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公开(公告)号：CN104067348A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006438.4
申请日：2013-01-16
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G11C29/021 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C29/028 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明公开了一种用于在包括多个模拟存储器单元的存储器中进行数据存储的方法，该方法包括基于存储在所述存储器中的至少一个所述存储器单元中的一个或多个数据值来设置应用于一组所述存储器单元的迭代过程的参数。根据所设置的参数，在该组所述存储器单元中执行所述迭代过程。
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公开(公告)号：CN103208309A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210303689.6
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1016 , G11C16/26
Abstract: 用于存储设备中的失真估计和消除的方法，包括：将数据作为相应的第一电压电平存储在存储器的模拟存储单元中；存储数据后从模拟存储单元读取相应的第二电压电平，至少一些第二电压电平不同于第一电压电平；识别导致读取自目标模拟存储单元的第二电压电平失真的模拟存储单元的子集；基于数据存储在模拟存储单元的时间和数据存储在目标模拟存储单元的时间的关系，将子集中的模拟存储单元分成多个类；为每一个类估计该类中的模拟存储单元针对目标模拟存储单元的第二电压电平所导致的失真；使用为类中的一个或多个类中的每一个所估计的失真，校正读取自目标模拟存储单元的第二电压电平；基于校正的第二电压电平，重构目标模拟存储单元中存储的数据。
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公开(公告)号：CN102394101B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110294868.3
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G11C11/5657
Abstract: 一种用于在包括多个模拟存储单元(32)的存储器(28)中进行数据存储的方法，包括估计模拟存储单元相应的可达到的存储容量。基于所估计的可达到的存储容量，将定义待要存储在存储单元中的数据量的相应的存储配置分配给该存储单元。根据相应的分配的存储配置，将数据存储在存储单元中。在所述存储器被安装在主机系统中并用于在该主机系统中存储数据之后，重新估计所述模拟存储单元的可达到的存储容量。响应于重新估计的可达到的容量，修改所述存储配置。
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公开(公告)号：CN103280239B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210303215.1
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1016 , G11C16/26
Abstract: 本发明涉及存储设备中的失真估计和消除。一种用于操作存储器的方法包括：将数据作为相应的第一电压电平存储在存储器的一组模拟存储单元中；存储该数据后从模拟存储单元读取相应的第二电压电平，第二电压电平中的至少一些不同于所述相应的第一电压电平；识别潜在地导致针对读取自目标模拟存储单元的第二电压电平的失真的模拟存储单元的子集；估计在目标模拟存储单元被编程的第一瞬时由在所述子集中的模拟存储单元导致的针对所述目标模拟存储单元的第一失真度与所述目标模拟存储单元被读取的第二瞬时由在所述子集中的模拟存储单元导致的针对所述目标模拟存储单元的第二失真度之间的差；使用该差校正读取自所述目标模拟存储单元的第二电压电平。
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公开(公告)号：CN103208309B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210303689.6
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1016 , G11C16/26
Abstract: 用于存储设备中的失真估计和消除的方法，包括：将数据作为相应的第一电压电平存储在存储器的模拟存储单元中；存储数据后从模拟存储单元读取相应的第二电压电平，至少一些第二电压电平不同于第一电压电平；识别导致读取自目标模拟存储单元的第二电压电平失真的模拟存储单元的子集；基于数据存储在模拟存储单元的时间和数据存储在目标模拟存储单元的时间的关系，将子集中的模拟存储单元分成多个类；为每一个类估计该类中的模拟存储单元针对目标模拟存储单元的第二电压电平所导致的失真；使用为类中的一个或多个类中的每一个所估计的失真，校正读取自目标模拟存储单元的第二电压电平；基于校正的第二电压电平，重构目标模拟存储单元中存储的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219041A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310088369.8
申请日：2013-01-24
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G11C29/021 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/14 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C29/028 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及用于模拟存储单元的增强编程和擦除方案。一种用于数据存储的方法，包括通过将脉冲序列应用于一组模拟存储单元中的存储单元的迭代过程，将该组模拟存储单元设置到相应的的模拟值。在迭代过程期间，估计迭代过程的进程，并响应于所估计的进程来修改迭代过程的参数。根据修改的参数继续执行迭代过程。
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公开(公告)号：CN103258572B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210303094.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1016 , G11C16/26
Abstract: 本发明涉及存储设备中的失真估计和消除。一种用于操作存储器的方法包括：将数据作为相应的第一电压电平存储在所述存储器的一组模拟存储单元中；在所述存储器中的第一模拟存储单元上执行存储器存取操作；响应于执行的存储器存取操作，从所述存储器中的第二模拟存储单元读取第二电压电平；处理所述第二电压电平，从而估计在所述第二电压电平中的扰动电平，该扰动电平是由在所述第一模拟存储单元上执行的存储器存取操作所导致；使用所估计的扰动电平，校正所述第二电压电平；以及基于所校正的第二电压电平，重构在所述第二模拟存储单元中存储的数据。
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公开(公告)号：CN105917412A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004662.9
申请日：2015-01-08
Applicant: 苹果公司
IPC: G11C11/56 , G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: G11C16/24 , G11C11/5671 , G11C16/0466 , G11C16/0475 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L27/11568 , H01L29/42328
Abstract: 本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。
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公开(公告)号：CN103219041B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310088369.8
申请日：2013-01-24
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G11C29/021 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/14 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C29/028 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及用于模拟存储单元的增强编程和擦除方案。一种用于数据存储的方法，包括通过将脉冲序列应用于一组模拟存储单元中的存储单元的迭代过程，将该组模拟存储单元设置到相应的模拟值。在迭代过程期间，估计迭代过程的进程，并响应于所估计的进程来修改迭代过程的参数。根据修改的参数继续执行迭代过程。
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公开(公告)号：CN101496110B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200780026121.1
申请日：2007-05-10
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G11C11/5657
Abstract: 一种用于操作存储器(28)的方法，包括将数据作为相应的第一电压电平存储在存储器的一组模拟存储单元(32)中。在存储所述数据之后，从相应的模拟存储单元读取第二电压电平。第二电压电平受到交叉耦合干扰的影响，该交叉耦合干扰导致第二电压电平不同于相应的第一电压电平。通过处理第二电压电平来估计对模拟存储单元之间的交叉耦合干扰进行量化的交叉耦合系数。使用所估计的交叉耦合系数，从所读取的第二电压电平重构存储在该组模拟存储单元中的数据。
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