟点源位置、建立均匀分布地面放射性区域半径r的和其对应的虚拟点源位置x的函数关系式、地面放射性区域半径参数的反演计算等步骤，本发明利用虚拟点探测器理论及虚拟点源技术，成功地解决了以往高空无法确定放射性可疑区边界的问题，使空中发展为一项更为有效的探测手段。
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公开(公告)号：CN106094004A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610624040.2
申请日：2016-08-02
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01T1/205
CPC classification number: G01T1/205
Abstract: 本发明涉及核技术应用领域，尤其涉及一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法。本发明提出一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法，利用单丝气体闪烁正比结构中的强电场将单粒子在气体闪烁体中产生的荧光倍增，再通过高灵敏高量子效率的成像装置对倍增强度的径迹荧光成像，就能得到单粒子的径迹发光图像，从图像提取径迹特征信息，进而实现单粒子能量的测量。
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公开(公告)号：CN104090293B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410275572.0
申请日：2014-06-19
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于延迟编码的光纤阵列中子位置灵敏探测系统及方法，通过不同长度的光纤对中子与闪烁体作用发出的脉冲荧光信号进行延迟编码，使得不同长度的光纤传输的脉冲荧光信号到达后端光电探测器的时间不同。这样通过测量光电探测器输出的多个脉冲电流信号之间的时间差，再结合解码技术便可以确定是由哪几根光纤传输过来的脉冲荧光信号，最后以这几根光纤传输的信号大小为权重确定中子的作用位置，而时间信息则可以根据第一个脉冲电流信号的到达时间和获得的中子作用位置反推确定。采用这种方法可以使原来多路并行的信号读取方式转变为单通道串行的信号读取方式，从而使中子作用位置和时间联合测量系统大幅简化。
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