公开(公告)号：CN118374886A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410495603.7

申请日：2024-04-24

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 尚景智 ,  胡韩伟 ,  史广超 ,  乔敬源 ,  张欣雨 ,  张学文 ,  胡福龙

IPC: C30B31/20 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿中卤素原子的激光辅助微区掺杂方法及其应用，涉及钙钛矿技术领域。所述方法包括在目标衬底上制备CsPbBr3微米片；制备CsPbBr3‑xIx微米片；将CsPbBr3‑xIx微米片置于聚焦的激光束下进行局部照射处理，微米片由最开始的绿光发射逐渐变为完全的红光发射，此时，停止激光照射，即得局域红光发射的全无机卤化物钙钛矿微米片。本发明利用激光对CsPbBr3微米片中的I‑进行微区辅助掺杂，可以将掺杂精度控制在微米级别，从而在钙钛矿微米片中形成局域的势阱结构，显著提升了掺杂区域的发光强度，从而实现钙钛矿微米片发光的图案化，使之应用于信息存储、加密等领域。

公开(公告)号：CN117684265A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311588992.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 尚景智 ,  李思雨 ,  乔敬源 ,  张欣雨 ,  张学文

IPC: C30B29/22 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr2和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。本发明通过化学气相沉积法在硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无机CsSnBr3单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发光和光伏器件的开发。

公开(公告)号：CN115603170A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211171192.3

申请日：2022-09-25

Applicant: 西北工业大学(CN)

Inventor： 尚景智 ,  胡韩伟 ,  乔敬源 ,  张欣雨 ,  张学文 ,  何思霖 ,  史广超

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/30 ,  H01S5/02 ,  H01S5/0233 ,  H01S5/0235

Abstract: 本发明涉及一种基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法，属于微腔光发射器技术领域；所述发射器从下到上依次包括底部DBR衬底、二维层状半导体、PMMA膜和顶部DBR衬底；通过调节PMMA膜的厚度实现对光发射器微腔腔长、腔膜个数及位置的精确调控。方法步骤为：首先制备底部、顶部DBR衬底；并在底部DBR衬底上制备二维层状半导体；然后在其表面旋涂PMMA，将顶部DBR衬底粘结于PMMA上方；最后，通过显微角分辨光谱仪对多模微腔光发射器完成腔长、腔膜个数、位置的精调，得到多模微腔光发射器。本发明通过PMMA粘结的方式实现了微腔光发射器多种光模式的发射，以及微腔模式的可控调节和DBR与二维层状半导体材料的重复利用，大幅降低了微腔的制备难度及成本。