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发明公开
一种改良相变材料结构及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119233749A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411357458.2

申请日：2024-09-27

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 梅霆 , 羌非凡 , 高琨 , 张文定 , 杨婉祺

IPC: H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种改良相变材料结构及制备方法，包括衬底层、相变材料层和介质薄膜层；所述相变材料层位于衬底层的上方，所述介质薄膜层位于相变材料层的上方，且当相变材料层的厚度大于65nm时，对所述相变材料层进行分层处理，且分层后的相变材料层之间填充有介质薄膜层；所述相变材料层的总厚度为0‑5000nm；每层介质薄膜层的厚度为0‑5000nm；可以有效减小晶态化时相变材料的晶粒尺寸，改善由于晶粒双折射效应带来的折射率不均匀性，提高相变材料的性能。

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