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公开(公告)号：CN113930743A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111103698.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种常压下生长两层二硫化钨薄层的方法，解决现有制备两层二硫化钨薄膜存在工艺复杂、产率低、结晶质量差的技术问题。该方法，用钨源和硫源作为前驱体，用氯化钠作为催化剂，采用盐辅助法降低钨源的反应温度，以惰性气体为载气，在750‑850℃的高温下，让钨源蒸气和硫源蒸气反应，并将反应生成物二硫化钨沉积在生长衬底上，本发明通过在化学气相沉积过程中引入了两次低温成核来获得大量、层数可控制、结晶质量好的均匀两层二硫化钨采用两次生长成核。
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公开(公告)号：CN115498502A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211132105.3
申请日：2022-09-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种片上白光泵浦光发射器及制备方法和应用，利用真空电子束蒸镀工艺在SiO2/Si衬底表面沉积一定对数的周期交替生长的SiO2/TiO2介质膜材料，以形成分布式布拉格反射镜(DBR)，从而构造超薄平板微腔结构；采用机械剥离法或化学气相沉积法，将直接带隙二维半导体或层状金属卤化物钙钛矿材料置于平板半微腔上方或嵌于平板全微腔中间。以白光、太阳光或非相干连续光源作为激发光源，促使单层二维半导体或层状金属卤化物钙钛矿材料与腔模发生共振激发。本发明具有如下的有益效果：该器件与传统白光泵浦光发射器件相比结构简单，易于实现片上白光泵浦光发射器件的微型化和集成化应用，为光子集成领域的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN118374886A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410495603.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿中卤素原子的激光辅助微区掺杂方法及其应用，涉及钙钛矿技术领域。所述方法包括在目标衬底上制备CsPbBr3微米片；制备CsPbBr3‑xIx微米片；将CsPbBr3‑xIx微米片置于聚焦的激光束下进行局部照射处理，微米片由最开始的绿光发射逐渐变为完全的红光发射，此时，停止激光照射，即得局域红光发射的全无机卤化物钙钛矿微米片。本发明利用激光对CsPbBr3微米片中的I‑进行微区辅助掺杂，可以将掺杂精度控制在微米级别，从而在钙钛矿微米片中形成局域的势阱结构，显著提升了掺杂区域的发光强度，从而实现钙钛矿微米片发光的图案化，使之应用于信息存储、加密等领域。
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公开(公告)号：CN113937618B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111371233.9
申请日：2021-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937618A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111371233.9
申请日：2021-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
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公开(公告)号：CN117684265A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311588992.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr2和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。本发明通过化学气相沉积法在硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无机CsSnBr3单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发光和光伏器件的开发。
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公开(公告)号：CN115603170A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211171192.3
申请日：2022-09-25
Applicant: 西北工业大学(CN)
IPC: H01S5/10 , H01S5/30 , H01S5/02 , H01S5/0233 , H01S5/0235
Abstract: 本发明涉及一种基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法，属于微腔光发射器技术领域；所述发射器从下到上依次包括底部DBR衬底、二维层状半导体、PMMA膜和顶部DBR衬底；通过调节PMMA膜的厚度实现对光发射器微腔腔长、腔膜个数及位置的精确调控。方法步骤为：首先制备底部、顶部DBR衬底；并在底部DBR衬底上制备二维层状半导体；然后在其表面旋涂PMMA，将顶部DBR衬底粘结于PMMA上方；最后，通过显微角分辨光谱仪对多模微腔光发射器完成腔长、腔膜个数、位置的精调，得到多模微腔光发射器。本发明通过PMMA粘结的方式实现了微腔光发射器多种光模式的发射，以及微腔模式的可控调节和DBR与二维层状半导体材料的重复利用，大幅降低了微腔的制备难度及成本。
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公开(公告)号：CN117638637A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311498868.4
申请日：2023-11-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种横模可控的光发射器的制备方法，采用化学气相沉积法和高真空电子束蒸镀法分别制备正三角形的1L‑TMDs和平面微腔，利用湿法转移将WS2嵌入到微腔中，空间分辨荧光成像表征证明了在嵌入平面微腔的单层TMDs三角形中创建了横向离散的发射模式，当增益介质的横向尺寸降至微米级时，弱耦合激子发射表现出尺寸依赖性特征，其中三角波导谐振起着关键作用。本发明中将化学气相沉积法生长的不同尺寸正三角形单层二硫化钨嵌入到微腔中，利用在单层半导体及其周围腔材料之间的一维闭合边界处存在由全内反射引起的平面内三角形波导共振实现了横向模式的局域化，并通过改变三角形边长实现横模数量和发光波长的有效调控。
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公开(公告)号：CN113930743B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111103698.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种常压下生长两层二硫化钨薄层的方法，解决现有制备两层二硫化钨薄膜存在工艺复杂、产率低、结晶质量差的技术问题。该方法，用钨源和硫源作为前驱体，用氯化钠作为催化剂，采用盐辅助法降低钨源的反应温度，以惰性气体为载气，在750‑850℃的高温下，让钨源蒸气和硫源蒸气反应，并将反应生成物二硫化钨沉积在生长衬底上，本发明通过在化学气相沉积过程中引入了两次低温成核来获得大量、层数可控制、结晶质量好的均匀两层二硫化钨采用两次生长成核。
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