一种改良相变材料的方法

    公开(公告)号:CN112736197B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202011601376.X

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种改良相变材料的方法,包括以下步骤:(1)清洗衬底:准备衬底并依次置于丙酮、乙醇以及超纯水中进行超声清洗,去除杂质;(2)沉积相变材料:准备相变材料,利用沉积法沉积相变材料薄膜在清洗后的衬底上;(3)沉积介质薄膜:在相变材料表面沉积介质薄膜。本发明的方法可以保护相变材料免于外部机械作用;保护相变材料在相变过程避免发生形变,方法简单,成本低廉;可以保护相变材料免于外界空气的影响,防止在长期工作时外界大气与相变材料发生化学反应;保护层可以有效改善晶态化时相变材料的结晶状态,提高相变材料的性能和使用寿命。

    一种改良相变材料的方法

    公开(公告)号:CN112736197A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011601376.X

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种改良相变材料的方法,包括以下步骤:(1)清洗衬底:准备衬底并依次置于丙酮、乙醇以及超纯水中进行超声清洗,去除杂质;(2)沉积相变材料:准备相变材料,利用沉积法沉积相变材料薄膜在清洗后的衬底上;(3)沉积介质薄膜:在相变材料表面沉积介质薄膜。本发明的方法可以保护相变材料免于外部机械作用;保护相变材料在相变过程避免发生形变,方法简单,成本低廉;可以保护相变材料免于外界空气的影响,防止在长期工作时外界大气与相变材料发生化学反应;保护层可以有效改善晶态化时相变材料的结晶状态,提高相变材料的性能和使用寿命。

    一种改良相变材料结构及制备方法

    公开(公告)号:CN119233749A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411357458.2

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明涉及一种改良相变材料结构及制备方法,包括衬底层、相变材料层和介质薄膜层;所述相变材料层位于衬底层的上方,所述介质薄膜层位于相变材料层的上方,且当相变材料层的厚度大于65nm时,对所述相变材料层进行分层处理,且分层后的相变材料层之间填充有介质薄膜层;所述相变材料层的总厚度为0‑5000nm;每层介质薄膜层的厚度为0‑5000nm;可以有效减小晶态化时相变材料的晶粒尺寸,改善由于晶粒双折射效应带来的折射率不均匀性,提高相变材料的性能。

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