公开(公告)号：CN115497945A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211197520.7

申请日：2022-09-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘伟峰 ,  朱少成 ,  包军林 ,  张栋 ,  张士琦 ,  宋建军

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明公开了一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法，在SOI工艺的MOS器件上嵌入SBD结构形成新型MOS器件，新型MOS器件的两种抗辐照机制分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层，把NMOS器件T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，同时将嵌入的SBD的金属Al的金属端接地。本发明能够达到显著提高SRAM抗辐照性能的目的。