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公开(公告)号：CN112306088B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011082282.6
申请日：2020-10-12
IPC: G05D1/10
Abstract: 本发明涉及一种基于DSP的多无人机系统的协同任务规划器，属于多无人机协同任务规划领域。每个无人机包括硬件通信模块、DSP核心处理器、以及预留的与飞控模块、传感器连接的接口，硬件通信模块接收其他无人机的硬件通信模块的数据并将其发送给DSP核心处理器，DSP核心处理器对硬件通信模块和传感器发送的数据进行数据类型识别并发送给对应的功能模块进行解算，各个无人机个体起飞前预载参与本次任务各无人机的载荷信息、预载地图信息、预载航路点信息以及预载任务，起飞后只需要与其近临的无人机之间进行定位信息、航路点信息、自身载荷、任务决策信息的交互，便可以形成期望的编队结构稳定飞行，实现整个无人机系统的协同任务规划。
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公开(公告)号：CN112306088A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011082282.6
申请日：2020-10-12
IPC: G05D1/10
Abstract: 本发明涉及一种基于DSP的多无人机系统的协同任务规划器，属于多无人机协同任务规划领域。每个无人机包括硬件通信模块、DSP核心处理器、以及预留的与飞控模块、传感器连接的接口，硬件通信模块接收其他无人机的硬件通信模块的数据并将其发送给DSP核心处理器，DSP核心处理器对硬件通信模块和传感器发送的数据进行数据类型识别并发送给对应的功能模块进行解算，各个无人机个体起飞前预载参与本次任务各无人机的载荷信息、预载地图信息、预载航路点信息以及预载任务，起飞后只需要与其近临的无人机之间进行定位信息、航路点信息、自身载荷、任务决策信息的交互，便可以形成期望的编队结构稳定飞行，实现整个无人机系统的协同任务规划。
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公开(公告)号：CN115623773A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211197404.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B10/00 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L23/556 , H01L29/06 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种基于复合结构SOI MOS抗辐照器件构成的SRAM存储单元，MOS管M1与M2串联，M1与M2的栅极短接，并与MOS管M5漏极相连，MOS管M3与M4串联，M3与M4的栅极短接，并与MOS管M6漏极相连，位线BL与分别与M6源极和M5源极相连接。该存储单元由复合结构SOI MOS抗辐照器件组成，成本低廉，工艺兼容性好，适用于抗辐照器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN115472699A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211197402.6
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法，包括衬底，衬底上通过掺杂P型杂质3*1018cm‑3形成有P阱区，P阱区上表面淀积一层SiO2层，衬底、P阱区以及SiO2层侧面为倒梯形沟槽，倒梯形沟槽为浅沟道隔离结构，SiO2层顶部为栅极，栅极外侧对称设置为牺牲保护层，栅极与牺牲保护层之间依次从下至上为本征硅、p型半导体、n型半导体以及引出金属AI，所述浅沟道隔离结构内侧为低能量浅结砷LDD和源漏区，源漏区上方紧贴本征硅，所述引出金属AI接地。在源漏极上栅极的侧壁增加对称结构PN结，紧贴源漏区上方依次为本征Si层，PN结，导出金属接地，整个器件在Si衬底上实现，与Si工艺兼容，利于集成与成本的控制。
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公开(公告)号：CN105388486A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510939697.3
申请日：2015-12-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S17/89
CPC classification number: G01S17/89
Abstract: 基于光纤阵列赝热光的鬼成像系统及成像方法，该鬼成像系统包括脉冲激光器、光纤耦合器、电光相位调制器、射频驱动电源、光纤放大器、光纤阵列、扩束准直器、半反半透镜、接收望远镜、光电阵列探测器、信号采集模块以及信号控制与计算成像模块，脉冲激光器发出的激光被光纤耦合器分成多束相干光传输至电光相位调制器进行随机相位调制，然后传输至光纤放大器进行功率放大，经所述光纤阵列、扩束准直器及半反半透镜后照射到目标，接收望远镜收集散射光信号并汇聚到光电探测器，光电探测器输出的电信号由信号采集模块进行采样，采样数据传送至信号控制与计算成像模块。本发明的鬼成像系统作用距离远、成像速率高，解决了已有鬼成像系统存在的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104219011A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410482194.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种认知无线网络中基于节点检测的分布式频谱感知方法，主要解决现有技术存在的抵抗恶意节点发动的攻击和可能出现的连通性问题。本发明的具体步骤为：1、建立频谱感知方法模型；2、初始化感知数据；3、判断是否满足节点检测触发条件；4、判断是否满足异常条件；5、删除恶意节点；6、判断是否满足节点变化条件；7、判断连通性；8、调整邻居节点；9、更新感知数据；10、判断是否结束数据更新；11、感知结果判定。本发明能有效的防止恶意节点进行的攻击，且能保证网络的连通性，使网络能够得到可靠的，统一的感知结果。
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公开(公告)号：CN113517348B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110720838.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、调制Ge掺杂外延层、本征Ge隔离层、nMOS沟道层、本征三元合金异质帽层、氧化铪层、氮化钽层、源漏区、介质层、源电极、漏电极和钝化层；氧化铪层和氮化钽层形成栅极区；本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.08～0.1；nMOS沟道层为本征DR‑Ge1‑zSnz层；其中，z的范围为0.12‑0.18。本发明还提供一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件的制备方法。本发明的器件解决了Ge基沟道增强型nMOS表面沟道不反型的问题，消除了界面态引起的沟道区费米钉扎效应，利于器件沟道的开启，同时采用高电子迁移率DR‑GeSn作为沟道材料，且在沟道区输运时电子无表面粗糙度散射和离化杂质散射，使得器件性能指标优异。
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公开(公告)号：CN115497945A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211197520.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L23/552 , H01L21/336 , H01L21/8244
Abstract: 本发明公开了一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法，在SOI工艺的MOS器件上嵌入SBD结构形成新型MOS器件，新型MOS器件的两种抗辐照机制分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层，把NMOS器件T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，同时将嵌入的SBD的金属Al的金属端接地。本发明能够达到显著提高SRAM抗辐照性能的目的。
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公开(公告)号：CN115411112A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211197397.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
Abstract: 一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法，包括单晶Si衬底，Si衬底表面为P型Si层，P型Si层侧面为沟槽，沟槽中填充SiO2材料，P型Si层表面为栅氧化层，栅氧化层表面为多晶硅，位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区，轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区，重掺杂的源漏区表面为金属导线层，轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙，Si侧墙两侧为SiO2侧墙，Si侧墙表面为铝金属层，铝金属层表面为金属导线层，金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响，实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作，在漏端嵌入SBD工艺简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN114864406A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210521649.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明涉及一种双副栅结构的MOS抗辐照器件及其制备方法，本发明在传统的MOS器件上增加双副栅结构，双副栅结构由本征硅和二氧化硅构成，制作工艺与现有硅工艺兼容。本发明引入副栅可以对LDD下方电场强弱产生影响，可缓和由漏端PN结反偏形成的横向电场，降低电极收集电荷能力，使高能粒子的射入而产生的电子‑空穴对在被电极收集之前复合消失。从而消除由单粒子效应所引起的集成电路逻辑错误翻转等问题，使得本发明新型MOS抗辐照器件构成的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作。
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