公开(公告)号：CN101913860B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010258362.2

申请日：2010-08-19

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  李博 ,  刘亮亮 ,  许贝 ,  胡国辛 ,  曹宵

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法。用传统固相烧结法制备(1-x)(0.6Bi4Ti3O12-0.4BaTiO3)-xPbTiO3陶瓷，其中，x＝0.02～0.10。本发明以熔盐法制备的Bi4Ti3O12、分析纯的BaTiO3、Pb3O4、TiO2为原料制备的高居里温度压电陶瓷。粉料经混合球磨、烘干、预烧、二次球磨、造粒、成型、排胶，最后在1050～1100℃中烧结2h～4h，制备出所需的陶瓷材料。本发明采用传统压电陶瓷制备方法，所制备出的钛酸铋钡基压电陶瓷其居里温度均在450℃以上并且制备工艺稳定可靠，电性能已经达到压电陶瓷实用化要求，能够应用在航空航天、石油化工等特殊高温环境下。

公开(公告)号：CN101913860A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010258362.2

申请日：2010-08-19

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  李博 ,  刘亮亮 ,  许贝 ,  胡国辛 ,  曹宵

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法。用传统固相烧结法制备(1-x)(0.6Bi4Ti3O12-0.4BaTiO3)-xPbTiO3陶瓷，其中，x＝0.02～0.10。本发明以熔盐法制备的Bi4Ti3O12、分析纯的BaTiO3、Pb3O4、TiO2为原料制备的高居里温度压电陶瓷。粉料经混合球磨、烘干、预烧、二次球磨、造粒、成型、排胶，最后在1050～1100℃中烧结2h～4h，制备出所需的陶瓷材料。本发明采用传统压电陶瓷制备方法，所制备出的钛酸铋钡基压电陶瓷其居里温度均在450℃以上并且制备工艺稳定可靠，电性能已经达到压电陶瓷实用化要求，能够应用在航空航天、石油化工等特殊高温环境下。

公开(公告)号：CN102584232A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210007055.6

申请日：2012-01-11

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  曹宵 ,  胡国辛 ,  许贝 ,  刘亮亮 ,  李志强

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种近零谐振频率温度系数超低温烧结微波介质陶瓷，分别以分析纯的ZnO和Nb2O5，TiO2和TeO2制备Zn3Nb2O8和TiTe3O8预烧粉体。以0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O8为基体材料，采用两种不同工艺分别添加0.3～0.5mol的TiO2、TeO2氧化物或TiTe3O8化合物，经球磨、烘干并添加5～10wt％的PVA造粒压制成型，于650-700℃烧结后获得谐振频率温度系数近零且具有良好微波介电性能的陶瓷材料。本发明在微波介质陶瓷的低温烧结上取得很大进步，且克服了陶瓷谐振频率温度系数偏大的缺点，保证了材料的温度稳定性，降低了成本，满足LTCC工艺技术的要求，对实现微波元器件的小型化、轻量化、集成化等具有重要意义。

公开(公告)号：CN102276255A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110147939.7

申请日：2011-06-02

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  许贝 ,  刘亮亮 ,  曹宵 ,  胡国辛 ,  李金锦

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提出了一种片状钛酸钡微晶粉体的制备方法，首先通过熔盐法制备片状前驱物钛酸铋钡BaBi4Ti4O15，之后以NaCl-KCl熔盐为介质制备出保持前驱物BaBi4Ti4O15形貌的片状BaTiO3粉体。制得的前驱物BaBi4Ti4O15粉体具有非常明显的片状形貌，其尺寸平均为8×8×1μm，是非常适宜的前驱物；制得的BaTiO3粉体具有尺寸分布均匀的片状外形，其尺寸平均为6×6×2μm。本发明所采用的步骤较少，方法较为简单，所得产物符合各向异性模板所需要求，可以作为大量生产模板的方法。

公开(公告)号：CN102584232B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210007055.6

申请日：2012-01-11

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  曹宵 ,  胡国辛 ,  许贝 ,  刘亮亮 ,  李志强

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种近零谐振频率温度系数超低温烧结微波介质陶瓷，分别以分析纯的ZnO和Nb2O5，TiO2和TeO2制备Zn3Nb2O8和TiTe3O8预烧粉体。以0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O8为基体材料，采用两种不同工艺分别添加0.3～0.5mol的TiO2、TeO2氧化物或TiTe3O8化合物，经球磨、烘干并添加5～10wt％的PVA造粒压制成型，于650-700℃烧结后获得谐振频率温度系数近零且具有良好微波介电性能的陶瓷材料。本发明在微波介质陶瓷的低温烧结上取得很大进步，且克服了陶瓷谐振频率温度系数偏大的缺点，保证了材料的温度稳定性，降低了成本，满足LTCC工艺技术的要求，对实现微波元器件的小型化、轻量化、集成化等具有重要意义。

公开(公告)号：CN101844919B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010191492.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  胡国辛 ,  曹宵 ,  刘亮亮 ,  李博 ,  许贝

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种复合钛酸锶钡高可调性陶瓷，以分析纯的BaCO3、SrCO3和TiO2制备的Ba0.6Sr0.4TiO3为基体材料，复合添加分析纯的0.5～5wt％的ZnO、10～30wt％的A12O3和10wt％的MgO，通过球磨、烘干和预烧得到氧化物复合掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体，并添加5～10wt％的PVA造粒压制成型，烧结后获得可调性为18％～42％的陶瓷材料。本发明具有较低的介电常数和介电损耗，在低直流场强下实现介电常数的大幅度可调，能够满足移相器、动态随机存储器等器件对可调性材料的使用要求，提高了该类器件的工作效率，并且制备工艺稳定可靠。

公开(公告)号：CN101844919A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010191492.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 高峰 ,  胡国辛 ,  曹宵 ,  刘亮亮 ,  李博 ,  许贝

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种复合钛酸锶钡高可调性陶瓷，以分析纯的BaCO3、SrCO3和TiO2制备的Ba0.6Sr0.4TiO3为基体材料，复合添加分析纯的0.5～5wt％的ZnO、10～30wt％的A12O3和10wt％的MgO，通过球磨、烘干和预烧得到氧化物复合掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体，并添加5～10wt％的PVA造粒压制成型，烧结后获得可调性为18％～42％的陶瓷材料。本发明具有较低的介电常数和介电损耗，在低直流场强下实现介电常数的大幅度可调，能够满足移相器、动态随机存储器等器件对可调性材料的使用要求，提高了该类器件的工作效率，并且制备工艺稳定可靠。